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[发明专利]量子点的后处理方法-CN201811611004.8有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点的后处理方法，包括：提供初始量子点溶液；将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；将所述第二量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第三次序的混合并加热，得到第三量子点溶液。
量子处理方法

[发明专利]量子点的后处理方法-CN201811611010.3有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点的后处理方法，包括：提供初始量子点溶液；将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；将所述第二量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第三次序的混合并加热，得到第三量子点溶液，三个次序的混合并加热过程中，包括将所述次序的量子点溶液与有机胺或有机胺和有机膦进行混合并加热的A次序，以及将所述次序的量子点溶液与有机羧酸或有机羧酸和有机膦进行混合并加热的B次序；且所述B次序在所述A次序之前。
量子处理方法

[发明专利]用于电子传输层的组合物及其制备方法和应用-CN202110771996.6在审
发明人：蒋畅;程陆玲 -专利权人：合肥福纳科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电子传输层的组合物及其制备方法和应用，所述组合物包括：ZnO；ZnCaO；以及第一溶剂。本发明以ZnCaO和ZnO的混合物作为电子传输层，相比于纯ZnO或者纯ZnCaO的电子传输层，可以有效地阻止电荷从量子点转移到电子传输层，有利于电子的传输并维持了量子点膜的电中性，使得采用该组合物的量子点器件具有高电荷平衡的同时还能实现电子的快速传输，从而使采用该组合物的量子点器件的效率也有所改善。
用于电子传输组合及其制备方法应用

[发明专利]纳米复合材料及其制备方法和应用-CN201711347703.1有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米复合材料，包括交联结合的金属氧化物纳米颗粒和碳纳米管，所述纳米复合材料具有如下化学结构单元：M@(NH‑R‑SiO3)nCm或M@(SH‑R‑SiO3)nCm，其中，@表示交联结合，M为金属氧化物纳米颗粒，Cm为碳纳米管，R为烃基或烃基衍生物，nm。
纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种复合膜及其制备方法与应用-CN201711354136.2有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种复合膜及其制备方法与应用，方法包括步骤：将所述富勒醇与硅烷偶联剂混合后脱水，得到硅烷偶联剂修饰的富勒烯；配制硅烷偶联剂修饰的富勒烯的碱性溶液；将所述硅烷偶联剂修饰的富勒烯的碱性溶液沉积在所述基板上，形成第一薄膜；在所述第一薄膜上沉积所述金属氧化物纳米颗粒溶液，形成第二薄膜，并在所述第一薄膜和第二薄膜的结合界面处，使位于第一薄膜表面的富勒烯中表面的氨基或巯基与位于第二薄膜表面的金属氧化物纳米颗粒中的表面金属元素结合，制备得到所述复合膜。本发明不仅能够降低气敏传感器制备成本，还能够进一步改善气敏传感器的选择性能。
一种复合及其制备方法应用

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN201811432412.7有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间还设置有电子传输层，所述电子传输层材料为由PAMAM树形分子和纳米金属氧化物组成的混合材料。由于PAMAM树形分子既是σ给予体又是π给予体，这使得PAMAM树形分子具有一定的电子传输能力，但是由于PAMAM树形分子本身不具有自由电子，因此其电子传输能力相对金属氧化物而言较弱。本发明采用由PAMAM树形分子和纳米金属氧化物组成的混合材料作为电子传输层材料，可降低量子点发光二极管的电子迁移率，从而使量子点发光二极管的电子空穴注入速率达到平衡，进而提高量子点发光二极管的发光效率。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种量子点墨水及其制备方法-CN201811640833.9有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C09D11/03 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点墨水及其制备方法，所述量子点墨水包括墨水溶剂以及分散在所述墨水溶剂中的量子点，所述墨水溶剂包括有机羧酸和有机胺，所述有机羧酸和有机胺之间通过所述有机羧酸中的羧酸根离子与所述有机胺中的铵根离子结合。本发明利用沸点和粘度相对较低的有机羧酸和有机胺制备得到链长增长的络合分子，所述络合分子的粘度相对有机羧酸和有机胺的粘度变大，因此，以所述络合分子作为量子点墨水的溶剂可提升其粘度，且所述络合分子在热处理条件下可重新分解为低沸点的有机羧酸和有机胺，从而便于去除。
一种量子墨水及其制备方法

