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[发明专利]单粒子效应电路仿真中考虑节点电压动态变化的建模方法-CN201911058948.1有效
发明人：丁李利;陈伟;王坦;张凤祁;罗尹虹;郭晓强;王勋;潘霄宇;王定洪;赵雯 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种单粒子效应电路仿真中考虑节点电压动态变化的建模方法。该方法基于半物理‑半解析的建模思路描述单粒子效应电路仿真中节点电压动态变化的情况，从而更加合理、准确的预测了电路单粒子效应敏感性。本发明的主要实现步骤是：1)构建单粒子效应电路的子电路模型；2)针对单管获取不同LET值、不同入射位置在连接恒定偏压情况下的电流源Iexp；3)利用单倍驱动能力反相器校准得到重离子入射N型单管模型和P型单管模型时对应的中间项拟合参数frecomb以及输出电流源拟合参数freal；4)将子电路模型调制后的瞬时电流源注入实际电路中的工作节点，执行电路仿真。
粒子效应电路仿真考虑节点电压动态变化建模方法

[发明专利]单粒子效应电路仿真中考虑有源区形状尺寸影响的建模方法-CN201911058784.2有效
发明人：丁李利;陈伟;王坦;张凤祁;罗尹虹;郭晓强;王勋;潘霄宇;王定洪;赵雯 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及了一种单粒子效应电路仿真中考虑有源区形状尺寸的建模方法，解决了现有单粒子效应电路仿真方法中对于电路设计加固及版图设计加固不完全支持验证的技术问题，该方法的主要实现步骤是：1)构建考虑有源区形状尺寸影响的单粒子效应基础模型；2)标定单粒子效应基础模型中需要提取的参数随版图信息变化的依赖关系；3)提取待分析电路版图形状信息及电路网表信息；4)选定待分析电路版图中的重离子入射位置，重建待分析电路版图的单粒子效应模型；5)更新电路网表，仿真计算电路的单粒子效应。
粒子效应电路仿真考虑有源形状尺寸影响建模方法

[发明专利]一种数字信号处理器版图分布定位方法-CN202010455515.6有效
发明人：潘霄宇;罗尹虹;盛江坤;张凤祁;郭红霞 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：为克服现有反向分析方法对于大规模集成电路的适用性局限，本发明提供一种数字信号处理器版图分布定位方法，该方法包括：步骤一、获取DSP芯片的有源区染色显微照片；步骤二、如果DSP芯片采用的是倒封装结构，对DSP芯片的衬底进行减薄抛光；步骤三、将DSP芯片划分出不同的模块；步骤四、定位出每个模块所在的象限；步骤五、标记出每一个产生单粒子效应的位置坐标和时间信息；步骤六、在DSP芯片的原始版图照片上将所有的单粒子效应数据点按照位置坐标进行标记；步骤七、根据获取的单粒子效应位置坐标，确认每个模块的版图定位，并结合有源区染色显微照片，利用作图工具画出每个模块所在的位置。
一种数字信号处理器版图分布定位方法

[发明专利]基于概率统计的单粒子多单元翻转信息提取方法-CN202010061603.8有效
发明人：王勋;罗尹虹;丁李利;张凤祁;陈伟;郭晓强;王坦;赵雯 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：为了解决现有MCU信息提取方法成本高，或者虽然成本低但只适用于未采用位交错技术的SRAM的问题，本发明提供了一种基于概率统计的单粒子多单元翻转信息提取方法。本发明从待测器件的单粒子翻转数据中，在相同的BHD值下，将出现频率明显高于其他值的XOR提取出来，作为判断相邻关系的MCU模板，并利用该MCU模板从单粒子翻转数据中提取MCU信息，从而降低了研究成本，提高了研究效率。
基于概率统计粒子单元翻转信息提取方法

[发明专利]一种区分纳米MOSFET器件单粒子瞬态不同电荷收集机制的方法-CN202211524138.2在审
发明人：卢超;陈伟;罗尹虹;丁李利;张凤祁;薛院院 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种区分纳米MOSFET器件单粒子瞬态不同电荷收集机制的方法。克服传统电荷收集机制研究方法计算精度较低、无法区分源漏导通和双极放大机制以及无法给出不同电荷收集机制的物理过程的问题。包括器件单粒子瞬态仿真、分析单粒子瞬态漏端接触电荷收集机制以及获得不同电荷收集机制的电荷量以及各个电荷收集机制对单粒子瞬态漏端接触总电荷收集量贡献的步骤。通过分析器件内部电学参数的变化，从微观原理上来区分不同电荷收集机制，使得不仅可以准确的计算各种电荷收集机制对总电荷收集量的贡献，还可以给出电荷收集的微观物理过程，可以为器件抗单粒子瞬态加固提供针对性的理论指导。
一种区分纳米 mosfet 器件粒子瞬态不同电荷收集机制方法

