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[发明专利]一种具有双导通路径的可控硅器件-CN201010616002.5无效
发明人：苗萌;董树荣;李明亮;吴健;韩雁;马飞;宋波;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双导通路径的可控硅器件，包括P阱和N阱，在N阱与P阱之间跨设有一个N+注入区和一个Pbody区域。利用在N阱与P阱间跨接的N+注入区，实现可控硅触发电压的降低；通过N阱与P阱交界处的Pbody区域，实现可控硅表面电流路径与体内电流路径的分离。相比普通SCR结构电流更多的集中于器件表面，导通均匀性差的缺点，本发明的具有双导通路径的可控硅器件，结构简单、导通均匀性好、ESD效率高、鲁棒性好，适用于高压、功率电路的静电放电保护。
一种具有通路可控硅器件

[发明专利]一种可控硅器件-CN201010615666.X无效
发明人：苗萌;董树荣;李明亮;吴健;韩雁;马飞;宋波;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控硅器件，包括P型衬底，在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱，在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区，实现了触发电压值降低；通过P型衬底中添加电位浮空的第二N阱，实现了维持电压值的增加，从而达到一个低触发、高维持电压的目的。而且，本发明可控硅器件结构简单，单位面积版图效率高、电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。
一种可控硅器件

[发明专利]基于薄膜体声波谐振器的无线微小质量传感器网络节点-CN200910312219.4无效
发明人：程维维;韩雁;董树荣;赵士恒;张慧金;吴梦军;韩晓霞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G01G3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于薄膜体声波谐振器的无线微小质量传感器网络节点，它包括待测薄膜体声波谐振器传感器振荡电路、参考薄膜体声波谐振器传感器振荡电路、粗通道射频跟踪电路、精通道中频跟踪电路、可编程处理器电路、射频收发电路及天线。本发明将双路差分测量方法和双通道频率跟踪的控制原理相结合，并且通过可编程处理器电路实现对可变本地振荡器的闭环控制，一是实现了高精度、宽范围的微小质量实时测量，二是增加应用灵活性和适用范围，大幅度减小电路在恶劣环境应用中的测量误差。
基于薄膜声波谐振器无线微小质量传感器网络节点

[发明专利]FBAR滤波器及其组件-CN200910215358.5无效
发明人：张慧金;董树荣;赵士恒;程维维;韩雁;王伟;田洪波;王健 -专利权人：华为技术有限公司;浙江大学
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03H17/02 文献下载
摘要：本发明提供一种FBAR滤波器及其组件，其中FBAR滤波器包括输入端子、输出端子、n个串联模块和m个并联模块；所述n个串联模块串联连接，所述输入端子与第1个串联模块之间的结点、第n个串联模块与所述输出端子之间的结点以及所述第2个串联模块到第n-1个串联模块中相邻的2个串联模块之间的结点分别连接1个所述并联模块的一端，每个并联模块的另一端接地；每个所述串联模块和每个所述并联模块均包括x个并联的FBAR；x、m和n为正整数，x大于或等于2。本发明实施例提供的FBAR滤波器及其组件功率高，能够满足基站等无线设备对于FBAR滤波器功率的要求。
fbar 滤波器及其组件

[发明专利]一种用于射频集成电路静电放电防护的双向可控硅-CN201010522613.3无效
发明人：马飞;韩雁;董树荣;宋波;苗萌;李明亮;吴健;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于射频集成电路静电放电防护的双向可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有P阱以及位于P阱两侧的第一N阱和第二N阱；第一N阱上方从外到内依次设有通过浅壕沟隔离的第一N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区，第三N+注入区横跨第一N阱和P阱的交界处；第二N阱上方从外到内依次设有通过浅壕沟隔离的第二N+注入区、第二P+注入区和第四N+注入区，其中第四N+注入区横跨第二N阱和P阱的交界处；第三N+注入区和第四N+注入区之间P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。本发明双向可控硅利用NMOS源漏穿通辅助触发，开启电压和寄生电容小，鲁棒性能强，并可提供双向ESD防护。
一种用于射频集成电路静电放电防护双向可控硅

