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[实用新型]一种电吸收调制激光器和光模块-CN202222484594.0有效
发明人：王火雷;章力明 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电吸收调制激光器和光模块，电吸收调制激光器，包括：衬底和并排设置于衬底上方的DFB量子阱、EAM量子阱。N面电极，设置于衬底的下方。光栅层，设置于DFB量子阱上方。导电覆盖层，设置于光栅层与EAM量子阱上方。高反射镀膜层、增透镀膜层，与N面电极、导电覆盖层形成闭合空间；增透镀膜层与导电覆盖层之间设置窗口区域；窗口区域包括：InP填充区和InGaAs吸光区；InP填充区位于衬底与InGaAs吸光区之间。信号光在InP窗口区域出射光由波导光变为空间光传输，从而减小了出光面的端面反射，同时InGaAs吸光区可避免信号光经InP窗口区域射出从而形成侧光斑，提高光的耦合效率。
一种吸收调制激光器模块

[发明专利]一种激光器、制备方法及光模块-CN202110641298.4在审
发明人： 章力明;王火雷 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，包括：衬底；第一保护层，设置在衬底上方的一端；第二保护层，设置在衬底上方的另一端；有源区，设置在衬底的上方，且位于第一保护层和第二保护层之间；其中，所述有源区包括：缓冲层，设置在衬底的上方；下波导层，设置在缓冲层的上方；铝镓铟砷多量子阱有源层，设置在下波导层的上方；上波导层，设置在铝镓铟砷多量子阱有源层的上方；过渡层，设置在上波导层的上方；保护层，设置在过渡层的上方；光栅层，设置在保护层中。本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，采用第一保护层和第二保护层形成激光器的出光端面，有效避免了含铝材料暴露在空气中发生氧化，提高了激光器的性能与可靠性。
一种激光器制备方法模块

[发明专利]一种激光器、制备方法及光模块-CN202110641939.6在审
发明人： 章力明;王火雷 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，包括：衬底；N电极，设置在所述衬底的第一面上；有源区，设置在所述衬底的第二面上，所述第二面与所述第一面相对设置；脊波导，设置在所述有源区的上方；掩埋层，设置在所述脊波导的两侧且位于所述有源区的上方；P电极，设置在所述脊波导和所述掩埋层的上方；其中，所述脊波导包括：特殊设计层，设置在所述有源区的上方，所述特殊设计层用于改变光场分布；接触层，设置在所述特殊设计层的上方。本申请提供的一种激光器、制备方法及光模块，特殊设计层可用于改变光场分布，因此在制备激光器上脊波导的过程中无需刻蚀到有源区中，进而减低铝镓铟砷因暴露在空气中而氧化的概率。
一种激光器制备方法模块

[发明专利]一种EML芯片及光模块-CN202110267875.8在审
发明人： 章力明;吴名忠 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本申请提供的EML芯片及光模块，EML芯片用于光模块；EML芯片包括：衬底；EAM‑MQW层，设置在衬底的上方；DFB‑MQW层，设置在EAM‑MQW层的上方；光栅层，设置在DFB‑MQW层的上方；InP包层，沉积设置在光栅层的上方；电极层，刻蚀设置在InP包层的上表面，电极层包括DFB正电极、EAM正电极和EML负电极，DFB正电极和EAM正电极之间设置电隔离区，DFB正电极位于DFB‑MQW层的上方。通过EAM‑MQW层上方设置DFB‑MQW层实现DFB‑MQW和EAM‑MQW的堆叠，减少EML芯片制作复杂性，以提升EML制成速度，提高EML晶元的良率和稳定性，便于保证EML芯片的一致性。
一种 eml 芯片模块

