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[发明专利]一种过滤机刮刀自动张紧装置-CN202310745110.X在审
发明人：刘振峰;韩永振;罗开怀;郭勇;周元祥;王恬恬;王思维;胡久林 -专利权人：贵州黔希化工有限责任公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B01D33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种过滤机刮刀自动张紧装置，包括与滤布相抵的刮刀，还包括张紧机构，张紧机构设有两个，且分布在刮刀的两端，其包括两个滑轮和牵引绳以及与两个滑轮转动连接的支撑架，支撑架一端固定有与刮刀一端相固定的对接件，牵引绳的一端与对接件固定，且另一端依次绕过两个滑轮，并固定有承重件；承重件包括与牵引绳外端相固定的螺杆，螺杆的底部固定有砝码箱，且砝码箱内摆放有砝码块，对传统的刮刀自动调节装置进行优化改进，通过设计的滑轮与牵引绳配合砝码的作用，实现对刮刀与滤布相抵处进行张紧调节，使得其能够紧密贴合滤布，从而更好的将滤布外侧粘合的滤饼等杂物进行刮除，同时也不会因为与滤布对接过于紧密造成滤布的损坏。
一种过滤机刮刀自动装置

[发明专利]一种改善外延层错的洗净方法-CN202211094070.9在审
发明人：孙涛;洪漪;胡久林 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种改善外延层错的洗净方法，其特征在于，对洗净机进行清洗；洗净机从左至右排布有顺序连接的一次去离子水槽、一次试剂槽、二次试剂槽、二次去离子水槽、三次去离子水槽、四次去离子水槽以及五次去离子水槽；一次试剂槽以及二次试剂槽设有加热机构；洗净机的清洗步骤包括将去离子水注入一次试剂槽以及二次试剂槽后，加热去离子水，当去离子水升温到60‑90℃，一次试剂槽与二次试剂槽内的去离子水注入到二次去离子水槽、三次去离子水槽、四次去离子水槽以及五次去离子水槽，清洗时间为0.5‑2h。本发明优化了洗净机的清洗过程，经过加热后清洗的洗净机，解决了硅片外延层错的问题。
一种改善外延洗净方法

[发明专利]一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法-CN202111550648.2有效
发明人：卢运增;洪漪;胡久林 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，在对LTO背封层去边时进行，先进行倒角，将倒角参数设定为300μm以内；而后进行HF腐蚀，HF腐蚀药液的体积为业界常规去边腐蚀液药液体积X的40％～50％，腐蚀时间为业界常规去边腐蚀液时间Y的70％～80％。本发明具体通过LTO膜去边距离调整、去边区域彩虹区大小调整以及平衡彩虹区与硅渣残留问题，有效降低半导体抛光片RRG水平至1％以下，且不会产生硅渣，有效的找到了一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，极具创新性与实用性。
一种改善衬底外延后硅渣掺杂方法

[发明专利]一种改善衬底抛光片外延后裂片的方法-CN202211408907.2在审
发明人：孙涛;洪漪;胡久林 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善衬底抛光片外延后裂片的方法，包括如下步骤：步骤一，对倒角的外周位置和外周OF边进行粗研；步骤二，对倒角的外周位置和外周OF边进行第一次精研；步骤三，对倒角的外周位置和外周OF边进行第二次精研；步骤四，改变倒角轮廓形貌，选取适合外延工艺的倒角宽幅长度。本发明通过改善倒角研削工艺，增加精研次数，改进为粗研+精研+精研，较常规产品多进行一次精研过程。本发明通过对新型倒角工艺的研究与开发，解决了衬底抛光片外延后裂片率高的问题，使硅片外延后边缘裂片的发生率由3％左右降低至0.5％以下。
一种改善衬底抛光外延裂片方法

[发明专利]一种消除超级背封产品外延后背面吸笔印的方法-CN202211024603.6在审
发明人：杜远征;胡久林 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种消除超级背封产品外延后背面吸笔印的方法，其特征在于，每12小时对吸笔进行清洗，且所述吸笔与负压吸气管路之间安装有调压阀，所述吸笔的真空压力调整为‑70Kpa～‑60Kpa。本发明专利实现了外延后无吸笔印的产生。本发明控制吸笔的吸力过小，硅片和吸笔有微摩擦，擦伤硅片表面的问题。同时避免了吸力大导致的吸笔印的问题。同时，发现了吸笔的清洗频率也对于吸笔印有重要的影响。
一种消除超级产品外延背面吸笔印方法

