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- [发明专利]一种量子点的制备方法-CN202111408943.4有效
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蒋畅;程陆玲;汪鹏生;丁云;孙笑
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合肥福纳科技有限公司
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2021-11-25
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2023-08-18
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C09K11/74
- 本申请提供一种量子点的制备方法，属于量子点技术领域。量子点的制备方法包括：使Ⅲ‑Ⅴ族量子点溶液在温度150～300℃下反应0.1～3h，并在反应过程中持续向Ⅲ‑Ⅴ族量子点溶液中添加含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液、含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液和酸。本申请通过向Ⅲ‑Ⅴ族量子点溶液中添加含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液、含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液和酸，酸能够让形成的尺寸较小的Ⅲ‑Ⅴ族量子点或团簇的Ⅲ‑Ⅴ族量子点溶解，即Ⅲ‑Ⅴ族量子点在形成过程中会出现可逆的现象，这就使得会有新的自由的单体持续不断的长到较大的量子点颗粒上去。另外补充的酸会消耗掉部分的含Ⅴ族的阴离子的前驱体，从而实现有效抑制自成核的出现。
- 一种量子制备方法
- [发明专利]量子点及其制备方法和发光材料-CN202310561338.3在审
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丁云;程陆玲
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合肥福纳科技有限公司
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2023-05-18
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2023-08-15
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C09K11/70
- 本发明涉及量子点制备技术领域，公开了量子点及其制备方法和发光材料。公开的量子点的制备方法，包括：向温度为110～200℃的混合溶液中加入阴离子前驱体反应生成晶核，混合溶液中包括有阳离子前驱体和酸配体；向反应体系中加入与混合溶液体积比为1/3～1/2的1‑十八烯进行淬灭；淬灭后升高反应体系温度为220～300℃使晶核长大为量子点核；在量子点核外包覆壳层。量子点，采用前述的制备方法制得。发光材料，包括上述的量子点。本发明提供的制备方法由于生成晶核后加入1‑十八烯进行淬灭，故能减缓反应速率，制得尺寸均一的量子点，且该制备方法采用一锅法合成，对于放大生产具有十分重要的意义。
- 量子及其制备方法发光材料
- [发明专利]一种优化发光二极管的方法-CN202011343695.5有效
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程陆玲;翁兴焕;乔之勇
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合肥福纳科技有限公司
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2020-11-25
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2023-04-18
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H10K71/12
- 一种优化发光二极管的方法，属于发光二极管领域。发光二极管包括阳极、衬底、空穴传输层、量子点发光二极管、电子传输层以及阴极，其中，电子传输层为金属氧化物材料。在电子传输层中，利用具有活泼的氮元素或氧元素的有机分子在作为电子传输层的基体的金属氧化物材料表面形成氢键，并抑制羟基与羟基脱水缩合反应。其中，有机分子包括N,N‑二甲基苯胺、二苯甲酮或N‑乙烯基吡咯烷酮；其中，金属氧化物材料是纳米颗粒；有机分子和纳米颗粒状态的金属氧化物材料是以共混方式存在于电子传输层。上述方法能够优化发光二极管中的电子和空穴的复合平衡，从而改善其效率和寿命。
- 一种优化发光二极管方法
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