[发明专利]一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅-CN201010522594.4无效
发明人：马飞;韩雁;董树荣;宋波;苗萌;李明亮;吴健;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅，包括P型衬底，P型衬底上设有深N阱，深N阱内设有N阱以及位于N阱两侧的第一P阱和第二P阱；第一P阱上设有通过第一浅壕沟隔离的第一N+注入区和第一P+注入区，第一P+注入区位于内侧且横跨第一P阱和N阱的交界处；第二P阱上设有通过第二浅壕沟隔离的第二N+注入区和第二P+注入区，第二注入P+注入区位于内侧且横跨第二P阱和N阱的交界处；第一P+注入区和第二P+注入区之间的N阱表面覆有层叠的栅氧和多晶硅栅。本发明可控硅利用PMOS管辅助触发，开启电压小，结构简单，占用版图面积小，能提供双向电流路径，鲁棒性好，开启速度快。
一种 pmos 场效应晶体管辅助触发双向可控硅

[发明专利]一种静电放电防护器件-CN201010522615.2无效
发明人：马飞;韩雁;董树荣;宋波;苗萌;李明亮;吴健;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电防护器件，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有P阱，P阱上设有从内向外同心环列的圆形或环形的第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第二P+注入区、第六N+注入区以及第三P+注入区；第二N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区依次紧挨，第五N+注入区、第二P+注入区和第六N+注入区依次紧挨，第六N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离；第一N+注入区和第二N+注入区之间、第三N+注入区和第四N+注入区之间以及第四N+注入区和第五N+注入区之间的P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。本发明ESD防护器件利用衬底触发环形栅NMOS管，能有效改善多叉指GGNMOS的导通均匀性，具有面积小，电流均匀的优点。
一种静电放电防护器件

[发明专利]FBAR滤波器及其组件-CN201010571616.6无效
发明人： 董树荣;张慧金;吴梦军;程维维;金鹏程 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种FBAR滤波器及其组件。FBAR滤波器包括：输入端子、输出端子、n个串联模块和m个并联模块，输入端子、n个串联模块与输出端子两两之间的结点分别连接1个并联模块的一端，每个并联模块的另一端接地；每个串联模块和并联模块均包括x个并联连接的FBAR，x、m和n为自然数，x大于或等于2。FBAR滤波器组件依次包括：输入端子、第一匹配网络、由二个以上FBAR滤波器并联连接构成的FBAR滤波器组、第二匹配网络和输出端子。本发明的FBAR滤波器及其组件功率高，能够满足基站等无线设备对于FBAR滤波器功率的要求。
fbar 滤波器及其组件

[发明专利]多耦合型滤波器-CN200910194463.5有效
发明人： 董树荣;张慧金;赵士恒;程维维;韩雁;王伟;田洪波;王健 -专利权人：上海华为技术有限公司
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H03H9/46 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多耦合型滤波器，包括：至少两个相邻堆叠的耦合型滤波器，以及位于相邻两个耦合型滤波器之间的滤波器隔离层；滤波器隔离层包括相邻堆叠的两个布拉格层，且该两个布拉格层的反射方向背向，以实现相邻堆叠的耦合型滤波器之间信号的隔离从而使得多个耦合型滤波器堆叠在一起而不相互影响。
耦合滤波器

[发明专利]一种LTE系统上行功率的控制方法-CN201010531653.4无效
发明人：孙光照;曾国勇;王一雷;赵焕东;董树荣;周庆涛 -专利权人：杭州市电信规划设计院有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H04W52/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种LTE系统上行功率的控制方法，包括开环功率控制和闭环功率控制，所述的闭环功率控制包括：基站预先设定三个干扰门限IOT1、IOT2和IOT3，且周期性检测终端发出的干扰信号，其中IOT1＜IOT2＜IOT3，当干扰信号强度X大于IOT1，则基站发出反馈信号让该终端减小其上行功率，减小的幅度为ΔTdB，ΔT为与终端实时上行功率和与所在小区基站之间的距离相关的量。本发明方法闭环功率控制时，它减小上行功率的幅度是由终端到本小区和受干扰小区的路损差值以及上行功率超过的门限值确定，当上行功率对相邻小区有较大干扰时，该方法可以在较短时间内将上行功率调整到适当值，以满足传输要求。
一种 lte 系统上行功率控制方法

