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[发明专利]一种高亮度倒装LED芯片及其制作方法-CN201810874351.3有效
发明人： 范凯平 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片，包括发光结构，设于第一孔洞侧壁和第一裸露区域侧壁上的绝缘层，设于绝缘层表面、第二半导体层表面、第一半导体层表面和侧壁以及衬底表面上的ITO层，其中，第一半导体层上的ITO层和绝缘层上的ITO层断开，设于ITO层上的金属反射层，设于金属反射层上的DBR层，贯穿DBR层并设置在金属反射层上的第一电极和第二电极，第一电极位于第一孔洞，第二电极位于第二半导体层的上方，第一电极和第二电极相互绝缘。本发明的倒装LED芯片能够实现全方位出光反射，提高芯片的出光效率，增加芯片的轴向出光。相应地，本发明还提供了一种高亮度LED芯片的制作方法。
一种亮度倒装 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法-CN202211645331.1在审
发明人：唐恝;范凯平;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法，涉及湿法蚀刻技术领域，包括承载架、机械手、水浴加热模块、蚀刻槽和清洗槽，水浴加热模块包围蚀刻槽，蚀刻槽包围清洗槽；机械手用于控制承载架在蚀刻槽中运动；水浴加热模块用于控制蚀刻槽的温度；蚀刻槽为环形结构或回形结构，蚀刻槽的底部设置有若干进气孔；清洗槽用于清洗蚀刻后的晶圆片。本发明通过机械手控制承载架在蚀刻槽中运动、以及通过在刻蚀槽中设置进气孔通气，提高化学药液体系的温度均匀性、减小化学药液局部温度的波动，通过水浴加热模块对蚀刻槽进行温度控制，减少环境温度变化对化学药液温度的影响，最终保持蚀刻速率稳定，获得良好的蚀刻效果。
一种湿法蚀刻装置方法

[发明专利]一种LED车灯光源及其制作方法-CN202310195192.5有效
发明人：徐亮;范凯平;李军政;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED车灯光源及其制作方法，涉及车灯技术领域，包括以下步骤：在绝缘基板上沉积若干层金属布线层；在若干层金属布线层之间沉积绝缘材料形成若干层绝缘膜层；在每一层金属布线层中若干个导电电极的上方刻蚀形成若干个孔道；在若干个孔道中沉积导电材料形成若干个导电柱；将若干LED芯片固定到预设区域的导电柱上，若干LED芯片按照A×B矩阵布置，形成LED芯片矩阵，A为行数，B为列数，A和B为大于0的自然。本发明通过在绝缘基板上制作密集的线路，形成高密度的LED芯片矩阵，缩小LED芯片之间的间隙，提高LED芯片的排布密度，增强车灯的亮度。
一种 led 车灯光源及其制作方法

[实用新型]一种蒸镀锅机构及蒸镀设备-CN202223297982.4有效
发明人： 范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蒸镀锅机构及蒸镀设备，蒸镀锅机构包括主架和至少一个蒸镀锅，蒸镀锅设置在主架上；蒸镀锅包括若干个晶圆安装部，晶圆安装部包括固定片位板、活动片位板和活动插销；固定片位板设置在蒸镀锅上，活动片位板的一端铰接在固定片位板的一端上，活动插销铰接在固定片位板的另一端上；活动片位板的正面上设置晶圆片安装槽位，活动片位板的背面上设置有若干个卡位，活动插销的另一端插接在卡位上。该蒸镀设备设置有所述蒸镀锅机构和可移动的镀源装置，通过活动插销调整固定片位板和活动片位板之间的角度，从而调整各个晶圆片的蒸镀角度，配合可以来回移动的镀源装置，提高各个晶圆片的蒸镀均匀性，提高蒸镀效果。
一种蒸镀锅机构设备

