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[发明专利]一种工业实时数据联动解析系统-CN202310889207.8有效
发明人：姜娜;姚旭晔;董玉爽;陈兆林;常宏利;左旺;杨旭伟 -专利权人：赛维斯智慧环境科技（山东）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06Q50/06 文献下载
摘要：本发明提供一种工业实时数据联动解析系统，属于工业管理技术领域，包括：目标确定单元，用于接收采集任务，根据所述采集任务的采集内容以及各个采集点的管理周期和对采集点进行筛选，得到目标点；联动采集单元，用于根据所述关联度和采集时间间隔确定所述水务数据的联动关系；数据解析单元，用于在分析某一目标水务数据并识别出供水系统中的异常情况时，对比与目标水务数据具备联动关系的水务数据，解析上下游关系的水务数据前后的变化和同级关系的解析目标数据差异。本发明避免了采集设备实时获取数据产生大量数据资源浪费，更容易发现供水系统存在的问题，有利于提高水务数据监测的效率。
一种工业实时数据联动解析系统

[发明专利]一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625482.9在审
发明人：陈明珠;连坤;王金翠;张涛;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过对衬底基板的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得电荷阻隔层，然后在掺杂后的衬底基板上制备缺陷层，缺陷层采用在衬底基板上沉积制备或者采用腐蚀法腐蚀衬底基板或采用注入法注入衬底基板产生注入损伤，形成缺陷层；再在缺陷层上采用沉积法或氧化法制备隔离层，形成复合基底；将薄膜基体注入片与复合基底的隔离层进行键合形成键合体，并进行热处理形成复合薄膜。本发明的复合基底、复合薄膜增加了用于阻止缺陷层中的电荷下溢的电荷阻隔层，能够大幅度提高衬底层和缺陷层界面间的阻抗，防止影响其在电子元器件制备中的应用。
一种电荷阻隔复合基底薄膜及其制备方法

[发明专利]一种复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625369.0在审
发明人：连坤;陈明珠;王金翠;张涛;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。其复合基底依次包括：衬底层、缺陷层、电荷阻隔层和隔离层；其中电荷阻隔层是基于界面热扩散掺杂法或离子注入掺杂法对缺陷层的工艺面进行掺杂制得的，用于阻止缺陷层中的电荷上溢。复合基底以及复合于复合基底的隔离层上的薄膜层组成复合薄膜。本发明的复合基底和/或复合薄膜不仅具有富含载流子陷阱的缺陷层，用于捕获载流子，抑制PSC效应，而且还在缺陷层和隔离层之间增加了用于阻止缺陷层中电荷上溢的电荷阻隔层，能够大幅度增加缺陷层和隔离层之间界面的阻抗，防止缺陷层中的电荷外泄影响复合基底和/或复合薄膜在后续制备电子元器件中的应用。
一种复合基底薄膜及其制备方法

[发明专利]一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625387.9在审
发明人：王金翠;连坤;陈明珠;张涛;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过在衬底基板上制备缺陷层，对缺陷层进行离子注入掺杂或界面热扩散掺杂，然后对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后，掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为电荷捕获层，未掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为隔离层，形成复合基底；并基于离子注入法对薄膜基体的工艺面进行注入离子得到薄膜基体注入片，将薄膜基体注入片与复合基底的电荷捕获层进行键合形成键合体，对键合体进行热处理，使键合体的薄膜层转移至复合基底上形成复合薄膜。本发明的复合薄膜在隔离层和薄膜层之间增加了用于捕获界面电荷的电荷捕获层，可降低电荷对后续器件造成的影响。
一种电荷捕获复合基底薄膜及其制备方法

[实用新型]离子注入装置及系统-CN202320311068.6有效
发明人：张涛;胡卉;胡文;连坤;董玉爽;王金翠 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种离子注入装置及系统，包括旋转盘、壳体以及至少一个角法拉第杯。其中，旋转盘用于固定晶圆；壳体上则设置有束流口，离子发射源发射出的离子束穿过束流口照射在旋转盘的晶圆上，以对晶圆进行离子注入操作。旋转盘旋转设置在壳体中，旋转盘转动使位于旋转盘上的所有晶圆依次经过束流口接受离子注入。另外，在壳体的束流口侧面设置有角法拉第杯。离子束在穿过束流口对晶圆进行离子注入的同时，至少部分离子束射入角法拉第杯中，从而完成束流统计，检测离子束的强度。
离子注入装置系统

