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[发明专利]一种车规级二极管芯片的检查和工艺管控方法-CN202310385014.9在审
发明人：蒋盼盼;肖南海;杨斌;邓绍能;张伟伟;肖海兵 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种车规级二极管芯片的检查和工艺管控方法，涉及功率半导体器件领域。本发明采用双面半切工艺、划片后水基中性PH值的清洗剂清洗、清洗后外观全检，包括步骤：在一个晶圆上，通常有几百个至数千个芯片连在一起；它们之间留有划片间隙，利用双面半切工艺并裂片的方法，将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来；使用水基中性PH值的清洗剂将表面清洗干净；对于车规级芯片划片后使用高倍镜进行全检，双面切割工艺有效防止两种材质键合制造芯片切割时断刀或产品崩裂报废，减少刀片损耗，减小应力对芯片的损伤，能有效渗透并去除杂质颗粒和油污，去除碳氢化合物污垢，提高产品可靠性能，达到车规要求。
一种车规级二极管芯片检查工艺方法

[发明专利]一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法-CN202310500786.2在审
发明人：杨斌;蒋盼盼;邓绍能;张伟伟;肖海兵;肖南海 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决SOD923封装湿气导致离子迁移问题的方法，涉及封装技术领域。本发明采用共晶焊接工艺、Plasma等离子清洗、Wirebond键合打线、Mold注塑方法，方法指晶圆与框架的共晶焊接工艺，真空等离子Plasma清洗的要求及清洁度监测，清洁完成的打线工序后再进行Mold注塑的方法，以实现在晶圆与注塑材料之间将不存在焊接离子迁移问题，增加晶圆的防潮等级，减少芯片的漏电流的方案。本发明使用共晶焊接、等离子清洗等流程方法合理，容易量产化，设计检验装置简洁，新颖，是一种经济实用、有效的提高器件防潮性能的发明。
一种解决 sod923 封装湿气导致离子迁移问题方法

[实用新型]一种兼具二维材料转移功能的光刻装置-CN202222115508.9有效
发明人：蒋崇云;肖南海;马惠 -专利权人：南开大学;天津工业大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种兼具二维材料转移功能的光刻装置，包括光刻机基座、样品移动位移台、显微成像装置、紫光曝光装置、掩模台、二维材料转移台，所述光刻机基座包括X轴滑动平台与Y轴滑动平台，X轴滑动平台和Y轴滑动平台各连接一个位移测量装置，所述二维材料转移台通过可360°旋转的吸盘可实现二维材料任意角度的堆叠转移。本实用新型通过X、Y、Z三轴样品移动位移台、二维材料转移台、精确定位的位移测量装置以及可360°旋转的吸盘，可以准确完成任意角度的样品转移及小尺寸衬底的定位调节，既能实现二维材料的精确定点转移，又能保证衬底、掩模版图案以及紫光光源的中心始终在同一垂直线，保障光刻质量，从而提高光刻的精度和稳定性。
一种兼具二维材料转移功能光刻装置

[发明专利]一种原子层沉积用于静电保护二极管的管控及制造方法-CN202211122000.X在审
发明人： 肖南海;杨斌;蒋盼盼 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积用于静电保护二极管的管控及制造方法，涉及功率半导体器件生产制造技术领域。本发明包括芯片固定、等离子清洗、打线工艺、原子沉积、原子层沉积检查、注塑成型工艺、EMC树脂作为包封料或塑封料的后固化、激光去残胶、后续工艺；后续工艺包括电镀、打标、切筋、自动测试线、包装。本发明避免了离子迁移，保护稳定性好，即使水渗进去也不会失效；解决了大功率小封装的离子迁移问题，减小离子迁移风险，降低产品在生产过程中的管控成本，特别是目前主流使用高低温冲击，减少加速拉花的工序或减少了二次回流；使晶圆的厚度持续减薄，减少树脂成本；减少对于后续的生产工序管控的难度。
一种原子沉积用于静电保护二极管制造方法

[实用新型]一种地面冲洗水的处理装置-CN202220929260.7有效
发明人：杜火星;黎攀;郭先娥;肖南海;周婧雯 -专利权人：湖北西塞山发电有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B01D21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种地面冲洗水的处理装置，至少包括污水处理池，所述污水处理池的前端连接有污水汇集管，污水汇集管的前端连接有一个以上的位于被冲洗地面上的排水管，所述排水管倾斜设置，排水管靠近污水汇集管一端的地势低；所述污水处理池包括依次设置的缓冲区、沉淀区和清水区，污水汇集管与缓冲区连通，所述清水区连接有排污单元，所述排污单元包括PLC控制器以及与PLC控制器连接的排污泵和声波水位计，其中声波水位计安装于清水区的侧壁上，排污泵的抽水管与清水区连接。该装置能够对地面冲洗水进行收集并处理，且装置结构简单、污水处理效果好，避免了地面冲洗水的直接排放所造成的排放超标问题。
一种地面冲洗处理装置