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202111021595.5有效
发明人： 范凯平;旷明胜;唐恝;何俊聪;徐亮;易翰翔 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至衬底的第一孔道；以第二光刻胶为掩膜，同时形成电离扩展层和贯穿至N‑GaN层的第二孔道；形成钝化层；以第三光刻胶为掩膜，同时形成侧壁保护结构、反射镜层和金属保护层；形成第一绝缘层；刻蚀形成第三孔道和第四孔道；形成第一电极、第二电极；形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一焊盘层和第二焊盘层，研磨减薄后沿第一孔道劈裂，即得到倒装LED芯片成品。实施本发明，可大幅缩短制程工艺时间，提升工艺效率。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202310081658.9在审
发明人：邓梓阳;范凯平;唐恝;卢淑欣;何俊聪;姚晓薇;梁院廷 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，所述金属粘附层包括第一子金属粘附层和第二子金属粘附层；所述第一子金属粘附层设置在所述第一子钝化层上，所述反射层设置在所述第一子金属粘附层上，所述第二子金属粘附层设置在所述反射层上，所述第二子钝化层设置在所述第二子金属粘附层上。本发明通过在钝化层和反射层之间设置金属粘附层，增强钝化层和反射层之间的粘附强度，避免出现间隙，降低倒装LED芯片产品在固晶回流焊过程中的鼓泡率。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[实用新型]一种手动式晶片下蜡装置-CN202223285945.1有效
发明人：卢淑欣;范凯平;唐恝;姚晓薇;邓梓阳;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手动式晶片下蜡装置，涉及晶片下蜡装置技术领域，包括握持部、托底部和若干吸盘，所述握持部固定设置在所述托底部的上面，若干所述吸盘固定设置在所述托底部的下面；所述握持部为弹性结构，所述弹性结构内部设置有第一空腔，所述托底部的内部设置有第二空腔，所述第一空腔和所述第二空腔连通；任一所述吸盘与所述第二空腔连通。本实用新型在蜡熔化后，通过挤压握持部内的空腔形成负压，配合吸盘吸住晶片的背面后将晶片卸下，然后再次挤压握持部就可放下晶片，操作简单，降低了破片率，且避免直接接触晶片正面，减少对电路的损伤。
一种手动式晶片装置

[发明专利]一种晶圆片清洗系统-CN202211575591.6在审
发明人： 范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B08B3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片清洗系统，涉及半导体清洗技术领域，包括加热系统、液体循环系统、晶圆片放置装置、过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统，其中：加热系统包括加热模块和清洗槽，清洗槽位于加热模块中间，清洗槽中设置有液体循环系统，晶圆片放置装置、过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统沿着液体流动方向依次设置在液体循环系统中；加热模块用于控制液体的温度；液体循环系统用于控制液体的流速和液体的超声振动频率；晶圆片放置装置用于置入晶圆片，过滤网筛系统用于除去颗粒物杂质，分子透析系统用于除去分子杂质，电场吸附系统用于除去带电粒子杂质。本发明能防止杂质回粘到晶圆片上，清洗效果好。
一种晶圆片清洗系统

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202211646771.9在审
发明人： 范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片，涉及半导体技术领域，包括衬底、外延结构和光反射结构；外延结构设置有若干第一开口，暴露P‑GaN层、MQW层和N‑GaN层的侧壁；沿着第一开口依次设置侧壁保护层、一次钝化层和侧壁反射层；侧壁保护层包括若干层叠设置的绝缘膜层，形成布拉格反射镜；侧壁反射层包括侧壁金属黏附层和侧壁Ag反射层，侧壁金属黏附层设置在一次钝化层上，侧壁Ag反射层设置在侧壁金属黏附层上；侧壁反射层与N‑GaN层相接，与光反射结构在衬底上的投影部分重叠。本发明通过层叠成布拉格反射镜的侧壁保护层联合侧壁反射层，将侧壁的出射光反射至衬底射出，显著提高出光效率和亮度。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种抗水解LED芯片的制作方法-CN202211330862.1在审
发明人：邓梓阳;范凯平;陆绍坚;朱娟利 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗水解LED芯片的制作方法，涉及发光二极管技术领域，包括以下步骤：获取一外延片，在所述外延片上依次形成透明导电层、电极层和钝化层；用O2辅助CF4气体对所述钝化层的表面进行改性腐蚀，形成疏水钝化层；对所述疏水钝化层进行光刻、蚀刻开孔暴露出电极层。本发明的制作方法通过先对钝化层改性腐蚀再开孔暴露电极层的方式避免因改性腐蚀影响电极层造成LED芯片后续焊线不良，也避免了因引入光刻胶后去胶不干净而影响钝化层表面的疏水改性效果；通过用O2辅助CF4气体对钝化层进行改性腐蚀，减少了CF4气体的消耗并增强了疏水效果。
一种水解 led 芯片制作方法

