专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]宽带宽光学检测器-CN202011136839.X在审
  • 王建飞;J·梅尔茨;P·海姆 - 统雷量子电子有限公司
  • 2020-10-22 - 2021-04-23 - H04B10/079
  • 所描述的是用于推导覆盖了很宽的波长或频率范围的波长/频率信息的方法和系统。其实际应用包括固定波长的光信号以及宽带宽可调谐或不可调谐的光信号,其中波长/频率信息对于光信号的校准、控制和监视、光学通信以及数据处理来说是必需的。该方法具有“自补偿”特征,这对提高所提取的波长或频率信息的精度来说是优选的,即使是在系统中的组件在很宽的波长或频率范围中具有强波长或频率依赖性的情况下。该方法是一种通用方法,其可以在自由空间、光纤或光子集成电路(PIC)中实现。
  • 宽带光学检测器
  • [发明专利]量子级联激光器-CN201480064803.1有效
  • C·G·卡诺;C·E·扎赫;谢峰 - 统雷量子电子有限公司
  • 2014-11-26 - 2019-06-18 - H01S5/34
  • 一种量子级联激光器结构,包括多个量子阱和多个势垒,所述多个量子阱的至少一部分限定了一激活区,所述激活区的一端邻接一注入势垒,其中:在限定激活区的多个量子阱中的两个或多个相邻量子阱位于注入势垒的附近,并且每一个所述两个或多个量子阱都具有一宽度,所述宽度比所述限定激活区的多个量子阱中两个或多个后续量子阱的宽度要窄。所述生成的激活区具有增加的从较高的光子发射能态跃迁到较低的光子发射能态的寿命,并带来更高的效率和更好的整体性能,特别是对于在长波长(>7μm)上发射或者产生激光的设备。
  • 量子级联激光器
  • [发明专利]用于光电子器件的无源波导结构-CN201580020836.0有效
  • C·G·卡诺;谢峰;C·E·扎赫 - 统雷量子电子有限公司
  • 2015-02-23 - 2019-05-07 - H01S5/20
  • 公开了一种具有光学模式和增益区的半导体光发射器,所述光发射器包括由半导体材料A和B的双交替层制成的低损耗波导结构,半导体材料A和B分别具有折射率Na和Nb,低损耗波导中的光学模式的有效折射率No处于Na和Nb之间。其中No与增益区折射率的差值在5%的误差容限内,其中所述增益区是与低损耗波导相对接,其中所述低损耗波导中的光学模式的大小及形状和增益区的大小及形状的差值在10%的误差容限内。理想地,所述半导体材料A和B中至少一个具有足够较大的带隙,使得在15V的偏压下,无源波导结构能够阻挡电流。
  • 用于光电子器件无源波导结构

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