[发明专利]量子点发光器件及其制备方法-CN202110747664.4在审
发明人：蒋畅;程陆玲 -专利权人：合肥福纳科技有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请提供一种量子点发光器件，属于量子点发光技术领域。该量子点发光器件包括沿预设方向层叠的量子点发光层以及电子传输层，电子传输层包括在预设方向层叠的多个电子传输结构层。任意相邻两个电子传输结构层中，电子传输材料相同，远离量子点发光层的电子传输结构层中的电子传输材料的颗粒平均尺寸为A nm，靠近量子点发光层的电子传输结构层中的电子传输材料的颗粒平均尺寸为Bnm，A＞B。能够改善电子和空穴注入的不平衡的问题以及激子分离现象，从而能够有效提高量子点发光器件的发光效率。
量子发光器件及其制备方法

[发明专利]制备(I-III-VI族)AgInS2-CN202110474352.0在审
发明人：孙笑;程陆玲 -专利权人：合肥福纳科技有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明公开了制备(I‑III‑VI族)AgInS2量子点的方法。该方法包括：将Ag源、In源、表面配体与第一溶剂混合，得到阳离子前驱体溶液；将S源与第二溶剂混合，得到阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液进行第一加热处理后，向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液，并进行第一合成反应，得到AgInS2量子点原液；对所述AgInS2量子点原液进行离心处理，并对所得清液进行清洗处理，得到所述AgInS2量子点。该方法可制备得到窄带边发射的AgInS2量子点，且方法可控性高，能够满足实际应用的要求。
制备 iii vi agins base sub

[发明专利]一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管-CN201910160949.0有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明提供一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管，所述复合材料包括金属氧化物纳米颗粒和结合在所述金属氧化物纳米颗粒表面的有机分子，所述有机分子选自表卤醇类化合物分子、乙烯砜类化合物分子、卤化氰类化合物分子、三氟代烷烃磺酰卤类化合物分子、羰基咪唑或二琥珀酰亚胺基碳酸酯。所述的复合材料表面具有稳定的有机分子，将所述复合材料用作量子点发光二极管的电子传输层时，在工作状态下，不仅能保持良好的传输性能，并且复合材料表面的所述有机分子还不易脱落，能提高器件的稳定性。
一种复合材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]复合纳米颗粒及其制备方法和应用-CN201711347713.5有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合纳米颗粒，包括交联结合的金纳米颗粒和富勒烯，所述复合纳米颗粒的具有如下化学结构单元：M@(NH‑R‑SiO3)nCm或M@(SH‑R‑SiO3)nCm，其中@表示交联结合，M为金纳米颗粒，Cm为富勒烯，R为烃基或烃基衍生物，28≤m≤104，16≤n≤60，且nm。
复合纳米颗粒及其制备方法应用

[发明专利]量子点的后处理方法-CN201811612495.8有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点的后处理方法，包括：提供初始量子点溶液；将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；将所述第二量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第三次序的混合并加热，得到第三量子点溶液。
量子处理方法

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN201811643019.2有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间还设置有电子传输层，所述电子传输层材料为通过螯合剂交联在一起的纳米金属氧化物，所述螯合剂含有至少三个羧基官能团。本发明采用通过螯合剂交联在一起的纳米金属氧化物作为电子传输层材料，可提升量子点发光二极管的电子迁移率，从而使量子点发光二极管的电子空穴注入速率达到平衡，进而提高量子点发光二极管的发光效率。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有量子阱能级结构的合金材料、制备方法及半导体器件-CN201611259516.3有效
发明人：杨一行;刘政;钱磊;程陆玲 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开具有量子阱能级结构的合金材料、制备方法及QLED，所述合金材料包含N个在径向方向上依次排布的结构单元，其中N≥1；所述结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；相邻的结构单元的能级宽度是不连续的。本发明提供了一种具有从内到外沿径向方向的突变合金组分的新型合金材料，其不仅实现了更高效的发光效率，同时也更能满足QLED器件及相应显示技术对合金材料的综合性能要求，是一种适合QLED器件及显示技术的理想合金材料。
具有量子能级结构合金材料制备方法半导体器件

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN201811432314.3有效
发明人： 程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阳极和量子点发光层之间设置有第一折射光层，所述阴极和量子点发光层之间设置有第二折射光层，所述第一折射光层材料为第一PAMAM树形分子，所述第二折射光层材料为复合材料，所述复合材料包括第二PAMAM树形分子和结合在所述第二PAMAM树形分子腔体内的金属原子簇，所述第一PAMAM树形分子的代数小于所述第二PAMAM树形分子的代数。本发明通过在阳极和量子点发光层之间设置第一折射光层，以及在阴极和量子点发光层之间设置第二折射光层，可有效改善量子点发光二极管的出光效率及其稳定性。
一种量子发光二极管及其制备方法