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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]重配置线路结构、封装体及导电特征的制造方法-CN201611137825.3有效
发明人： 蔡惠榕;郭宏瑞;谢昀蓁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种重配置线路结构的制造方法至少包括以下步骤。首先，在衬底上形成层间介电层。接着，在层间介电层上形成种子层。然后，在种子层上形成多个导电图案，且种子层以及导电图案包括相同材料。通过执行干蚀刻工艺选择性地将被导电图案暴露出的种子层移除，以形成多个种子层图案，其中导电图案的宽度在干蚀刻工艺前后实质上维持一致。多个导电图案以及多个种子层图案形成多个重配置导电图案。
配置线路结构封装导电特征制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201711002107.X有效
发明人：余振华;郭宏瑞;蔡惠榕;谢昀蓁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法包括：在管芯上形成导电柱；使用焊料将测试探针耦合到所述导电柱；以及使用多个刻蚀工艺对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀，所述多个刻蚀工艺包括第一刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺包括使用氮系刻蚀剂对所述导电柱进行刻蚀。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体封装及其形成方法-CN202210319479.X在审
发明人：郭宏瑞;蔡惠榕;汪嘉伟;张育慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种形成半导体封装的方法包括以下操作。提供第一集成电路结构，且第一集成电路结构包括第一衬底及位于第一衬底之上的硅层。执行等离子体处理以将硅层的顶部部分转变为位于第一集成电路结构的其余硅层上的第一结合层。提供第二集成电路结构，且第二集成电路结构包括第二衬底及位于第二衬底之上的第二结合层。通过第二集成电路结构的第二结合层及第一集成电路结构的第一结合层将第二集成电路结构结合到第一集成电路结构。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810960619.5有效
发明人：余振华;郭宏瑞;蔡惠榕;张晁纶 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括第一管芯、第二管芯、第一包封材料及保护层。第一管芯包括第一衬底。第二管芯结合到第一管芯且包括第二衬底。第一包封材料包封第一管芯。保护层设置在第一衬底的侧壁上且设置在所述第一衬底与第一包封材料之间，其中所述保护层的材料不同于第二衬底的材料及所述第一包封材料的材料。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]移除抗蚀剂层的方法及制造半导体结构的方法-CN202110173149.X在审
发明人：郭宏瑞;蔡惠榕;张岱民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种包括以下步骤的移除抗蚀剂层的方法。在材料层上形成图案化抗蚀剂层。对图案化抗蚀剂层施加剥除溶液以溶解图案化抗蚀剂层而不溶解材料层，其中剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，非二甲亚砜溶剂包含非质子溶剂及质子溶剂。
抗蚀剂层方法制造半导体结构

[发明专利]形成RDL的方法和由其形成的结构-CN201910456698.0有效
发明人：郭宏瑞;谢昀蓁;蔡惠榕;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种方法包括将器件管芯封装在封装材料中，平坦化器件管芯和封装材料，并形成电耦合至器件管芯的多个第一导电部件。形成多个第一导电部件的步骤包括沉积和蚀刻工艺，其包括沉积毯式含铜层，在毯式含铜层上方形成图案化的光刻胶，以及蚀刻毯式含铜层以将图案化的光刻胶的图案转印到毯式含铜层中。本发明实施例涉及形成RDL的方法和由其形成的结构。
形成 rdl 方法结构

[发明专利]半导体器件和方法-CN201910035366.5有效
发明人：余振华;林耕汉;郭宏瑞;蔡惠榕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种方法包括：将发光二极管连接到衬底；用光敏密封剂密封发光二极管；穿过邻近发光二极管的光敏密封剂形成第一开口；以及在第一开口中形成导电通孔。本发明的实施例还涉及半导体器件和方法。
半导体器件方法

[发明专利]半导体封装件和方法-CN201910456789.4有效
发明人：郭宏瑞;谢昀蓁;蔡惠榕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在实施例中，一种方法包括：在管芯上方形成第一介电层，第一介电层包括光敏材料；固化第一介电层以降低第一介电层的光敏性；通过蚀刻图案化第一介电层以形成第一开口；在第一介电层的第一开口中形成第一金属化图案；在第一金属化图案和第一介电层上方形成第二介电层，第二介电层包括光敏材料；通过曝光和显影来图案化第二介电层以形成第二开口；以及在第二介电层的第二开口中形成第二金属化图案，第二金属化图案电连接至第一金属化图案。本发明实施例涉及半导体封装件和方法。
半导体封装方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202110055415.9在审
发明人：郭宏瑞;张岱民;蔡惠榕;陆德源;李明潭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种封装件，包括：器件管芯；密封剂，将器件管芯密封在其中；第一多个贯穿过孔，穿过密封剂；第二多个贯穿过孔，穿过密封剂；以及再分布线，位于第一多个贯穿过孔上方，并且电连接至第一多个贯穿过孔。第一多个贯穿过孔包括阵列。第二多个贯穿过孔位于第一阵列的外部，并且第二多个贯穿过孔大于第一多个贯穿过孔。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
封装及其形成方法

