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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成外延与预清洁系统-CN201880056028.3有效
发明人：劳拉·哈夫雷查克;舒伯特·S·楚;图沙尔·曼德雷卡尔;埃罗尔·C·桑切斯;劳建邦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请案的实施方式大体上涉及耦接到至少一个气相外延腔室的转移腔室及耦接至转移腔室的等离子体氧化物移除腔室，等离子体氧化物移除腔室包括具有混合腔室及气体分配器的盖组件；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第一气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第二气体入口；穿过盖组件的一部分形成并与混合腔室流体连通的第三气体入口；及具有基板支撑表面的基板支撑件；升降构件，所述升降构件设置在基板支撑表面的凹槽中且经由基板支撑件耦接至升降致动器；及耦接至传送腔室的装载锁定腔室。
集成外延清洁系统

[发明专利]EPI中的多区域点加热-CN201880069406.1有效
发明人：刘树坤;科吉·纳卡尼施;中川俊行;朱作明;叶祉渊;约瑟夫·M·拉内什;尼欧·谬;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;舒伯特·S·楚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热处理腔室。热处理腔室包括基板支撑件、设置在基板支撑件上方或下方的第一多个加热元件、和设置在基板支撑件上方的点加热模块。点加热模块用于在处理期间对设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善了温度分布，这进而改善了沉积均匀性。
epi 中的区域加热

[发明专利]用于在低于7纳米CMOS制造中控制砷脱气的紫外线辐射系统与方法-CN201780050599.1有效
发明人：春·燕;鲍新宇;仲华;舒伯特·S·楚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文公开的实施方式涉及用于在外延处理之后，控制有害气体的基板脱气的方法。在一个实施方式中，方法包含将包含外延层的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室的顶板的紫外线(UV)灯模块，使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，使不反应气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，启用UV灯模块以将在基板的表面上的残留物或物质氧化以在基板的表面上形成脱气阻挡层，使含氧气体与含氮气体停止流入移送腔室，泵送移送腔室，以及停用UV灯模块。
用于低于纳米 cmos 制造控制脱气紫外线辐射系统方法

[发明专利]用于处理腔室的衬里-CN201910717274.5有效
发明人：哲鹏·丛;舒伯特·S·楚;尼伊·O·奥美;卡提克·沙赫;苏拉吉特·库马尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述外部部分的内表面的一部分可以被设计为在单个接合点处与所述内部部分的外表面接触，这样在所述内部部分与所述外部部分之间产生热阻挡，从而减少来自所述内部部分和所述外部部分的热传递。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。
用于处理衬里

[发明专利]用于处理腔室的衬里-CN202310037948.3在审
发明人：哲鹏·丛;舒伯特·S·楚;尼伊·O·奥美;卡提克·沙赫;苏拉吉特·库马尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述外部部分的内表面的一部分可以被设计为在单个接合点处与所述内部部分的外表面接触这样在所述内部部分与所述外部部分之间产生热阻挡，从而减少来自所述内部部分和所述外部部分的热传递。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。
用于处理衬里

[发明专利]清洁高深宽比结构的方法及系统-CN202180031555.0在审
发明人： 舒伯特·S·楚;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及清洁基板表面的方法及系统。在一个实施方式中，提供处理基板的方法。此方法包括通过将基板定位在基板支撑件上将基板引进至处理腔室的处理空间。此方法进一步包括将第一处理气体流入处理空间中，第一处理气体包括HF，将第二处理气体流入处理空间中，第二处理气体包括吡啶、吡咯、苯胺、或前述物的组合，及将基板暴露于第一处理气体与第二处理气体以在氧化物去除条件下从基板去除氧化物。在另一实施方式中，提供系统，此系统包括处理基板的处理腔室及致使在处理腔室中执行处理方法的控制器。
清洁高深结构方法系统

[发明专利]利用带隙吸收法的温度校正-CN202180030384.X在审
发明人：丛者澎;舒伯特·S·楚;N·O·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述了一种用于校正处理腔室内的非接触式温度传感器的方法及装置。非接触式温度传感器的校正包括利用带边检测器来确定基板的带边吸收波长。带边检测器被配置为测量波长范围的强度，并基于基板的带边吸收波长及材料确定基板的实际温度。该校正方法是自动化的，且每次校正时无需人为干预或拆卸处理腔室。
利用吸收温度校正

[发明专利]热批处理腔室-CN202180032885.1在审
发明人：阿德尔·乔治·塔诺;舒伯特·S·楚;刘树坤;卡蒂克·布彭德拉·仙;朱作明;阿拉·莫拉迪亚;苏拉吉特·库马尔;斯里尼瓦萨·兰加帕;秦嘉政;维希瓦·库马尔·帕迪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供批处理腔室及在批处理腔室中使用的处理配件。处理配件包括外衬垫、内衬垫、及顶板与底板，外衬垫具有上外衬垫与下外衬垫，顶板与底板附接于内衬垫的内表面。顶板与底板和内衬垫一起形成围护件，并且在围护件内设置盒。包括隔板的盒被构造成用以在隔板上保存多个基板。内衬垫具有入口开口与出口开口，入口开口设置在内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与处理腔室的气体注入组件流体连通，出口开口设置在内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与处理腔室的排气组件流体连通。围护件的内表面包括被构造成用以引起在围护件内的黑体辐射的材料。
批处理