[发明专利]一种LTE系统干扰协调的方法-CN201010243116.X有效
发明人：曾国勇;孙光照;赵焕东;王一雷;周庆涛;董树荣 -专利权人：杭州市电信规划设计院有限公司
申请日： 2010-08-03 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H04W16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种LTE系统干扰协调的方法，将小区划分为中心区域和边缘区域，中心区域可以占用系统所有的频率资源，将边缘区域划分为六个边缘扇区，分别占用系统总频率资源的内的不同子频带。当某边缘扇区的频率出现饱和时，通过预定的优先级查找并调用本小区其他边缘扇区子频带的可用资源。本发明通过小区间相互协调的技术方案，降低小区间的干扰并且提高频谱利用率，同时，提高边缘用户性能及整个小区的吞吐量，并提高小区边缘用户的服务质量性能。
一种 lte 系统干扰协调方法

[发明专利]一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法-CN201010194042.5无效
发明人： 董树荣;吴梦军;张慧金;程维维;韩雁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法，包括以下步骤：(1)基于PMBVD模型将由薄膜体声波谐振器及其寄生电路构成的整体电路拆分成三个级联的二端口网络；(2)读取若干工作频率下整体电路的S参数并转换成对应的T参数，利用公式T2＝TT1-1T3-1计算得到相应工作频率下第二二端口网络的S参数S，确定S中S11和S12所有工作频率下的最小值以及相对应的工作频率wS和wP，(3)利用式(1)求得本征Q值；与现有其他方法相比，本发明的薄膜体声波谐振器本征Q值测量方法能将FBAR制造过程所引入的寄生参数的影响消除，得到精确的FBAR本征Q值以及准确的本征谐振频率。
一种测量薄膜声波谐振器方法

[发明专利]一种基于互补型SCR的静电放电防护电路-CN201010125977.8无效
发明人：李明亮;董树荣;韩雁;宋波;苗萌;马飞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于互补型SCR的静电放电防护电路，用于防护核心电路输入/输出端、正电源线、负电源线三者之间的静电放电，包括两端分别连接正电源线和负电源线的电源箝位单元、两个连接端子分别连接正电源线和核心电路的输入/输出端的PNPNP型双向SCR、两个连接端子分别连接负电源线和核心电路的输入/输出端的NPNPN型双向SCR。该互补型SCR防护方案利用电源箝位单元作为辅助触发单元，可以实现低触发电压的静电放电防护，对内部核心电路起到可靠的静电放电防护。
一种基于互补 scr 静电放电防护电路

[发明专利]一种NMOS管辅助触发的可控硅电路-CN201010130833.1无效
发明人：宋波;韩雁;董树荣;马飞;黄大海;李明亮;苗萌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NMOS管辅助触发的可控硅电路，用于核心电路的ESD防护，包括内嵌NMOS管的可控硅以及由NMOS管和PMOS管组成的反相器；反相器的输入端接核心电路的VDD电源线。在ESD情况下，由于本发明电路内嵌的NMOS能够导通，可以提供大的电流，从而触发可控硅，因此内嵌的NMOS管的尺寸可以做的比较小。这样该防护电路不仅能够在较低的电压下触发泄放静电，也能在电路正常工作时具有小的漏电。
一种 nmos 辅助触发可控硅电路

[发明专利]一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管-CN201010130843.5无效
发明人：宋波;韩雁;董树荣;马飞;黄大海;李明亮;苗萌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管，用于核心电路的ESD防护，由漏极连接核心电路的输入出端，源极和衬底直接接地，栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联，漏极连接GCNMOS管的栅极，源极和衬底接地，栅极连接核心电路的VDD电源线的NMOS管组成。本发明通过在栅上加一个小的NMOS，用VDD作为该NMOS的控制信号，既能使得多叉指GGNMOS均匀开启，提高器件的鲁棒性，同时解决了GCNMOS结构不能用于较高信号频率的输入端的保护问题。使得这种简单有效的ESD防护方案的适应范围得到有效的拓展。
一种动态栅极电阻调制耦合 nmos