[发明专利]一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法-CN202110382203.1有效
发明人：卢运增;贺贤汉;洪漪;胡久林 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过BSD后洗净降低重金属及雾状缺陷的方法，在BSD工序后，采用如下步骤进行清洗，步骤一，使用预清洗液进行预清洗，预清洗液包括氨水、双氧水以及去离子水，步骤二，蒸馏水清洗；步骤三，一次清洗液浸泡清洗，一次清洗液包括氢氟酸、柠檬酸以及去离子水；氢氟酸、柠檬酸以及去离子水的体积比为15:3～5:55～57，步骤四，二次清洗液浸泡清洗，二次清洗液包括盐酸、双氧水以及去离子水，盐酸以及双氧水的比例为1:1；步骤五，蒸馏水清洗；步骤六，采用硅片甩干机甩干。本专利有效的降低BSD带来的金属Ni以及Cu污染以及外延后雾状缺陷。
一种通过 bsd 洗净降低重金属雾状缺陷方法

[发明专利]一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法-CN202110394337.5有效
发明人：卢运增;贺贤汉;洪漪;胡久林 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，包括如下步骤：步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。本专利给予了一种腐蚀工艺确定的方法，硅片的晶胞大小与腐蚀工艺有很大的关系，本专利另辟蹊径，通过进行混腐蚀工艺的探究，发现了不同腐蚀工艺条件下与腐蚀后晶胞大小的关系。给予对硅片的腐蚀工艺的反推提供一个具有里程性的突破。
一种通过背面晶胞大小确认腐蚀工艺方法

[发明专利]一种去除硅片抛光面表面大颗粒的方法-CN202011172168.2有效
发明人：卢运增;贺贤汉;洪漪;胡久林 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体硅片加工技术领域。一种去除硅片抛光面表面大颗粒的方法，通过物理吹扫去除硅片抛光面表面大颗粒；调节吹扫角度，吹扫角度控制在40°±2°，所述吹扫角度指的是吹扫气枪的出气口的轴向与硅片之间的夹角；调节吹扫压力，吹扫压力控制在0.15±0.02Mpa，调节吹扫距离，吹扫距离控制在7±0.5cm。本专利通过改变了以往传统化学方式去除颗粒的方法，通过物理方法有效了减少了对于硅片厚度变化影响，通过物理方法去除硅片表面颗粒，反洗率由15％降到了2％以内，有效地降低生产成本，提高了良率。
一种去除硅片抛光表面颗粒方法

[发明专利]一种路径确定方法及其装置-CN201611228822.0有效
发明人：夏爽;邓超;胡久林;冯俊兰 -专利权人：中国移动通信有限公司研究院;中国移动通信集团公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01C21/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种路径确定方法，所述方法包括：从预设地图中确定出出发地和目的地，选取出处于所述出发地指向所述目的地的第一方向上的第一目标采样点；获取所述出发地所处第一范围内的第一组路径；以及，获取所述第一目标采样点所处第二范围内的第二组路径；判断所述第一组路径和所述第二组路径中是否存在满足预设规则的第一路径片段，若存在，则至少利用所述第一路径片段来确定出所述出发地至所述目的地的目标路径。本发明实施例还公开了一种路径确定装置。
一种路径确定方法及其装置

[发明专利]一种半导体芯片研磨片损伤层深度的简易确定方法-CN202110301275.9在审
发明人：卢运增;贺贤汉;胡久林;洪漪 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体芯片研磨片损伤层深度的简易确定方法，采用碱腐蚀工艺，以多阶段递进方式进行，每阶段的单面腐蚀量不高于3μm，并计算每个阶段的腐蚀速率；当相邻两个阶段的腐蚀速率小于0.003μm/s时，判定该两个阶段中的靠前阶段对应的总腐蚀量为单面损伤层深度。本发明方法不仅原理简单，操作易行；而且能够得到比较精确的损伤层厚度，该厚度通常小于业界常规规定的30μm，可以大幅度降低腐蚀去除量，一方面可以极大改善因腐蚀后期造成的硅片边缘TTV及SFQR不良；另一方面降低腐蚀去除量也有助于大幅降低企业生产成本，为探究研磨片损伤层深度提供了一个简单新颖的方向，适用于不同研磨去除量所对应的损伤层深度探究。
一种半导体芯片研磨损伤深度简易确定方法