[发明专利]一种EML芯片及光模块-CN202110206578.2在审
发明人： 章力明;王火雷 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本申请提供的EML芯片及光模块，EML芯片用于光模块；所述EML芯片包括：衬底；DFB‑MQW层，设置在所述衬底的上方；EAM‑MQW层，设置在所述衬底的上方，所述EAM‑MQW层的首端连接所述DFB‑MQW层的末端；光栅层，设置在所述DFB‑MQW层的上方；InP包层，设置在所述EAM‑MQW层和所述光栅层的上方，且所述InP包层的上方设置有电隔离区，所述电隔离区的左侧设置DFB正电极和EML负电极，所述DFB正电极位于所述DFB‑MQW层的上方，所述电隔离区的右侧设置EAM正电极，所述EAM正电极位于所述EAM‑MQW层的上方。本申请实施例的EML芯片及光模块，充分提高光发射调制速率。
一种 eml 芯片模块

[发明专利]一种激光芯片制备方法、激光芯片及光模块-CN202210601931.1在审
发明人： 章力明 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请提供的激光芯片制备方法、激光芯片及光模块中，在InP材料的衬底层上生长含有铝铟镓砷量子陉结构的基片；在基片上表面通过光刻形成SiO2掩膜层，并对基片进行掩膜刻蚀，得到台面结构；利用MOCVD CBr4原位清洗，沿台面结构生长掩埋层；利用MOCVD，沿掩埋层生长阻挡层；然后继续生长，得到预设厚度的激光芯片；通过掩埋层可以将台面结构的刻蚀面保护起来，以避免台面结构外表面被空气氧化，降低在得到台面结构后续过程中再生长和刻面涂层的难度，同时由于台面结构外表面被空气强化程度降低，可改善表面形貌，进而保证AlInGaAs量子阱激光芯片的性能。
一种激光芯片制备方法模块

[实用新型]一种激光芯片及光模块-CN202221333511.1有效
发明人： 章力明 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本申请提供的一种激光芯片及光模块中，激光芯片包括衬底层，衬底层上表面由内而外依次设有台面结构、掩埋层和阻挡层，掩埋层包括第一连接面和第二连接面，本申请通过掩埋层可包裹台面结构的外表面，这样在得到台面结构后，通过掩埋层可以将台面结构的刻蚀面保护起来，同时在掩埋层的空白区域内填充有阻挡层，阻挡层可进一步将台面结构的刻蚀面保护起来；以避免台面结构外表面被空气氧化，降低在得到台面结构后续过程中再生长和刻面涂层的难度，同时由于台面结构外表面被空气强化程度降低，可改善表面形貌，进而保证AlInGaAs量子阱激光芯片的性能。
一种激光芯片模块

[实用新型]一种激光芯片及光模块-CN202122905995.4有效
发明人：梁海波;章力明;马军涛 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供的激光芯片及光模块中，激光芯片表面设置有至少两个激光器，其中一个所述激光器包括增益区和光栅区，光栅区设有电极，通过电极向光栅区输入不同电流以输出不同波长光束，进而向相对短波长方向增加光栅自身的波长调制范围；另一个所述激光器包括增益区和光栅区，且光栅区的光波导延伸方向相对于出光方向倾斜，通过改变倾斜角大小以输出不同波长的第二光束，通过采用斜波导设计，实现向相对长波长方向增加波长调制范围。本申请可以实现在激光芯片层次集成激光器，实现单颗芯片多路激光器同时工作，提高芯片的集成密度，且可以通过载流子注入变化和斜波导共同实现波长的精确调制。
一种激光芯片模块

[发明专利]一种激光芯片及光模块-CN202111432015.1在审
发明人：梁海波;章力明;马军涛;吴名忠 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本申请提供的激光芯片及光模块中，激光芯片集成有增益区、光栅区和电吸收调制区，增益区产生光束，光栅区对光束进行波长调谐；电吸收调制区的量子阱具有特殊的结构设计，保证优良的传输性能，进一步提高信号调制速度；同时量子阱衬底层和金属电极之间、回置层和金属电极之间、量子阱顶层和金属电极之间均填充有二氧化硅层；本申请实施例中的电吸收调制区通过特殊设计进而实现25G信号调制速度，满足10公里传输距离要求。因此，本申请实施例中的激光芯片为一款集成增益、波长可调节、电信号调制功能于一身的芯片。
一种激光芯片模块