[发明专利]电光晶体薄膜、制备方法及电子元件-CN202310231132.4有效
发明人：王金翠;张涛;邢兆辉;王有贵;李慧青;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：提供了一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元件，涉及半导体元件技术领域，其中，电光晶体薄膜的制备方法包括：对衬底层进行刻蚀处理，刻蚀后的衬底层表面形成凹槽和相较于凹槽凸起的光波导结构；在凹槽内制备填充层；在光波导结构和填充层共同形成的表面依次制备隔离层、功能层，以形成复合薄膜；去除填充层，形成电光晶体薄膜。本申请中通过在衬底层上刻蚀光波导结构后制备填充层，并形成复合薄膜后，再将填充层去除，从而保证了在衬底层的刻蚀深度合适，形成高度合适的光波导结构。
电光晶体薄膜制备方法电子元件

[发明专利]一种提高离子注入层均匀性的方法-CN202211677870.3在审
发明人：张涛;胡卉;胡文;连坤;董玉爽;王金翠 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种提高离子注入层均匀性的方法，通过调整离子注入设备的离子束与晶圆的夹角，来避免离子束与晶圆的晶格原子之间的间隙平行，从而可避免离子注入时产生沟道现象，确保了被注入的离子能够到达晶圆中的深度均匀，提高了晶圆离子注入层的均匀性。
一种提高离子注入均匀方法

[发明专利]一种复合薄膜及其制备方法-CN202310041547.5在审
发明人：王金翠;连坤;张涛;董玉爽;李慧青;胡卉;胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括衬底基板、第一隔离层、第二隔离层和功能薄膜层，所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述功能薄膜层自下而上依次层叠设置于所述衬底基板的表面，且所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质相同，所述第二隔离层的直径小于所述第一隔离层的直径。本申请会使得第一隔离层与第二隔离层之间的键合力更强，使衬底基板与功能基板所形成的键合体具有更好的键合效果，进而使得从键合体中剥离形成的复合薄膜具有更好的结构强度和稳定性。
一种复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种优化注入颗粒的复合薄膜及其制备方法-CN202211441449.2在审
发明人：张涛;胡卉;胡文;连坤;董玉爽;王金翠 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10N30/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化注入颗粒的复合薄膜及其制备方法，方法包括如下步骤：准备压电晶圆和衬底晶圆；将压电晶圆进行离子注入处理，在离子注入处理的全程利用粒子淋浴器产生的粒子束对离子束进行喷淋，粒子束在喷淋时与离子束形成夹角，得到包含薄膜层、分离层和余质层的压电晶圆注入片；将压电晶圆注入片与衬底晶圆进行键合，得到键合体；将键合体进行退火热处理，使得余质层与薄膜层分离，得到复合薄膜。本发明在离子注入工艺中引入粒子喷淋操作，利用与注入离子束形成一定夹角的粒子束来喷淋拦截颗粒，制备的复合薄膜的颗粒数最低可以降至300颗粒/片的水平，制备得到的复合薄膜表面均匀度大大提升，适用于大规模工业化的推广。
一种优化注入颗粒复合薄膜及其制备方法

[实用新型]一种晶圆承载装置-CN202222817026.8有效
发明人：张涛;胡文;胡卉;连坤;董玉爽;王金翠 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆承载装置，涉及晶圆加工设备领域，包括：承载座、第一限位部、第一支撑部、第二限位部和第二支撑部；通过设置第一限位部和第一支撑部、第二限位部和第二支撑部来形成不同直径的承载区域来承载不同规格的晶圆，从而提高了晶圆承载装置的适配性，解决了加工设备处理不同规格的晶圆时，需要更换晶圆承载装置的问题。
一种承载装置

[实用新型]一种矫正离子注入靶盘剂量差异的装置-CN202222408935.6有效
发明人：张涛;胡文;胡卉;连坤;王金翠;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本申请提供的一种矫正离子注入靶盘剂量差异的装置，所述装置包括：靶盘，所述靶盘上设置若干靶位，所述靶位用于设置晶圆；靶盘旋转驱动组件，设置在所述靶盘的一侧，输出轴驱动连接所述靶盘，以使所述靶盘旋转；若干晶圆驱动组件，固定设置在所述靶盘的一侧，位于对应靶位的背面且输出轴穿设在对应靶位中，以通过输出轴驱动晶圆旋转。本申请提供的矫正离子注入靶盘剂量差异的装置，使晶圆能够进行随靶盘公转的同时又能进行自转，进而通过控制转速矫正晶圆上离子注入剂量的差异，以便于保证晶圆各处离子注入剂量趋于均衡。
一种矫正离子注入剂量差异装置