[发明专利]一种低空洞率LED芯片的制作方法-CN202211283776.X在审
发明人： 范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种低空洞率LED芯片的制作方法，涉及发光二极管技术领域，包括以下步骤：在外延片上按照LED芯片工艺流程制作绝缘膜层和金属膜层；在每一层绝缘膜层成型之后，将所对应的绝缘膜层连同外延片浸入绝缘体纳米粒子流体中进行加热及超声震荡处理；然后将其取出进行清洗，并置于N2气氛中进行高温退火处理；在制作每一层金属膜层时，采用单个合金材料锭作为单个材料源进行蒸镀，或采用多个金属单质材料锭作为多个材料源同时进行蒸镀形成所述每一层金属膜层。本发明的方法通过将绝缘膜层浸入纳米粒子流体中加热、超声震荡并高温退火处理，降低了膜层空洞率；通过特殊的PVD工艺制成金属膜层，降低了膜层空洞率。
一种空洞 led 芯片制作方法

[发明专利]一种LED芯片及制备方法-CN202211315956.1在审
发明人：唐恝;范凯平;邓梓阳;何俊聪;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及制备方法，LED芯片包括衬底、发光结构层、P型导电层和N型导电层，P型导电层与N型导电层互不接触；P型导电层与N型导电层相向延伸形成相互配合的叉指结构；发光结构层包括N型氮化镓层，N型氮化镓层的部分裸露在发光结构的四周；N型导电层沿发光结构层的倾斜侧壁与N型氮化镓层连接；发光结构层设置有若干个N型通孔，N型导电层基于N型通孔与N型氮化镓层电性连接。LED芯片通过设置叉指状结构的导电层，使得N型通孔均匀分布，有效提高芯片散热效率，通过设置倾斜侧壁结构，改善N型氮化镓层四周电流分布，降低N型导电层和N型氮化镓层之间连接位置的电流电压，提高LED的出光效率。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制备方法-CN202211245987.4在审
发明人： 范凯平;唐恝;邓梓阳;何俊聪;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，涉及发光半导体技术领域，高亮度LED芯片包括P型GaN层、ITO金属复合结构和Ag反射层，通过在P型GaN层上沉积ITO层，然后采用湿法或干法刻蚀ITO层，在ITO层上形成若干个凹坑结构，接着在凹坑结构中沉积满金属粒子形成ITO金属复合结构，ITO金属复合结构包括ITO层和镶嵌在ITO层中的若干个金属块；最后在所述ITO金属复合结构上沉积Ag镜反射层。本发明通过在ITO层中嵌入金属块形成ITO金属复合结构，电流在该结构中能充分横向扩展，最后分散地进入P型GaN层，避免芯片内局部电流集中，降低了芯片的工作电压，获得高亮度。
一种亮度 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种高稳定性倒装LED芯片及其制备方法-CN202210467157.X在审
发明人：唐恝;旷明胜;范凯平;何俊聪;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至N‑GaN层的第一孔道，继续刻蚀形成贯穿至衬底的第二孔道；依次形成电流扩展层、钝化保护层、金属反射层、金属导电层、第一绝缘层、N电极层、第二绝缘层和焊盘层，研磨减薄后劈裂，即得高稳定性倒装LED芯片。实施本发明，可提升芯片良率和稳定性。
一种稳定性倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种集成式微型LED芯片及其制作方法-CN202111134376.8在审
发明人： 范凯平;徐亮;易瀚翔;靳彩霞;李程;李瑞迪;黎银英 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成式微型LED芯片及其制作方法，包括基板、发光层、金属连接层和封装层，所述发光层包括量子点层和发光件，所述金属连接层包括焊点层，所述发光件包括第一电极和第二电极，所述量子点层与所述发光件对应设置，所述焊点层包括第一焊点区和第二焊点区，所述第一焊点区与所有所述发光件中的第一电极形成电连接，所述第二焊点区分别与单个所述发光件中的第二电极形成电连接。本发明能够直接封装在线路板上，免封装制程，整体加工成本低，同时能够解决Micro LED在传统固晶工艺中容易出现的滑晶、跑晶、转晶等难题；还能够凸显亮区和暗区的对比，提高黑占比和锐度，同时提高了巨量转移的转移效率和良率。
一种集成式微 led 芯片及其制作方法

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