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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件-CN201710324910.9有效
发明人： 简郁芩;詹景琳;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种半导体元件。半导体元件包括具有第一导电型的第一掺杂区与第二掺杂区以及具有第二导电型的第三掺杂区位于基底中。第三掺杂区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第二掺杂区位于第一掺杂区的一侧。第二掺杂区的俯视图案具有至少一凹部。第三掺杂区的俯视图案具有对应至少一凹部的至少一凸部。
半导体元件

[发明专利]具有栅极结构的半导体元件及其制造方法-CN201510746513.1有效
发明人： 简郁芩;詹景琳;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有栅极结构的半导体元件及其制作方法。该半导体元件，包括一基板、一高压阱、一高压掺杂区、一漏极区、一源极区、一第一栅极结构及一第二栅极结构。基板具有第一导电型。高压阱具有第二导电型且配置于基板中。高压掺杂区具有第一导电型且配置于高压阱中。漏极区配置于高压阱中且与高压掺杂区隔开。源极区配置于高压掺杂区中。第一栅极结构配置于高压掺杂区的第一侧部分上，位于源极区与漏极区之间。第二栅极结构配置于高压掺杂区的第二侧部分上，第二侧部分相对于第一侧部分。
具有栅极结构半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510260892.3有效
发明人： 简郁芩;詹景琳 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件包括具有第一电性的一基材、具有第二电性并形成于基材之中的一高压阱区、形成于高压阱区中的一漂移区、形成于高压阱区中且与漂移区隔离的一漏极，以及具有第一电性、形成在高压阱区中且位于漂移区和漏极之间的一埋藏区。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]双载子结晶体管-CN201610883072.4在审
发明人：詹景琳;林正基;简郁芩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双载子结晶体管，包括基底、第一阱区、第二阱区、射极、集极、基极、第一硬掩膜层与第二硬掩膜层。第一阱区设置于基底中。第二阱区设置第一阱区中。射极设置于第二阱区中。集极设置于第一阱区中。基极设置于第二阱区中，且位于射极与集极之间。第一硬掩膜层设置于射极与基极之间的基底上。第二硬掩膜层设置于基极与集极之间的基底上。第一阱区、射极与集极为第一导电型，且第二阱区与基极为第二导电型。
双载子结晶体

[发明专利]具有金属层的半导体装置及其制造方法-CN201510220340.X在审
发明人：詹景琳;林正基;简郁芩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属层的半导体装置及其制造方法，该种半导体装置包括基板、高压阱、源极阱、源极区、隔离层及金属层。基板具第一导电型，高压阱形成于基板中并具第二导电型，源极阱形成于高压阱中并具第一导电型，源极区形成于源极阱中，隔离层形成于高压阱上并与源极阱分开，栅极层形成于基板上，并自源极阱的边缘部分上连续延伸至隔离层的边缘部分上，金属层形成于基板与隔离层上。金属层包括第一金属部分、第二金属部分及第三金属部分，第一金属部分与栅极层的边缘部分及隔离层的侧边部分重叠，第二金属部分与栅极层部分重叠并电性接触，第三金属部分与源极区部分重叠并电性接触。
具有金属半导体装置及其制造方法

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