[发明专利]在批次热处理腔室中的晶片边缘温度校正-CN202180032252.0在审
发明人：卡蒂克·布彭德拉·仙;舒伯特·S·楚;阿德尔·乔治·塔诺;阿拉·莫拉迪亚;尼欧·O·谬;苏拉吉特·库马尔;朱作明;布赖恩·海斯·伯罗斯;维希瓦·库马尔·帕迪;刘树坤;斯里尼瓦萨·兰加帕 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于处理腔室中的处理套组，该处理套组包括：外衬套；内衬套，被配置为与处理腔室的气体注入组件及气体排放组件流体连通；第一环形反射器，设置在该外衬套与该内衬套之间；顶板及底板，附接于该内衬套的内表面，该顶板及底板与内衬套一起形成外壳；盒匣，设置在外壳之内，该盒匣包含被配置为在其上保持多个基板的多个搁架；及边缘温度校正元件，设置在该内衬套与第一环形反射器之间。
批次热处理中的晶片边缘温度校正

[发明专利]用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器-CN202210863817.6在审
发明人： 舒伯特·S·楚;道格拉斯·E·霍姆格伦;卡尔蒂克·萨哈;帕拉姆拉里·贾金德拉;尼欧·O·谬;普雷塔姆·拉奥;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;叶祉渊;马丁·A·希尔金;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;理查德·O·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。
用于 epi 工艺晶片加热二极管激光器

[发明专利]具有共用的气体输送和排气系统的多个热CVD腔室-CN202180016018.9在审
发明人：叶祉渊;刘树坤;布莱恩·H·伯罗斯;洛里·华盛顿;赫尔曼·迪尼兹;马丁·A·希尔金;理查德·O·柯林斯;尼欧·谬;马尼施·赫姆卡;舒伯特·S·楚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和/或共用的排气导管。本文描述的处理腔室能够以改进的处理气体流动和热分布同时处理多个基板。
具有共用气体输送排气系统多个热 cvd

[发明专利]使用外延形成的堆叠像素结构-CN202180014150.6在审
发明人：陈泰舟;约翰·博兰德;舒伯特·S·楚;斯蒂芬·莫法特;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一般来说，本文描述的实例涉及用于使用外延生长工艺来形成堆叠像素结构的方法和处理腔室和系统以及由此形成的器件结构。在实例中，第一传感器层在基板上的结晶表面上外延生长。第一隔离结构在第一传感器层上外延生长。第二传感器层在第一隔离结构上外延生长。第二隔离结构在第二传感器层上外延生长。第三传感器层在第二隔离结构上外延生长。
使用外延形成堆叠像素结构

[发明专利]用于光电器件信噪比的增强的结构和材料工程方法-CN202180010739.9在审
发明人：陈泰舟;舒伯特·S·楚;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;约翰·蒂莫西·博兰德;叶祉渊;洛里·华盛顿;陶冼智;黄奕樵;吴贞莹 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在传感器基板的正面之上形成互连结构，从传感器基板的背面使传感器基板变薄，将沟槽蚀刻进传感器基板中，预清洁传感器基板的暴露的表面，直接在传感器基板的经预清洁的暴露的表面上外延生长电荷层，并且在经蚀刻的沟槽内形成隔离结构。
用于光电器件增强结构材料工程方法

[发明专利]具有减少占地面积的半导体处理工具平台配置-CN202180007747.8在审
发明人：尼尔·玛利;舒伯特·S·楚;苏斯汉特·S·科希特;迈克尔·C·库查尔;尼欧·谬;李松宰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基板处理系统包括具有受控环境的工厂接口和传送腔室。传送腔室包括四个第一小平面和三个第二小平面，其中三个第二小平面的每一个具有比四个第一小平面的每一个的宽度窄的宽度。第一处理腔室附接到四个第一小平面的一个。第一辅助腔室附接到三个第二小平面的第一个，其中第一辅助腔室小于第一处理腔室。负载锁定附接到三个第二小平面的第二个和工厂接口。机器人附接到传送腔室的底部，机器人适以将基板传送进出第一处理腔室、第一辅助腔室及负载锁定。
具有减少占地面积半导体处理工具平台配置

[发明专利]用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器-CN202210541858.3在审
发明人： 舒伯特·S·楚;道格拉斯·E·霍姆格伦;卡尔蒂克·萨哈;帕拉姆拉里·贾金德拉;尼欧·O·谬;普雷塔姆·拉奥;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;叶祉渊;马丁·A·希尔金;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;理查德·O·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。
用于 epi 工艺晶片加热二极管激光器

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