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[发明专利]成膜方法-CN201880006036.7有效
发明人：室谷裕志;堀口由纪夫;菅原卓哉 -专利权人：学校法人东海大学;株式会社新柯隆
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供一种机械强度高、折射率低的表面层的成膜方法。在基板(S)的表面重复下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜，上述工序为：通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序；和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序。
方法

[发明专利]溅射成膜装置及其溅射成膜方法、化合物薄膜-CN201910129730.4在审
发明人：长江亦周;稻濑阳介;菅原卓哉 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种溅射成膜装置，包括：具有排气机构的真空容器；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部并且在空间上相互分离的溅射区域和反应区域；所述溅射区域被配置为通过溅射靶材在基板上形成溅射物质；所述反应区域被配置为导入两种以上的反应气体并在该反应区域生成等离子体；所述反应区域通过等离子体中的离子与所述溅射物质相互作用形成含有至少四种元素的化合物薄膜。该溅射成膜装置便于形成期望材料的薄膜，并在形成四种元素以上的化合物薄膜时，并不受化合物材料的限制，同时成膜效率较快，具有非常良好的应用价值。
溅射装置及其方法化合物薄膜

[发明专利]成膜装置-CN201710228584.1有效
发明人：长江亦周;菅原卓哉;青山贵昭 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；与所述真空容器内部连通的排气机构；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射粒子到达所述基板；位于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开；所述隔离单元被配置为将所述成膜区域与所述成膜区域的外部连通。
装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201510711369.8有效
发明人：石田将崇;林达也;菅原卓哉;我妻伸哉;宫内充祐;姜友松;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。
方法装置

[发明专利]等离子体源机构及薄膜形成装置-CN201810265405.6在审
发明人： 菅原卓哉;宫内充祐;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体源机构及薄膜形成装置，其中，所述等离子源机构能够适用于具有真空槽的薄膜形成装置；所述等离子体源机构包括：安装于所述真空槽外的壳体；位于所述壳体内的天线组件，其经由电介质部配置在所述真空槽外；所述天线组件包括多个天线部；各个所述天线部具有单独的被施加高频电力的连接部；任一所述天线部所在区域与其他所述天线部所在区域无重叠区域。本发明提供的等离子体源机构及薄膜形成装置能够扩大ICP放电范围。
等离子体源机构薄膜形成装置天线部真空槽所在区域天线组件等离子源电介质部高频电力无重叠放电壳体施加体内配置

[发明专利]微针涂敷用组合物及微针装置-CN201480008787.4有效
发明人： 菅原卓哉;町田一哉 -专利权人：久光制药株式会社
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： A61K47/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种微针涂敷用组合物，其含有生理活性物质(除了日本脑炎疫苗抗原以外)、碱性氨基酸和酸，在将酸的价数设为N时，相对于碱性氨基酸1摩尔，酸的摩尔数大于1/(N+1)且小于2。
微针涂敷用组合装置

[实用新型]成膜装置-CN201720367394.3有效
发明人：长江亦周;菅原卓哉;青山贵昭 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开一种成膜装置，该成膜装置包括真空容器；与所述真空容器内部连通的排气机构；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；位于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开；所述隔离单元被配置为将所述成膜区域与所述成膜区域的外部连通。
装置

[实用新型]成膜装置-CN201520843493.5有效
发明人：石田将崇;林达也;菅原卓哉;我妻伸哉;宫内充祐;姜友松;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型提供成膜装置。成膜装置具有：具有排气系统的真空容器；成膜区域，其形成于真空容器内；反应区域，其形成于真空容器内，并与成膜区域在空间上分离；阴极电极，其搭载靶材；溅射电源，其使面对靶材的被溅射面的成膜区域内产生溅射放电；等离子体产生单元，其使反应区域内产生通过在成膜区域内发生的溅射放电而形成的溅射等离子体之外的其他等离子体；将多个基板保持在外周面上的基板保持器；和使基板保持器旋转的驱动单元，借助驱动单元使基板保持器旋转，使基板在成膜区域内的规定的位置与反应区域内的规定的位置之间反复移动，成膜装置还具备：基板电极，其从背面搭载由基板保持器保持的基板；和偏置电源，其向基板电极供给电力。
装置