[实用新型]晶圆承载装置-CN202221171825.6有效
发明人：冀菲;董玉爽;张秀全 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆承载装置，包括载具本体，所述载具本体内部贯穿设置有承载空腔，所述载具本体上表面设置有防护凸台和承载台，所述承载台位于所述防护凸台的内侧，所述防护凸台与所述载具本体下表面之间的高度差大于所述承载台与所述载具本体下表面之间的高度差，所述载具本体设置有送入口，所述送入口由所述载具本体上表面向下凹陷形成，所述送入口与所述载具本体下表面之间的高度差小于所述承载台与所述载具本体下表面之间的高度差。本申请中的晶圆承载装置能够避免在晶圆的工艺面上引入指印等新的缺陷，同时避免晶圆因侧边缘产生断裂等出现损坏的情况，能够方便的对晶圆进行多角度检测。
承载装置

[实用新型]不同尺寸晶圆键合定位装置及键合体-CN202022411429.3有效
发明人：张涛;张秀全;朱厚彬;韩智勇;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供了一种不同尺寸晶圆键合定位装置及键合体，其中所述定位装置包括：用于定位第一晶圆的第一定位盘和用于定位第二晶圆的第二定位盘；所述第一定位盘和第二定位盘为空心圆环，所述第二定位盘内环直径大于所述第一定位盘的内环直径；所述第一定位盘与所述第二定位盘叠层且同轴设置；所述第一定位盘和第二定位盘设置有平边结构或定位柱，所述平边结构用于与第一晶圆或第二晶圆的平边吻合，所述定位柱用于与第一晶圆或第二晶圆的V槽边吻合。采用前述的方案，利用同轴设置第一定位盘和第二定位盘可以准确的定位第一晶圆及第二晶圆，实现第一晶圆和第二晶圆的对齐，提高压键合体的质量。
不同尺寸晶圆键合定位装置合体

[实用新型]不同尺寸晶圆键合定位装置及键合体-CN202022411427.4有效
发明人：张涛;张秀全;朱厚彬;韩智勇;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请公开一种不同尺寸晶圆键合定位装置及键合体，其中定位装置包括：定位第一晶圆的第一定位机构和定位第二晶圆的第二定位机构；第一定位机构或第二定位机构包含定位晶圆平边的平边定位柱和定位晶圆圆边的圆边定位柱，圆边定位柱分别设置于平边定位柱中心线的两侧；或者，第一定位机构或者第二定位机构包含定位晶圆V槽边的V槽边定位柱和定位晶圆圆边的圆边定位柱，其中V槽边定位柱与晶圆V槽边吻合，圆边定位柱分别设置于V槽边定位柱中心线的两侧。采用前述的方案，利用定位装置实现第一晶圆和第二晶圆的对齐，使晶圆键合体能够完全利用到第一晶圆的特性，提高键合体的质量。
不同尺寸晶圆键合定位装置合体

[发明专利]不同尺寸晶圆键合定位装置，键合体及其制备方法-CN202011154997.8在审
发明人：张涛;张秀全;朱厚彬;韩智勇;董玉爽 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供了一种不同尺寸晶圆键合定位装置，键合体及其制备方法，其中所述定位装置包括：用于定位第一晶圆的第一定位盘和用于定位第二晶圆的第二定位盘；所述第一定位盘和第二定位盘为空心圆环，所述第二定位盘内环直径大于所述第一定位盘的内环直径；所述第一定位盘与所述第二定位盘叠层且同轴设置；所述第一定位盘和第二定位盘设置有平边结构或定位柱，所述平边结构用于与第一晶圆或第二晶圆的平边吻合，所述定位柱用于与第一晶圆或第二晶圆的V槽边吻合。采用前述的方案，利用同轴设置第一定位盘和第二定位盘可以准确的定位第一晶圆及第二晶圆，实现第一晶圆和第二晶圆的对齐，提高压键合体的质量。
不同尺寸晶圆键合定位装置合体及其制备方法

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