[发明专利]用于功率瞬态抑制二极管使用纳米银浆焊接的方法-CN202210258364.4在审
发明人： 肖南海;洪海霞;杨斌 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了用于功率瞬态抑制二极管使用纳米银浆焊接的方法，涉及半导体封装领域。本发明使用无铅纳米银颗粒制备的纳米银浆连接功率瞬态抑制二极管芯片和导电铜框架；纳米银浆是由纳米银颗粒构成的重量百分比65‑80％的纳米银浆料以及20‑35％的添加剂混合构成的粘合载体；方法包括：清洗铜框架、纳米银浆网印、低温烧结、孔洞检验。本发明纳米银浆解决了传统焊接的二次流动性问题，充分利用纳米银的烧结完成后形成烧结银的高温特性，减少焊接二次流动产生锡丝、锡尖等问题；减少因为高温导致的芯片划片道的隐裂问题，温度低减少材料之间的热膨胀差异问题，降低产品的失效风险；有利于高可性的应用场景以及温度突变导致的气泡失效问题。
用于功率瞬态抑制二极管使用纳米焊接方法

[发明专利]一种半导体芯片环氧树脂封装纳米级缝隙的管控方法-CN202210147127.0在审
发明人： 肖南海;李进;张伟伟;杨斌;杨熊辉;洪海霞 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片环氧树脂封装纳米级缝隙的管控方法，涉及半导体封装技术领域。本发明包括：S1、将晶圆从真空包装取出后进行划片处理，等离子清洗机清洗，进行打引线焊线；S2、焊线完成后进行注塑；S3、纳米级缝隙的生长膜方法；S4、确认生长致密膜；S5、使用150℃烘烤55‑65分钟，确保内部水汽正常清除；S6、正常安排激光去溢胶和电镀工序，电镀完成表面除水正常烘烤；S7、切筋后，安排电气特征参数测试，漏电流IR、正向压降VF、VB雪崩电压。本发明解决了特小型封装因为塑封料颗料和注塑设备压力不够，导致产品可靠性问题，有利于提升工业设备的高品质小型化的问题，降低了器件问题对系统的影响。
一种半导体芯片环氧树脂封装纳米缝隙方法

[发明专利]一种不良芯片筛选方法-CN202110090092.7有效
发明人： 肖南海;杨斌;洪海霞;贾美景;刘洪;葛志阳 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明适用于芯片测试技术领域，提供了一种不良芯片筛选方法，所述方法是根据预设的热力学筛选方法对待筛选的芯片进行热力学性能筛选，得到符合热力学要求的芯片，再根据预设的电学筛选方法对所述符合热力学要求的芯片进行电学性能筛选，得到符合电学性能要求的芯片，通过同时对待筛选芯片进行热力学测试和电学参数测试，能够有效保证芯片出厂的合格率；最后获取所述符合电学性能要求的芯片的电学参数测试数据，并基于正态分布原理筛选出电学参数测试数据符合3σ原则的芯片，能够筛选出具有高度一致的电学参数的良品，剔除存在失效风险的良品，从而进一步提高芯片出厂的合格率。
一种不良芯片筛选方法

[实用新型]一种SLIC接口保护电路-CN202121070529.2有效
发明人：严新发;肖南海 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SLIC接口保护电路，涉及电路保护技术领域。本实用新型包括户线接口电路SLIC芯片、快恢复整流二极管、可编程过压保护器U1、限流电阻R1、R2、接地电容C1、C2；可编程过压保护器U1的1、4脚通过限流电阻R1、R2与信号输入端RING、TIP相连，5、8脚连接户线接口电路SLIC的信号输入端，6、7脚接地，2脚接负电源电压‑VBAT。本实用新型利用可编程过压保护器U1的抗浪涌能力，提高了产品的可靠性，有效防止传输线引入的雷击浪涌，很好的保护户线接口电路SLIC芯片，使得接口通信和接口电路得到很好保护，产品的整体稳定性得到保证。
一种 slic 接口保护电路

[发明专利]一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法-CN202210252341.2在审
发明人： 肖南海 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法，涉及功率半导体器件领域。本发明包括步骤：将芯片扩散完成的芯片进行腐蚀沟槽，并在完成后，增加一次去离子水超声工序，将表面清洗干净；使用多功能薄膜磁控溅射系统进行涂聚酰亚胺液；然后进行聚酰亚胺液的固化工艺；进行固化后清洗；将经上述处理工艺的硅片进行焊接面镀钛、镍、银，然后进行烘干处理；晶圆的划片。本发明解决传统GPP工艺功率半导体PN结使用玻璃粉钝化，防止玻璃固化后划分引起的潜在失效问题；利用聚酰亚胺的聚合物所特有的绝缘性，对于保护功率器件PN结的保护具有高韧性、容易控制、高可靠性的优点。
一种用于功率半导体 pn 保护工艺方法