[发明专利]薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法-CN201280019492.8在审
发明人：宫内充祐;村田尊则;菅原卓哉;盐野一郎;姜友松;林达也;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法，所述薄膜形成装置、溅射阴极及薄膜形成方法能够在大型基板上以高成膜速率形成光学多层膜。一种薄膜形成装置1，其中，在真空槽21内，利用溅射在基板43上形成金属化合物的薄膜。真空槽21内具备由金属或具有导电性的金属化合物构成的靶材63a、b和活性种源，所述活性种源按照在电磁性及压力方面与靶材63a、b相互影响的方式而设置、并且可生成反应性气体的活性种。活性种源具备供给反应性气体的气体源76、77和将能量供给至真空槽内从而将反应性气体激发为等离子体状态的能量源80。能量源80在与真空槽21之间具备用于将能量供给至真空槽21内的电介质窗，该电介质窗按照与基板43平行、或以相对于基板43呈小于90°的角度向靶材63a、b侧倾斜的方式配置。
薄膜形成装置溅射阴极以及方法

[发明专利]透光性硬质薄膜-CN201280000487.2有效
发明人： 菅原卓哉;青岛光;姜友松;盐野一郎 -专利权人：新柯隆株式会社
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种透过率和膜强度高的透光性硬质薄膜。本发明的透光性硬质薄膜由形成于基板(S)表面的层叠膜(102)构成，层叠膜(102)具有将SiO2层(104)和SiC层(106)交替地层叠多个而成的超晶格结构，整体膜厚为3000nm以上。各层(104、106)的每一层的膜厚为，SiO2层：5～30nm，SiC层：SiO2层的30～60％。
透光硬质薄膜

[发明专利]碳化硅薄膜的成膜方法-CN201180019967.9有效
发明人： 菅原卓哉;青岛光;姜友松;盐野一郎;长江亦周 -专利权人：新柯隆株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，该成膜方法能够以短时间、且安全地提供透过率和膜强度高、可用于光学用途的碳化硅薄膜，并且即使对于耐热性低的基板也能够有效地形成该薄膜。本发明的方法使用成膜装置(1)在移动中的基板(S)上形成碳化硅的薄膜，该成膜装置(1)构成为在真空容器(11)内将反应工序区域(60)和成膜工序区域(20、40)各自在空间上分离配置，并能够独立地控制各区域(20、40、60)的处理。首先，在惰性气体的气体氛围下，在区域(20)对硅靶材(29a、29b)进行溅射，并且在区域40对碳靶材(49a、49b)进行溅射。由此，在基板(S)上形成含有硅和碳的中间薄膜。接着，在区域(60)使中间薄膜暴露在惰性气体和氢的混合气体的气体氛围下产生的等离子中，使该中间薄膜变换为超薄膜。此后，对超薄膜反复进行中间薄膜的形成和向超薄膜的膜变换。
碳化硅薄膜方法

[发明专利]滤光器的制造方法-CN200980134065.2有效
发明人：塩野一郎;佐藤寿彦;富樫靖久;姜友松;菅原卓哉 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供一种滤光器的制造方法，该制造方法通过在薄膜形成前除去因清洗而附着于基板表面的异物来制造具有良好膜质的滤光器。通过进行使用含有水分的溶液对基板S进行清洗的清洗工序P1、利用氧气的等离子体对经清洗工序P1进行清洗的基板S的表面进行等离子体处理的前处理工序P3、以及在经前处理工序P3进行了等离子体处理的基板S的表面形成薄膜的薄膜形成工序(P4、P5)，能够有效除去附着在基板表面的异物。另外，在前处理工序P3中，向产生等离子体的区域仅导入氧气，且使所导入的氧气流量多于在薄膜形成工序中所导入的氧气流量，从而在薄膜形成工序(P4、P5)之前有效去除在清洗工序中通过OH基键附着在基板S表面的异物、防止脱膜部的发生。
滤光制造方法

[发明专利]成膜方法-CN200980100663.8有效
发明人：盐野一郎;长江亦周;姜友松;菅原卓哉 -专利权人：新柯隆株式会社
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明的成膜方法具有：对基板(101)的表面照射具有能量的粒子的第一照射工序；使用干式法在所述第一照射工序后的基板(101)的表面成膜第一膜(103)的第一成膜工序；在第一膜(103)的表面成膜具有防油性的第二膜(105)的第二成膜工序。根据该发明，能够提供可以制造具有防油性膜的防油性基材的成膜方法，其中的防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。
方法

[发明专利]成膜方法以及防油性基材-CN200980100652.X有效
发明人：盐野一郎;长江亦周;姜友松;菅原卓哉 -专利权人：新柯隆株式会社
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，该成膜方法具有：在基板(101)的表面成膜硬度比基板(101)的硬度高的第一膜(103)的第一成膜工序；对第一膜(103)照射具有能量的粒子的第一照射工序；在第一照射工序后的第一膜(103)的表面成膜防油性膜(105)的第二成膜工序。根据该发明提供的成膜方法，能够制造具有防油性膜的防油性基材，该防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。
方法以及油性基材

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