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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通过等离子体增强原子层沉积沉积可流动SICN膜-CN202310390291.9在审
发明人：吉本信哉;J·R·古希特;五十岚诚;福田秀明;奥雷利·黑田;T·布兰夸特;小沼隆大 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据本文的一些实施例，描述了用于薄膜的可流动沉积的方法和设备。一些实施例涉及用于间隙填充的循环处理器，其中沉积之后是热退火和紫外线处理，并且重复进行。在一些实施例中，沉积、热退火和紫外线处理在单独的站中进行。在一些实施例中，第二站被加热到比第一站更高的温度。在一些实施例中，单独的模块用于固化。
通过等离子体增强原子沉积流动 sicn

[发明专利]用于填充间隙的方法和设备-CN201780043306.7有效
发明人： V·珀尔;W·科内鹏;B·琼布罗德;D·皮尔勒;S·范阿尔德;S·霍卡;深泽笃毅;福田秀明 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。
用于填充间隙方法设备

[发明专利]在光致抗蚀剂底层上形成粘合层的方法及包括其的结构-CN202210409140.9在审
发明人：刘泽铖;吉田嵩志;久保田智广;福田秀明 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/032 文献下载
摘要：公开了形成包括光致抗蚀剂底层和粘合层的结构的方法以及包括光致抗蚀剂底层和粘合层的结构。示例性方法包括使用循环沉积过程形成光致抗蚀剂底层和形成粘合层。粘合层可以在用于形成光致抗蚀剂底层的同一反应室内形成。
光致抗蚀剂底层形成粘合方法包括结构

[发明专利]用于氮化硅沉积的硅前体-CN202111464475.2在审
发明人： C.德泽拉;福田秀明;V.波雷 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及通过等离子体增强循环沉积过程在衬底上沉积氮化硅的气相沉积组件。本公开还涉及通过等离子体增强循环沉积过程在衬底上沉积氮化硅的方法。该方法包括在反应室中提供衬底，将根据式SiH3X的气相硅前体提供到反应室中，其中X是碘或溴，从反应室中去除过量的硅前体和可能的反应副产物，以及将由含氮等离子体产生的反应性物种提供到反应室中，以在衬底上形成氮化硅。本公开还涉及由该方法形成的结构和器件。
用于氮化沉积硅前体

[发明专利]用于可流动间隙填充的方法和设备-CN202111208910.5在审
发明人：吉本信哉;隆大小沼;五十岚诚;森幸博;福田秀明;R.H.J.沃乌尔特;T.布兰夸特 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：根据本文的一些实施例，描述了用于薄膜的可流动沉积的方法和设备。本文的一些实施例涉及间隙填充的循环过程，其中沉积之后是热退火并重复。在一些实施例中，沉积和热退火在单独站中进行。在一些实施例中，第二模块被加热到比第一站更高的温度。在一些实施例中，热退火包括RTA。
用于流动间隙填充方法设备

[发明专利]通过热ALD和PEALD沉积氧化物膜的方法-CN201810116717.0有效
发明人：深泽笃毅;福田秀明 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种用于通过热ALD和PEALD将氧化物膜沉积于衬底上的方法，其包括：在反应室中提供衬底；通过热ALD在所述反应室中将第一氧化物膜沉积于所述衬底上；和在不中断真空的情况下，通过PEALD在所述反应室中将第二氧化物膜连续沉积于所述第一氧化物膜上。
通过 ald peald 沉积氧化物方法

[发明专利]利用窄间距电容耦合电极的亚大气压力等离子体增强ALD方法-CN201711057929.8有效
发明人：笃毅深泽;财津优;德永正树;福田秀明 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种利用等离子体增强亚大气压力原子层沉积(亚大气压力PEALD)来沉积膜的方法，所述方法使用间距为1mm～5mm的电容耦合平行板电极来进行，其中，亚大气压力PEALD的一个循环包括：以脉冲方式向反应腔室供给前体；向反应腔室持续供给反应物；向反应腔室持续供给惰性气体；将反应腔室的压力持续控制在15kPa～80kPa的范围内；以及以脉冲方式向平行板电极中的一个施加用于辉光放电的RF功率。
利用间距电容耦合电极大气压力等离子体增强 ald 方法

[发明专利]存储子系统-CN200810185015.4有效
发明人：中村崇仁;藤林昭;细谷睦;福田秀明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H04L12/56 文献下载
摘要：本发明提供一种存储子系统，其可以在可升级性优异的网格存储系统中避免死锁。本发明的存储子系统是连接主计算机的、从该主计算机接受写或读访问的存储子系统，其具有：分别具有存储资源的多个模块(16)、联结多个模块的交换器(24)、对于将基于来自主计算机的写或读访问的数据包经由交换器转发至多个模块中的目标模块的操作进行控制的MP(18)、以及存储了数据包的转发规则的存储器。控制器根据转发规则控制数据包的转发。
存储子系统

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