[发明专利]集成电路器件和形成集成电路封装件的方法-CN202011196697.6在审
发明人：郭宏瑞;汪嘉伟;蔡惠榕;张育慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：在实施例中，集成电路器件包括：半导体衬底；接触焊盘，位于半导体衬底上；钝化层，位于接触焊盘和半导体衬底上；管芯连接件，延伸穿过钝化层，管芯连接件物理耦接和电耦接至接触焊盘，管芯连接件包括第一导电材料，第一导电材料是具有第一酸硬度/软度指数的路易斯酸；介电层，位于管芯连接件和钝化层上；以及保护层，设置在介电层和管芯连接件之间，保护层围绕管芯连接件，保护层包括第一导电材料和唑的配位络合物，唑是具有第一配体硬度/软度指数的路易斯碱，其中，第一酸硬度/软度指数和第一配体硬度/软度指数的乘积为正。本发明的实施例还涉及形成集成电路封装件的方法。
集成电路器件形成封装方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201810970797.6有效
发明人：谢昀蓁;蔡惠榕;郭宏瑞;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，其包括在介电层上形成金属晶种层，以及在金属晶种层上方形成图案化掩模。图案化掩模中的开口位于介电层的第一部分上方，且图案化掩模与介电层的第二部分重叠。该方法进一步包括在开口中镀金属区域，去除图案化掩模以暴露金属晶种层的一些部分，蚀刻金属晶种层的暴露部分，对介电层的第二部分的表面实施等离子体处理，以及对介电层的第二部分的表面实施蚀刻处理。
形成半导体器件方法

[发明专利]导电结构、半导体封装及其形成方法-CN202010213000.5在审
发明人：郭宏瑞;蔡惠榕;彭竣翔;汪嘉伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明实施例公开导电结构、半导体封装及其形成方法。一种导电结构包括金属特征、绝缘层及氮化金属层。金属特征设置在衬底之上，且包括下部金属图案及位于所述下部金属图案之上的上部金属图案。绝缘层环绕金属特征。氮化金属层设置在下部金属图案与上部金属图案之间。
导电结构半导体封装及其形成方法

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN202011001038.2在审
发明人：郭宏瑞;蔡惠榕;彭竣翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种封装结构包括至少一个半导体管芯、绝缘密封体及重布线结构。所述至少一个半导体管芯具有多个导电柱，其中所述多个导电柱的顶表面具有第一粗糙度。绝缘密封体包封所述至少一个半导体管芯。重布线结构在积层方向上设置在绝缘密封体上且电连接到所述至少一个半导体管芯。重布线结构包括：多个导通孔部及多个导电体部，嵌置在介电层中，其中所述多个导电体部的顶表面具有第二粗糙度，且第二粗糙度大于第一粗糙度。
封装结构及其制作方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN201910293773.6有效
发明人：余振华;郭宏瑞;蔡惠榕;谢昀蓁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施例揭露封装件及其形成方法。一种封装件的形成方法包括形成管芯，所述管芯包括衬垫及位于衬垫之上的钝化层。形成穿过钝化层一直到衬垫的通孔。在通孔上形成焊料帽，其中焊料帽的第一材料流动到通孔的侧壁。在一些实施例中，将通孔包封在第一包封体中，其中第一包封体是被选择成具有低的热膨胀系数和/或低的固化温度的聚合物或模塑化合物。在一些实施例中，藉由蚀刻工艺从通孔的侧壁移除焊料帽的第一材料并将通孔包封在第一包封体中。
封装及其形成方法

[发明专利]形成导电特征的方法-CN202011021844.6在审
发明人：郭宏瑞;蔡惠榕;汪嘉伟;张育慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种形成导电特征的方法，所述方法包括：在衬底之上形成晶种层；在晶种层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层具有暴露出晶种层的开口；在开口中形成导电材料；移除图案化掩模层，以暴露出部分的晶种层；以及使用包含保护剂的刻蚀溶液移除所述部分的晶种层，从而形成导电特征，其中保护剂具有多个活性部位以吸附在导电材料上。
形成导电特征方法

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