[发明专利]一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法-CN202110460172.7有效
发明人：王坦;丁李利;罗尹虹;张凤祁;赵雯;潘霄宇 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明提供一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法，解决传统电流源建模方法在推广到倾角入射情形时参数提取复杂、注入电荷总量估计不准确的问题。该方法综合考虑了入射位置、入射角度和有源区形状大小，能够更加合理准确的研究电路的单粒子效应并且预测其抗辐照能力。其包括：步骤一、获取待研究器件的版图；步骤二、确定离子在材料中的线性能量传输值，设定需要评估的离子在版图上的入射位置和入射方位角；步骤三、提取版图中的敏感节点轮廓，记录其在版图上的坐标；步骤四、获取不同倾角入射情况下的单粒子瞬态电流；步骤五、调用计算得到的单粒子瞬态电流，执行电路级仿真计算得到敏感节点的电压波形，并分析辐射效应结果。
一种针对不同倾角入射粒子瞬态电流建模方法

[发明专利]一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法-CN202211380003.3在审
发明人：赵雯;陈伟;罗尹虹;郭晓强;丁李利;张凤祁;王坦;江新帅;徐静妍 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明涉及空间辐射效应及加固技术领域，具体涉及一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法，用于解决现有针对单粒子翻转再恢复的数值仿真未考虑周围存储单元的耦合作用，无法准确预测翻转再恢复对多单元翻转的影响，以及由于单粒子翻转再恢复在存储阵列中的发生位置是随机的，同时其过程持续时间很短，响应过程难以通过实验直接获取的不足之处。该实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法将实验和仿真有机结合，实现重离子宽束实验、重离子微束实验和数值仿真的优势互补，可更全面细致地揭示单粒子翻转再恢复的产生机理和影响因素。
一种实验仿真相结合粒子翻转恢复分析方法

[发明专利]一种组合逻辑电路单粒子翻转效应传播规律的分析方法-CN201910310367.6有效
发明人：郭晓强;陈伟;赵雯;丁李利;王勋;张凤祁;罗尹虹;陈荣梅;曹良志 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：为了克服现有获得单粒子翻转的错误状态在逻辑电路中的传播规律方法成本高、效率低的技术问题，本发明提供了一种组合逻辑电路单粒子翻转效应传播规律的分析方法，通过局部建模结合统计方法来分析单粒子翻转效应在组合逻辑电路中的传播规律，适用于任意大规模数字集成电路中的组合逻辑电路单粒子翻转效应传播敏感性分析，成本低，效率高。
一种组合逻辑电路粒子翻转效应传播规律分析方法

[发明专利]纳米静态随机存储器单粒子翻转临界电荷获取方法-CN201811172041.3有效
发明人：赵雯;陈伟;王忠明;郭晓强;丛培天;罗尹虹;丁李利;郭红霞;潘霄宇;王坦;王勋 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于仿真的纳米静态随机存储器单粒子翻转临界电荷获取方法，包括步骤：建立纳米静态随机存储器的器件模型；获取器件模型的蝴蝶特性曲线；校准所述蝴蝶特性曲线；构建纳米静态随机存储器的几何结构模型；设置低能质子初始入射条件和器件模型初始偏置电压；获取低能质子在器件几何结构模型内的能量沉积数据；建立低能质子单粒子效应导致的载流子产生率的物理模型；获取器件模型的单粒子响应曲线；获取器件模型的单粒子效应敏感深度；调整低能质子入射条件和/或器件模型偏置电压，至器件模型发生单粒子翻转；推算纳米静态随机存储器的单粒子翻转临界电荷。本发明提高了单粒子翻转临界电荷的获取效率，成本低、可执行性好。
纳米静态随机存储器粒子翻转临界电荷获取方法

[发明专利]一种预估器件空间在轨低能质子单粒子翻转率的方法-CN202010377289.4有效
发明人： 罗尹虹;陈伟;张凤祁;王坦;丁李利;潘霄宇 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种预估器件空间在轨低能质子单粒子翻转率的方法，所述方法包括：对70MeV准单能质子降能，测试垂直入射条件下器件单粒子翻转峰值截面；在最劣方位角时，测试质子在一个或多个倾角入射时的SEU峰值截面；分别计算不同入射角度下能量小于3MeV的质子引发的SEU截面；计算质子入射每个角度区间的概率；将计算的不同入射角度时能量小于3MeV的质子SEU峰值截面分别乘以对应角度区间的质子入射概率并求和；计算空间轨道环境下，设定在轨时间内能量小于3MeV的全空间质子积分注量；将求和后的SEU峰值截面乘以能量小于3MeV的质子积分注量，即可获得器件空间在轨低能质子单粒子翻转率。
一种预估器件空间低能质子粒子翻转方法