[发明专利]一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器-CN201910216626.9在审
发明人：梁海波;章力明;马军涛;劳燕峰 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器，其包括：器件主体，器件主体的底部设有衬底，衬底上部设有波导层，波导层上方设有轻度掺杂层，轻度掺杂层内部的前端嵌入有光栅，轻度掺杂层的上方设有重度掺杂层，重度掺杂层的上方设有P金属层，P金属层的上方与电极相连接；器件主体的后端面为高反射面，器件主体的前端面为低反射面，器件主体中所产生的激光通过波导层中的光栅从低反射面射出；本发明通过对激光器的构造进行了改进，使其在满足了输出光功率的需求同时，极大地降低了输入激光器的功率，其极大地降低了能耗，满足了当今社会对节能环保的要求。
器件主体轻度掺杂层波导层布拉格光栅激光器硅光子电路光栅分布反馈重度掺杂激光器反射面高功率金属层衬底激光器技术领域输出光功率高反射面节能环保后端面前端面电极射出嵌入能耗激光改进

[发明专利]电子/光子集成电路架构及其制造方法-CN201280061229.5有效
发明人：陈龙;彼得罗·贝尔纳斯科尼;董甫;章力明;陈扬凯 -专利权人：阿尔卡特朗讯
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种装置(100)包含无源光子层(130p)，所述无源光子层(130p)位于衬底(110)上方且包含至少一个无源光子元件(150)，所述至少一个无源光子元件(150)经配置以在其中传播光学信号。位于所述衬底(110)与所述无源光子层(130p)之间的电子层(120)包含至少一个电子装置(122，123，126)，所述至少一个电子装置(122，123，126)经配置以在其中传播电信号。位于所述无源光子层(130p)上方的有源光子层(130a)包含有源光子装置(160)，所述有源光子装置(160)光学地耦合到所述无源光子元件(150)且经配置以在所述电信号与所述光学信号之间转换。
电子光子集成电路架构及其制造方法

[发明专利]光学波导光栅耦合器-CN201180016962.0无效
发明人：陈龙;章力明;克里斯托弗·多尔;尼古拉斯·杜普伊斯 -专利权人：阿尔卡特朗讯
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含结晶无机半导体衬底(110)的设备(100)。平面光学波导核心(120)位于所述衬底上方以使得所述平面光学波导核心的第一长度直接在所述衬底上。光学散射结构(130)的规则阵列位于所述平面光学波导核心的第二长度内。腔(160)位于所述衬底中所述规则阵列与所述衬底之间。
光学波导光栅耦合器

[发明专利]单片相干光探测器-CN200980132109.8无效
发明人：陈阳闿;克里斯托弗·理查德·多尔;文森特·艾蒂安·霍茨玛;胡庭祯;安德烈亚斯·贝托尔德·莱文;戴维·托马斯·尼尔森;尼尔斯·京特·魏曼;章力明 -专利权人：阿尔卡特朗讯美国公司
申请日： 2009-08-12 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：光接收机包括单片集成光电回路，所述单片集成光电回路包括具有平面表面的衬底。沿平面表面，单片集成光电回路包括光混合器、一个或多个可变光衰减器和光电探测器。光混合器连接来接收光束，以将接收到的具有多个相对相位的光束的光进行干涉，且经由其光输出来输出干涉后的光。所述一个或多个可变光学衰减器中的每一个连接在相应的光输出和相应的光电探测器之间。
单片相干光探测器

[发明专利]自锁模半导体激光器-CN200680040250.1无效
发明人： W·杨;章力明 -专利权人：卢森特技术有限公司
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：自锁模半导体激光器。一种带间自锁模(SML)半导体激光器使用包括有源波导部分(101)和共同增强自锁模的一个或多个无源波导部分(301A、301B、301B’)的有源波导结构。该SML激光器工作是基于通过将有源部分与一个或多个无源波导部分垂直光学组合的增强克尔透镜锁模。
半导体激光器

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