[实用新型]一种车身控制模块LIN总线的保护电路-CN202121017805.9有效
发明人：严新发;肖南海 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B60R16/023 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车身控制模块LIN总线的保护电路，涉及汽车电子保护技术领域。本实用新型包括车身控制模块、LIN连接器、快恢复整流二极管、LIN保护瞬态抑制二极管、LIN信号收发单元、电源滤波电容,LIN通信滤波电容；车身控制模块通过内部电源和LIN接口电路，连接到LIN连接器，LIN连接器通过LIN信号线与LIN收发单元进行通信，通过电源线给LIN收发单元供电。本实用新型通过增加专用LIN保护瞬态抑制二极管，来消除浪涌影响，提高了产品的性能，保护BCM模块内部微控制单元，保障了车身控制模块与LIN收发单元之间的正常通信，产品的稳定性得到很好保证。
一种车身控制模块 lin 总线保护电路

[实用新型]一种UWB定位基站保护电路-CN202120539579.4有效
发明人： 肖南海;严新发 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种UWB定位基站保护电路，涉及电路保护技术领域。本实用新型包括微控制器、DC输入单元、以太网接口电路、POE电路、SMA接口电路、无线收发单元、LED指示电路、蜂鸣器驱动电路、瞬态抑制二极管TVS、静电保护器件ESD；通过无线收发单元电路接收UWB定位标签发来的脉冲信号，定位基站通过ToF或TDoA两种模式对UWB定位标签进行定位；定位基站将获取的数据交给后台服务器进行处理；UWB定位基站配备LED灯光指示和蜂鸣器，用来做出状态指示与警报。本实用新型有效防止浪涌电流、瞬态过电压与静电对UWB定位基站的损坏，很好的保护微控制器MCU和整机系统，使核心的微控制器MCU得到很好保护，产品的整体稳定性得到很好保证。
一种 uwb 定位基站保护电路

[实用新型]一种园林用雨水收集系统-CN202122212731.0有效
发明人：赵秀芳;刘月;沈虎国;徐亚迪;肖南海;宋尧;谭中原 -专利权人：岭南设计集团有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： E03B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种园林用雨水收集系统，包括蓄水桶、底座、两个第一过滤网结构及两个固定板；蓄水桶设置在底座上端面，蓄水桶与底座可拆卸连接，蓄水桶的桶壁上设有出水口，两个第一过滤网结构及两个固定板均设置在底座上端面，两个第一过滤网结构及两个固定板组成筒体结构，一个第一过滤网结构与两个固定板可拆卸连接，蓄水桶顶部设有进水口，筒体结构伸出进水口，筒体结构外壁与进水口内壁贴合。本实用新型所述的一种园林用雨水收集系统，解决了由于现有技术中的雨水收集系统仅能够收集并储存雨水，但其不具备相应的雨水过滤机构，进而容易导致堵塞灌溉系统，影响灌溉效果的技术问题。
一种园林雨水收集系统

[实用新型]园林绿化用种植箱-CN202122208123.2有效
发明人：赵秀芳;刘月;沈虎国;徐亚迪;肖南海;宋尧;谭中原 -专利权人：岭南园林建设集团有限公司;岭南生态文旅股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种园林绿化用种植箱，包括箱体，箱体底部设有凹陷，箱体的一侧设有进水孔，进水孔上设有雨水收集组件，箱体的顶部的两侧设有卡环，卡环内设有水管，水管的底部设有若干出水孔，箱体的凹陷能够便于箱体的安装。还包括连接组件，第二连接环的顶部贯穿设有与第一螺纹孔对应的第二螺纹孔，第一连接环的一端设有贯穿第一连接环的第三螺纹孔，第二连接环的一端贯穿设有与第三螺纹孔对应的第四螺纹孔。本实用新型所述的一种园林绿化用种植箱，浇水方便，并且便于安装、便于管理。
园林化用种植

[发明专利]用于大功率瞬态抑制二极管的氮化铝基材及焊接方法-CN202111237415.7在审
发明人： 肖南海;周细应 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了用于大功率瞬态抑制二极管的氮化铝基材及焊接方法，涉及半导体封装技术领域。本发明采用氮化铝基材作为导电框架，导电框架采用整面的氮化铝基材作为表面，进行镀铜工艺制成焊接硅片管脚Pad；氮化铝基材的连接方式使用金手指，氮化铝基材的上部框架的折弯高度为加载芯片高度加上锡膏厚度之和的1.2倍；氮化铝基材的正面覆铜。本发明减少了芯片热击穿失效的概率，大幅度解决了瞬变过程中的高di/dt瞬态产生的电磁干扰EMI问题，提高了芯片与基板之间的绝缘性；采用氮化铝材料具有与芯片衬底Si相匹配的膨胀系数，降低了产品因膨胀系数差异的失效，在5G基站、新能源、电动汽车等应用场景具有很好的市场前景。
用于大功率瞬态抑制二极管氮化基材焊接方法

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