[发明专利]基于单粒子翻转数据的物理LSB与逻辑地址映射关系提取方法-CN201910434451.9有效
发明人：王勋;张凤祁;丁李利;罗尹虹;郭晓强;陈伟 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：为了解决目前通过逆向工程获取芯片内部版图，提取芯片的物理地址与逻辑地址的对应关系，导致成本较高的技术问题，本发明提供了一种基于单粒子翻转数据的物理LSB与逻辑地址映射关系提取方法，包括步骤：1、准备单粒子翻转数据；2、计算并统计XOR参数和BHD参数；3、提取物理LSB与逻辑地址位映射关系；4、提取物理列LSB对应的逻辑位。本发明从待测器件的单粒子翻转数据中，提取出待测器件的物理LSB与逻辑地址位之间的映射关系，从而省去了对待测器件进行逆向工程的环节，降低了成本。
基于粒子翻转数据物理 lsb 逻辑地址映射关系提取方法

[发明专利]无版图信息条件下多位翻转信息提取方法-CN201910434454.2有效
发明人：王勋;张凤祁;郭晓强;丁李利;罗尹虹;陈伟 -专利权人：西北核技术研究院
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：为解决现有多位翻转信息提取方法需要通过逆向工程获取芯片内部版图，导致成本较高的技术问题，本发明提供了一种无版图信息条件下多位翻转信息提取方法，包括步骤：1、提取物理LSB与逻辑地址位的映射关系；2、利用步骤1提取得到的Nr位物理行LSB和Nc位物理列LSB与逻辑地址位的映射关系，从待测器件的单粒子翻转数据中提取多位翻转；利用步骤1提取的物理LSB与逻辑地址位的映射关系，获取步骤2所提取的所有相互隔离的多位翻转的形状。本发明从待测器件的单粒子翻转数据中，提取出待测器件的物理LSB与逻辑地址位之间的映射关系，并利用该映射关系从单粒子翻转试验数据中提取多位翻转信息，省去了对待测器件进行逆向工程的环节，降低了成本。
版图信息条件下翻转提取方法

[发明专利]一种集成电路单粒子闭锁在线监测系统及方法-CN202210477752.1在审
发明人：盛江坤;邱孟通;姚志斌;罗尹虹;丁李利;何宝平;马武英;缑石龙 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种辐射效应检测系统及方法，具体涉及一种集成电路单粒子闭锁在线监测系统及方法，解决被测器件在发生单粒子闭锁的情况下，对被测器件执行断电和重新上电的操作难以满足新型器件的辐射效应测试要求，且现有闭锁控制方法造成控制计算机开销大，其增加了多参数并行测试的设计难度，同时该测试系统在通用性方面存在一定限制的技术问题，该集成电路单粒子闭锁在线监测系统，包括控制模块、数据收发模块、数据处理模块、电流监测模块、电流采集模块、供电控制模块、供电开关以及激励测试模块；具有较好的通用性。本发明还提供了一种集成电路单粒子闭锁在线监测方法，可以更为高效的实现集成电路单粒子闭锁在线监测及处理。
一种集成电路粒子闭锁在线监测系统方法

[发明专利]一种标准单元抗单粒子效应加固的方法-CN202011286350.0有效
发明人：王定洪;丁李利;陈伟;罗尹虹;王坦;张凤祁;徐静妍;钟向丽 -专利权人：湘潭大学;西北核技术研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路领域，涉及一种标准单元抗单粒子效应加固的方法。甄别标准单元库中所有标准单元版图文件中的晶体管共源极连接、独立源漏连接方式，将其替换成共漏极连接方式；将标准单元库中高驱动能力单元内部两个较低驱动能力子模块用驱动能力相当的两个子模块替换；还可增加所有标准单元阱接触与第一层金属之间的金属接触孔数目。本发明有效地减小了标准单元敏感反偏漏极面积，增加了高驱动能力单元内部子模块的稳定性，缓解了由电荷共享引起的标准单元金属线上的电压降，能有效地对标准单元库单元进行抗单粒子效应加固。
一种标准单元粒子效应加固方法

[发明专利]一种NAND闪存的辐射效应实时测试方法、系统及终端设备-CN202210433274.4在审
发明人：盛江坤;姚志斌;陈伟;罗尹虹;丁李利;何宝平;马武英;缑石龙 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种NAND闪存的实时测试方法及系统，具体涉及一种NAND闪存的辐射效应实时测试方法、系统及终端设备，解决NAND闪存辐射效应实时测试系统及测试流程，面对现有的NAND闪存辐射效应实验研究需求，难以灵活、高效地实现NAND闪存辐射效应实时测试，导致影响准确评估NAND闪存抗辐射性能的技术问题。本发明一种NAND闪存的辐射效应实时测试系统中，指令执行模块通过指令缓存双端口RAM中缓存的执行指令序列、地址缓存双端口RAM中缓存的地址序列、数据缓存双端口RAM中缓存的数据序列以及指令执行模块、地址生成模块、控制时序生成模块和测试数据对比模块的存储器中缓存的设置指令，实现了NAND闪存测试时序、测试流程的灵活设置及NAND闪存抗辐射性能的准确评估。
一种 nand 闪存辐射效应实时测试方法系统终端设备

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