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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种与机械臂配合使用的光学测量系统夹具装置-CN202122881361.X有效
发明人：李茂月;张明垒;蔡东辰 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B25J15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种与机械臂配合使用的光学测量系统夹具装置，包括底板，圆柱连接板，可调节夹紧板，连接件，压紧弹簧以及压紧机构。其中圆柱连接板有4个阶梯孔，主要用于与机械臂的工具端通过螺栓连接。此外在圆柱连接板上的两平行槽口用于夹具主体部分的连接。在该装置的整体设计中，对于被夹持的光学测量系统设备之间可满足呈一定可调节的角度固定的要求。其次其结构简单，可进行拆卸分离，便于夹具的放置，为解决机械臂工具端与测量系统之间的安装问题提供了可行的方案。
一种机械配合使用光学测量系统夹具装置

[外观设计]便携式多功能移动硬盘-CN202230136501.8有效
发明人：李茂月;蔡东辰 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： 14-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：便携式多功能移动硬盘。2.本外观设计产品的用途：用于存储电子文件，收纳名片与签字笔。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
便携式多功能移动硬盘

[实用新型]一种航空发动机叶片装夹装置-CN202122401305.1有效
发明人：李茂月;赵伟翔;蔡东辰 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种航空发动机叶片装夹装置，由圆杆、圆盘、底座、夹紧器、固定器、推头和销组成。圆盘与底座通过六个圆孔相连接，底座与固定器通过圆杆固定，夹紧器通过攻丝与拧入固定器中，另一头与推头通过销相连接，通过旋入夹紧器推动推头左右移动与底座的一端形成装夹装置。本实用新型在降低成本的同时还解决了不同大小叶片的统一装夹固定，方便后续对叶片的研究。
一种航空发动机叶片装置

[实用新型]一种基于单目结构光的铣刀在机图像采集装置-CN202122379159.7有效
发明人：李茂月;蔡东辰;赵伟翔 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于单目结构光的铣刀在机图像采集装置，包括箱体、箱盖、相机固定架、投影仪固定架、气动阀。其中箱体内部安装有相机、投影仪和气动阀。相机与投影仪单目结构光重构铣刀的主要仪器，但是由于铣刀本身结构的原因，其刀尖处容易附着冷却液和切屑，因此容易影响到刀具图像的采集，从而对刀具的检测造成误报的情况。因此在采集装置的中心位置安装有气动阀，采用气动阀吹气的方式清除刀具表面多余的切屑和冷却液，防止对刀具图像的采集过程造成影响。其次，本装置采用了半封闭式结构，有效的防止了切屑和冷却液对相机和投影仪造成的影响。
一种基于结构铣刀图像采集装置

[发明专利]在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构-CN202110879804.3在审
发明人： R·J·小戈捷;A·F·卢瓦索;S·米特拉;蔡东辰;M·苗;李由 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体阱上具有到掺杂半导体的雪崩结的集成电路结构。本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构，其包括位于半导体衬底中的掺杂阱，以及位于掺杂阱中的基极区、发射极区和集电极区。绝缘材料位于掺杂阱内，其具有水平地邻近集电极区的第一端以及与第一端相对的第二端。掺杂半导体区位于掺杂阱内并邻近绝缘材料的第二端。掺杂半导体区被定位成跨掺杂阱在集电极区与掺杂半导体区之间限定雪崩结。
半导体具有掺杂雪崩集成电路结构

[发明专利]双向击穿硅控整流器-CN202010914009.9在审
发明人： S·米特拉;A·F·卢瓦索;R·J·戈希尔;李由;蔡东辰 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及双向硅控整流器(SCR)及制造方法。该结构包括：多个扩散区域；与扩散区域相邻的多个p型(P+)阱，其中P+阱直接连接；以及与P+阱相邻的多个n型(N+)阱。
双向击穿整流器

[发明专利]接触结构-CN201910112883.8在审
发明人：朴灿鲁;蔡东辰 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及接触结构。本公开涉及半导体结构，并且更特别地，涉及接触结构以及制造方法。所述方法包括：使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。
栅极结构金属化源极/漏极接触结构邻近覆盖层半导体结构隔离区平面化凹陷侧面延伸制造

[发明专利]具有栅极高度缩放的半导体结构-CN201711293215.7在审
发明人：谢瑞龙;张宏光;蔡东辰 -专利权人：格芯公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有栅极高度缩放的半导体结构。本公开涉及半导体结构，并且更特别地，涉及具有栅极高度缩放的半导体栅极结构以及制造方法。该方法包括：用硬掩模材料形成至少一个虚设栅极结构；在至少一个虚设栅极结构的侧面上的源极和漏极区之上形成多种材料；去除硬掩模材料中的上部材料，使得硬掩模材料中的第一材料保留在虚设栅极结构上并且与多种材料中的阻挡材料一起保持均一的栅极高度；通过去除虚设栅极结构的剩余材料以形成沟槽并在沟槽中沉积替代栅极材料来形成替代栅极结构；以及形成到源极区和漏极区的接触。
虚设栅极结构半导体结构硬掩模材料缩放漏极区去除半导体栅极第一材料上部材料剩余材料栅极材料栅极结构阻挡材料源极区替代均一源极沉积侧面保留制造

[实用新型]一种处理垫及含有该处理垫的基材处理设备-CN200420013711.4无效
发明人： 蔡东辰;张守松;陈良毓 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种处理垫，其具有一覆盖层及一固定至该覆盖层的背衬层。该覆盖层具有一外表面、一第一厚度、一第一压缩度以及一介约40至80箫式硬度D间的硬度。该背衬层具有一大于该第一厚度的第二厚度以及一大于该第一压缩度的第二压缩度。该第一厚度、第一压缩度、第二厚度以及第二压缩度可使该外表面在所施压力为1psi或更低时偏离至少2密尔。
一种处理含有基材设备

[发明专利]研磨基材的方法及组合物-CN03807940.2无效
发明人：刘凤全;蔡东辰;胡永其;梁秀仙;王彦;杜布斯特·艾伦;陈良毓 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明是提供用于自基材表面移除导电材料的研磨组合物及方法。一方面，组合物包含酸系电解液系统、一种或多种螯合剂、一种或多种腐蚀抑制剂、一种或多种无机或有机酸盐、一种或多种提供pH值介于大约3与大约10之间的pH调节剂、选自研磨粒子、一种或多种氧化剂及其组合所成组群的研磨促进材料及溶剂。该组合物可用于导电材料移除方法中，该方法包含将具有上方形成有导电材料层的基材配置在含有电极的处理装置中，在电极与基材之间提供组合物，在电极与基材之间施加偏压，以及自导电材料层移除导电材料。
研磨基材方法组合

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