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[发明专利]整合型沟道分离式功率组件及其制造方法-CN202080016657.0在审
发明人：曾军;蒲奎;穆罕默德·恩·达维希;苏世宗 -专利权人：麦斯功率半导体股份有限公司
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种整合型沟道分离式功率组件其具有含有U形闸极的沟槽。当偏压高于阈值电压时，在低掺杂p型井区中建立导电通道。场板位于沟槽中且在闸极下方。场板耦接于源极电极，以沿着沟槽散布电场，从而改善崩溃电压。顶部的闸极多晶层初期形成相对地薄，以可使用如干蚀刻或湿蚀刻的非化学机械研磨的技术来进行图案化。因此可通过不具化学机械研磨的传统制程来制作。在一实施例中，薄闸极具有垂直及横向部分，以在低掺杂p型井区中建立垂直及横向通道。在其他实施例中，薄闸极仅沿着沟槽侧壁的垂直部分，以减少表面积与门极电容。
整合沟道分离功率组件及其制造方法

[发明专利]半导体测试结构、制造方法及方块电阻测量方法-CN201811086298.7有效
发明人：蒲奎;杜文芳;曾军;穆罕默德·恩·达维希;苏世宗 -专利权人：成都迈斯派尔半导体有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体测试结构、制造方法及方块电阻测量方法，涉及半导体技术领域。通过在衬底上形成第一掺杂层和第二掺杂层，在第一掺杂层和第二掺杂层以外的衬底中制作形成第一电极，在第一掺杂层和第二掺杂层内形成第二电极，并在第一电极和第二电极之间形成第三电极。在进行方块电阻测量时，通过第一电极和第二电极施加测试电流，通过第三电极施加偏置电压，第三电极在适当偏压下将沟道反型，将第一掺杂层和第三掺杂层连通，根据不同掺杂层的导电类型，合理设置电流流向，使第一掺杂层与第二掺杂层之间PN结在测试中处于零偏或轻微反偏。第二掺杂层在测量中处于旁路状态，实现对第一掺杂层方块电阻独立测量，提高方块电阻测量精度。
半导体测试结构制造方法方块电阻测量方法

[发明专利]具有平面状通道的垂直功率金氧半场效晶体管元胞-CN201480002340.6有效
发明人：曾军;穆罕默德·恩·达维希;蒲奎;苏世宗 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有平面状通道的垂直功率金氧半场效晶体管元胞，包括具有漏极电极的N+硅基板。低掺杂浓度N型漂移层长于该基板上。交替的N型纵列与P型纵列形成于该漂移层上并具有较高的掺杂浓度。然后具有高于该漂移区的掺杂浓度的N型层被形成且被蚀刻成具有侧壁。P井被形成于该N型层，并且N+源极区被形成于该P井中。栅极被形成于该P井的横向通道上，并且靠近该侧壁以作为一垂直场板。源极电极接触该P井与源极区。正栅极电压反型该横向通道并且沿着该侧壁来增加导电性。该源极与该漏极之间的电流横向地流动，然后透过多样的N层来垂直地流动。开启电阻被减少且该击穿电压被增加。
具有平面通道垂直功率半场晶体管

[发明专利]具有带锥形氧化物厚度的多晶硅填充渠沟的功率组件-CN201680004135.2有效
发明人：布朗夏尔·理查·厄;穆罕默德·恩·达维希;曾军 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2016-09-01 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了在一个具体实施例中，功率金氧半导体场效晶体管(power MOSFET)垂直地传导电流。底部电极可能连接至正电压，而顶部电极可能连接至低电压，例如接地负载。闸极和/或场板(例如多晶硅)系在渠沟内。该渠沟具有使该多晶硅与该等硅壁面隔离的锥形氧化物层。该氧化物接近该渠沟的底部比接近该顶部更厚，以提高该崩溃电压。该锥形氧化物借由将氮植入该等渠沟壁面中以形成锥形氮掺杂物浓度而形成。这在退火之后形成锥形氮化硅层。该锥形氮化硅在后续氧化步骤中可变地抑制氧化物生长。
具有锥形氧化物厚度多晶填充渠沟功率组件

[实用新型]具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201720142692.2有效
发明人： 穆罕默德·恩·达维希;曾军;苏世宗 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单体，包括一N+硅基板，其具有漏极电极。低掺杂物浓度N型漂移层生长在该基板上面。具有比该漂移区更高掺杂物浓度的N型层随后形成及刻蚀，以具有侧壁。P‑井形成在该N型层中，而N+源极区形成在该P‑井中。栅极形成在该P‑井的侧向沟道上面，并在该等侧壁的顶端部分旁边具有垂直延伸物。正栅极电压反转该侧向沟道并沿着该等侧壁提高该传导，以减小导通电阻。垂直屏蔽场板也位于该等侧壁旁边，并几乎延伸该等侧壁的整个长度。当该装置为关断以提高该击穿电压时，该场板侧向耗尽该N型层。
具有平面沟道垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]沟槽式井区电场屏蔽功率MOSFET结构及制作方法-CN201210082499.6无效
发明人：苏世宗;曾军;穆罕默德·恩·达维希 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种沟槽式井区电场屏蔽功率金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制作方法，用以在单一记忆单元(Unit cell)的各沟槽结构下提供具有电场屏蔽的井区，而达到增加击穿电压与降低漏电流。其中，该制作方法是在基板及外延层上蚀刻出栅极沟槽与源极沟槽，再借由植入不同的掺杂物，用以形成电场屏蔽的井区，且借由将氧化层以全部或部分填满的方式填入该栅极沟槽与该源极沟槽内部，并形成基体井区(Pwell junction)与源极接面(Source junction)，以及在源极接点区(Source contact)进行硅与多晶硅的蚀刻，并以P型重掺杂植入源极接点区。故借由本发明的结构与制作可达到降低漏电流及加强雪崩能量耐受度的目的。
沟槽式井区电场屏蔽功率 mosfet 结构制作方法

