“苗光辉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种空压机水冷降温装置-CN202320976459.X有效
发明人：李坦;曹辉;吴春龙;武胜;张健;卜云龙;王合义;杨翠柳;苗光辉;李红梅 -专利权人：深州冀衡药业有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： F04B39/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空压机水冷降温装置，包括用于装配在散热风扇进风端的基座、装配在基座上的水平盘管、通过管路与水平盘管连通的循环水泵以及通过管路与水平盘管连通的制冷机，所述水平盘管、循环水泵和制冷机依次连通组成降温回路；所述基座包括方形框架、用于将方形框架装配在散热风扇上的安装部以及十字交叉嵌合在方形框架内的支撑杆。本实用新型适合在需要对空压机油路进行快速降温时使用，能够方便的安装在空压机的散热风扇上，作为一个额外的降温装置辅助散热风扇快速降低空压机油路的温度。
一种空压机水冷降温装置

[实用新型]一种减少放料粉尘污染的混料罐-CN202320977537.8有效
发明人：李坦;曹辉;吴春龙;王合义;卜云龙;张晶晶;苗光辉;李红梅;张栓宝;李步宇 -专利权人：深州冀衡药业有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01F27/90 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种减少放料粉尘污染的混料罐，包括罐体和搅拌装置，放料口上还设有与中转料斗进料口连接的密封连接装置；密封连接装置包括外密封罩和内防尘罩，外密封罩的一端设于混料罐的放料口上，另一端用于连接中转料斗的进料口；内防尘罩的一端固设于外密封罩的内壁上，另一端伸向中转料斗的进料口内；外密封罩和内防尘罩均为柔性形变材质，内防尘罩伸向中转料斗进料口的一端固设有支撑圈，支撑圈围绕内防尘罩的端口环绕一圈设置，支撑圈的直径大于进料口的直径，支撑圈为弹性形变材质。本实用新型密封性好，防止在转料过程中粉尘扩散到环境中，既避免了物料的浪费，也保证了工作环境的洁净度，适用于转料时，密封两个分离的料口。
一种减少粉尘污染混料罐

[发明专利]设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法-CN202310613273.2在审
发明人：白春江;田露;何鋆;崔万照;辜文婷;苗光辉;胡天存 -专利权人：北京信息科技大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线；S3、基于工作频率以及规则阵列矩形槽结构的尺寸计算表面阻抗；S4、将规则阵列矩形槽结构的尺寸看做种群中的个体，计算每个微粒的适应度值，获取最优矩形槽阵列结构尺寸组合。所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
设计最优二次电子发射系数矩形阵列结构尺寸方法

[发明专利]一种基于石墨烯转移的电子轰击诱发释气抑制方法-CN202310628627.0在审
发明人：封国宝;李韵;李小军;宋新刚;李琪;苗光辉;李亚峰 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种基于石墨烯转移的电子轰击诱发释气抑制方法，首先，对一致性较好、缺陷少的铜基石墨烯样品采用PMMA(聚甲基丙稀酸甲酯)旋涂的方式制备石墨烯柔性聚合物载体，通过对石墨烯附着在载体上的质量进行表征，优化PMMA旋涂工艺；然后采用氯化铁溶液对铜基进行刻蚀以获得只含有石墨烯的柔性载体；在经过转移目标微波材料的表面活化后，通过旋转并加热的辅助方式对石墨烯进行转移，以获得质量较好的石墨烯修饰微波材料表面；最后，通过XRD和拉曼光谱测量表征转移石墨烯质量后，在电子轰击诱发释气的测试设备中获得表面修饰对释气的改善情况。
一种基于石墨转移电子轰击诱发抑制方法

[发明专利]一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺-CN202310639832.7在审
发明人： 苗光辉;白春江;王婷婷;何鋆;封国宝;王琪;杨晶 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺，包括在星载微波部件表面先后以原子层沉积方式制备目标厚度的氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，所述氮化钛薄膜的目标厚度为15～20nm；所述无定形碳薄膜的目标厚度为5～8nm。在星载微波部件表面先后沉积氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，能够实现微波部件表面微放电效应的抑制，并具有强的膜基结合力、良好的表面抗氧化性、复杂微波部件表面保形性和优异的电学特性。
一种抑制微波部件放电效应薄膜沉积工艺

[发明专利]一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法-CN202110697294.8有效
发明人：何鋆;白春江;苗光辉;胡天存;张恒;黄浩;陈国宇 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
一种二次电子发射系数及其制备方法

[发明专利]一种介质二次电子发射产额的测量方法-CN201911378479.1有效
发明人：封国宝;王琪;杨晶;苗光辉;谢桂柏;何鋆;崔万照 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
一种介质二次电子发射测量方法

[发明专利]一种基于三维微结构降低二次电子发射的方法-CN202110662115.7有效
发明人：李韵;谢贵柏;苗光辉;王君峰;李小军;李斌 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三维微结构降低二次电子发射的方法，包括：确定微波部件中沿电磁场传输通道方向的待降低二次电子发射表面；确定三维深度微结构加载区域；采用金属丝构成相交且尾端位于同一平面上的簇形结构；将簇形结构周期性首尾相连，两两编织，构成微结构单元；采用3D打印工艺，在三维深度微结构加载区域逐层加工制备微结构单元，形成三维深度微结构。本发明通过三维堆叠金属丝材料，在空间中形成三维深度微结构，实现二次电子发射的强抑制；同时在电磁场传输通道中控制微结构单元的表面投影尺寸大小，最小化对电性能的影响，最终实现不影响电性能的二次电子发射强抑制的三维深度微结构，具有物理结构稳定、与器件结合度优异等优点。
一种基于三维微结构降低二次电子发射方法