[发明专利]一种通过混腐蚀改善平坦度与粗糙度的方法-CN202110302019.1在审
发明人：卢运增;贺贤汉;胡久林;洪漪 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过混腐蚀改善平坦度与粗糙度的方法，对研磨后厚度为770μm的硅片进行腐蚀，包括：A、碱腐蚀：采用质量分数为45％～55％的强碱溶液在75～85℃条件下腐蚀掉3～6μm；B、酸腐蚀：采用硝酸、醋酸、氢氟酸的混酸溶液，在25～35℃条件下对步骤A处理后的硅片继续进行腐蚀，腐蚀厚度为24～27μm，其中，硝酸溶液的浓度为33～35％，醋酸溶液的浓度为21～23％，氢氟酸溶液的浓度为9～11％，硝酸溶液、醋酸溶液、氢氟酸溶液、水的体积比为2～3:1～2:0.5～1.5:2～3。本发明在本质提升了抛光SFQR的水平，并且在改善SFQR的同时兼顾背面粗糙度的改善，可以同时满足背面粗糙度190nm与平坦度0.12μm的要求，极具实用性。
一种通过腐蚀改善平坦粗糙方法

[发明专利]一种信息处理方法及系统-CN201510869366.7有效
发明人： 胡久林 -专利权人：中国移动通信集团公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G06F16/958 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种信息处理方法及系统。所述方法包括：获得操作信息和图像数据；其中，所述操作信息为移动终端中的第一应用处于激活状态下、检测到针对所述第一应用的显示界面的触发操作获得的操作信息；所述图像数据为所述移动终端的图像采集单元采集获得的图像数据；所述图像采集单元与显示单元在同一平面上；分析所述图像数据，识别所述图像数据中的面部特征数据，基于所述面部特征数据获得面部表情信息；基于所述面部表情信息和所述操作信息生成第一反馈信息。
一种信息处理方法系统

[实用新型]一种热风循环风箱-CN201920646584.8有效
发明人：刘相;陈发荣;薛彬;胡久林 -专利权人：成都亚中生物制药有限责任公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热风循环风箱，包括风箱箱体，所述风箱箱体与风箱箱门通过铰链转动连接，所述风箱箱体上端设置有风箱顶盖，所述风箱箱体下端设置有风箱底座，所述风箱箱门表面设置有观察窗，所述风箱箱体一侧设置有排风口，所述排风口内部设置有电磁阀，所述风箱箱体内壁设置有电加热层，所述电加热层内部设置有电加热石棉网，所述风箱箱体内部一侧设置有负氧离子板，所述风箱箱体内部另一侧设置有远红外线加热板，通过设置的电加热层与电加热石棉网，用于对风箱进行电加热，并且加热面积更加均匀，通过设置的负氧离子板，用于散发负氧离子，在加热食物等物品时可以渗入负氧离子，从而改善以及增加人的心肺功能。
一种热风循环风箱

[发明专利]一种数据获取方法及系统-CN201510706158.5在审
发明人：邓超;熊龙;邓展成;宋刚;胡久林;赵耀红;高丹;赵学峰;曾海涛;冯俊兰;顾志峰;石世磊;许闱纬;彭传金 -专利权人：中国移动通信集团公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：本发明提供一种数据获取方法及系统，其中，所述数据获取方法包括接收一数据获取方输入的对应于一目标用户的第一用户标识信息；从所述目标用户的行为特征数据中选择至少部分数据输出给所述数据获取方，其中，所述目标用户的行为特征数据包括与所述第一用户标识信息对应的第一部分数据和与所述第一用户标识信息不同但对应于所述目标用户的至少一个第二用户标识信息对应的第二部分数据。本发明的方案，能够使得所述数据获取方根据目标用户的某一用户标识信息，对所述目标用户的多样性行为进行全面的把握，得到所需要的所述目标用户的行为特征数据。
一种数据获取方法系统

[实用新型]一种宽带合路器-CN201220652693.9有效
发明人：刘健伟;左希成;梁红波;胡久林 -专利权人：深圳市汉古风科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：本实用新型涉及通信设备元件领域，具体指一种宽带合路器，它包括金属材质的屏蔽腔体，所述屏蔽腔体的两端设有公共端口，屏蔽腔体内设有带通滤波器和与带通滤波器耦合的带阻滤波器，所述带阻滤波器包括与公共端口耦合的主导线，所述带通滤波器包括谐振柱，所述谐振柱上安设有耦合片，所述耦合片通过一安置在谐振柱上的调节装置以调整耦合片与主导线之间的耦合距离；实现了耦合片与谐振柱的硬连接，便于安装和距离控制，解决了互调的问题，有利于整个合路器性能的提高。
一种宽带合路器

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