[实用新型]内嵌分离式多晶硅电极的沟槽式屏蔽井区功率MOSFET-CN201220130477.8有效
发明人： 穆罕默德·恩·达维希;曾军;苏世宗 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种内嵌分离式多晶硅端电极的沟槽式屏蔽井区功率MOSFET，该晶体管由多个单位晶胞(Unit Cell)所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：基板、外延层、基体接面、源极接面、绝缘层、多个栅极端电极、源极端电极、第一屏蔽井区与第二屏蔽井区。其中，该外延层设置于该基板的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽，而该栅极沟槽内嵌有栅极电极与屏蔽电极，又该栅极电极与该屏蔽电极彼此相互分离地设置。此外，该源极沟槽或该栅极沟槽可为浅沟槽或深沟槽的至少其中之一。故借由本实用新型的晶体管可用以降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度。
分离多晶电极沟槽屏蔽功率 mosfet

[实用新型]内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率MOSFET-CN201220127047.0有效
发明人： 穆罕默德·恩·达维希;曾军;苏世宗 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种内嵌电极的多阶沟槽式电场屏蔽功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其由多个单位晶胞(Unit cell)所组成，且在每一单位晶胞中的各沟槽式(trench)结构下，又进一步提供具有电场屏蔽的多个多阶沟槽(multi-step trench)结构，用以形成可提供高击穿电压与低漏电流的一种高可靠性组件。其中，这些单位晶胞的任意一个的结构包含基板、外延层、具有多个多阶栅极沟槽的栅极沟槽单元、具有多个多阶源极沟槽的源极沟槽单元、第一屏蔽井区、第二屏蔽井区、基体接面、源极接面与绝缘层。其中，这些多阶栅(或源)极沟槽的宽度分别地窄于或等于该第一栅(或源)极沟槽的宽度。故借由本实用新型可用以降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度。
电极沟槽电场屏蔽功率 mosfet

[实用新型]内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率MOSFET-CN201220127081.8有效
发明人： 穆罕默德·恩·达维希;曾军;苏世宗 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其由多个单位晶胞所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：基板、外延层、基体接面、源极接面、绝缘层、栅极电极、源极电极与屏蔽井区。其中，该外延层设置于该基板的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽，而该源极沟槽的底部设置该屏蔽井区或该源极沟槽的四周边缘包覆该屏蔽井区。故借由本实用新型的结构可用以达到降低漏电流及加强雪崩能量耐受度的目的。
电极沟槽单一屏蔽功率 mosfet

[实用新型]内嵌沟槽式功率MOSFET-CN201220127046.6有效
发明人： 穆罕默德·恩·达维希;曾军;苏世宗 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种内嵌沟槽式功率金属氧化物半导体场效应晶体管由多个单位晶胞(unit cell)所组成，且这些单位晶胞(single cell)的任意一个结构包含：基板、外延层、基体接面、源极接面、绝缘层、栅极电极与源极电极。其中，该基体接面在该源极沟槽的两侧边具有重掺杂区；该源极接面设置于该基体接面的一侧，且该源极接面设置于该栅极沟槽两侧；该绝缘层设置于该源极接面的一侧，且该绝缘层填入该栅极沟槽与该源极沟槽；该栅极电极借由该绝缘层内嵌设置于该栅极沟槽；以及该源极电极借由该绝缘层内嵌设置于该源极沟槽。故借由本实用新型的金属氧化物半导体场效应晶体管，用以达到降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度。
沟槽功率 mosfet

[实用新型]屏蔽电极式沟槽功率MOSFET-CN201220127050.2有效
发明人： 穆罕默德·恩·达维希;曾军;苏世宗 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种屏蔽电极式沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管由多个单位晶胞(unit cell)所组成，且这些单位晶胞的任意一个结构包含：基板层、外延层、基体接面、源极接面、绝缘层、栅极电极、源极电极与屏蔽电极(shield electrode)。其中，该外延层设置于该基板层的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽，且该栅极沟槽与该源极沟槽中所对应设置的该栅极电极与该源极电极的至少其中一个又选择性地设置分离式的该屏蔽电极。故借由本实用新型的屏蔽电极式沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管，可用以达到降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度。
屏蔽电极沟槽功率 mosfet

[发明专利]改良式击穿电压的边缘端点-CN200980113106.X有效
发明人：曾军;穆罕默德·恩·达维希;苏世宗 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种在边缘端点区域上具有低表面电场的金属氧化物半导体场效晶体管开关，其还具有提高的击穿电压。该金属氧化物半导体场效晶体管开关具有利用N-P-N夹层结构的新式边缘端点结构。该金属氧化物半导体场效晶体管开关还具有多晶硅场板构造以增强在该N-P-N夹层结构中主要的PN结边缘上的任何耗尽层的任何扩展。
改良击穿电压边缘端点

[发明专利]半导体装置结构及其相关工艺-CN200980113105.5有效
发明人：曾军;穆罕默德·恩·达维希 -专利权人：马克斯半导体股份有限公司
申请日： 2009-02-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种改良式高可靠性功率凹陷场板(RFP)结构以及其制造工艺和操作处理。该结构包括位于这些RFP沟槽底下的复数个局部化掺杂物浓度区域，其浮动或延伸并且与MOSFET的本体层汇合，或通过竖直掺杂区域与该源极层连接。此局部掺杂物区降低该装置中本体二极管的少数载流子注入效率，并且改变该本体二极管反向恢复期间的该电场分布。
半导体装置结构及其相关工艺

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