[发明专利]一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面的方法-CN202211177005.2在审
发明人：封国宝;李韵;李小军;杨晶;苗光辉;李亚峰;张恒 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面的方法，在设定的真空度环境下，包括：将样品底部连接示波器，判定不同能量电子辐照下样品表面是否发生放电，确定电子辐照门限值；采用原位Ar+离子刻蚀的方法对样品表面的断层剖面进行刻蚀，并标定刻蚀速率；选择辐照条件超过电子辐照门限值，对样品进行辐照；然后对样品表面进行逐步刻蚀，采用XPS获得不同刻蚀深度剖面的表面结合能谱。本发明所提出的原位成键态剖面的测试方法，极大的突破了电子辐照放电后原位表征的限制，能获得前所未有的测试结果。
一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面方法

[发明专利]一种基于扫描电子显微镜平台的二次电子产额测试方法-CN202211288248.3在审
发明人：张娜;苗光辉;胡斐;崔万照;王瑞;陈泽煜 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：一种基于扫描电子显微镜平台的二次电子产额测试方法，借助已有扫描电子显微镜及法拉第杯，将原来用于聚焦扫描的电子束进行过聚焦后再散斑，得到所需二次电子产额的电子束照射面积，在该照射面积下测试待测样品上的电流，同时在保证扫描电子枪处于相同聚焦参数下通过法拉第杯测试入射电子电流，通过两次测试电流的简单计算即可得到该电子束能量下的二次电子产额。该方法实现了二次电子产额的简便、快捷、可靠的测试，其不仅对于二次电子发射领域的相关研究如空间微波部件微放电效应、电子倍增管性能优化、介质窗微波击穿等具有重要意义，也是对现有测试方法的有效补充。
一种基于扫描电子显微镜平台二次电子测试方法

[发明专利]一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法-CN202211203577.3在审
发明人：李韵;李小军;封国宝;李斌;苗光辉;高妍 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定随机点阵二次电子发射系数的方法，包括：建立点阵空间结构三维位置模型；确定标准入射电子集；计算得到初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0的N个入射电子入射到点阵空间结构三维位置模型时产生的二次电子的数量；计算得到点阵空间结构三维位置模型在初始入射能量为E0、初始入射角度为θ0时的二次电子发射系数；获取实验得到的二次电子发射系数实验值，并确定修正系数；改变入射电子的初始入射能量和初始入射角度，计算得到点阵空间结构三维位置模型在不同初始入射能量Ek、不同初始入射角度θk时的二次电子发射系数并进行修正后输出。本发明实现了3D打印随机点阵二次电子发射系数的确定，具有物理结构稳定、与器件结合度优异的优势。
一种确定随机点阵二次电子发射系数方法

[发明专利]一种基于石英材料的双模介质滤波器-CN202211188643.4在审
发明人： 苗光辉;崔万照;何鋆;李韵;封国宝;高玉龙;王君峰 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：一种基于石英材料的双模介质滤波器，具有单模工作带宽很宽，横跨整个X频段，Q值高等特点，利用TE11模实现单腔双模，侧壁耦合介质单窗实现M23与M14的耦合。该介质谐振器的介电常数为3.8±0.1，正切损耗角为0.0002。设计圆柱形谐振器，该形状的谐振器谐振频率为11.82GHz、单模工作带宽大于4GHZ、Q值大于10000。设计的滤波器通带为11.78GHz～11.82GHz，通带内最大插损小于0.5dB，回波损耗大于17dB，体积为同指标金属滤波器的35％，具有高Q值、低插损、小型化和高隔离等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
一种基于石英材料双模介质滤波器

[发明专利]一种微波载荷低气压放电空间电位的轻量化确定方法-CN202210910141.1在审
发明人：封国宝;李韵;李小军;李军;李琪;苗光辉;李亚峰 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波载荷低气压放电空间电位的轻量化确定方法：定义任一空间直角坐标系作为放电空间坐标系，获得微波载荷低气压放电空间的电荷分布；考虑空间电荷位置在电场和磁场推进下的动态变化，解算瞬时变化后微波载荷低气压放电空间的空间电荷分布；将瞬时变化后微波载荷低气压放电空间的所有电荷进行三维线性单元网格化归，得到空间网格电荷分布；采用高斯定理获得每一个网格点上元电荷的空间电位形式，将单元网格划归的空间网格电荷分布与空间元电荷的电位数据进行对应乘积叠加，获得所有电荷合成后的空间电位；对放电空间坐标系三个坐标轴方向的电位差分，获得空间电荷场分布。
一种微波载荷气压放电空间电位量化确定方法

[发明专利]一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法-CN202010495917.9有效
发明人：何鋆;王琪;封国宝;杨晶;苗光辉;白春江;崔万照 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
一种降低表面高能二次电子发射系数方法

[发明专利]一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法-CN202110564970.4在审
发明人：封国宝;李小军;李琪;李韵;王琪;杨晶;苗光辉 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
一种基于第一性原理二次电子计算方法

1
2
下一页»
尾页
共 23 条