专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]减轻紧邻表面液体分散喷流之间交叉污染的方法和装置-CN02823989.X有效
  • A·源 - 硅谷集团公司
  • 2002-10-03 - 2005-04-06 - H01L21/00
  • 通过多口喷嘴将不同的处理流体输送到半导体晶片基板上的方法和装置。所述喷嘴具有多个纵向液体歧管和气体歧管。每个歧管定位在喷嘴主体内,从而它们与喷嘴主体中相应的一个单独的入口流体相通。流体入口可以连接到外源,用于接收被散布的处理流体。另外,喷嘴包括多个喷嘴末端,用于将分散液体引导到晶片基板上。每个末端的至少一部分伸出喷嘴的底面,并且同时,末端的至少一部分伸入喷嘴主体内的液体歧管中,形成内部蓄液池。并且,喷嘴底面包括以栅格状图案形成在喷嘴末端之间的沟槽网络,并可以进一步包括多个气孔。所述气孔连接到气体歧管,用以接收增压的气体,从而形成气帘,有助于控制和引导多种处理流体到达晶片基板,减小交叉污染以及从晶片基板上的飞溅。
  • 减轻紧邻表面液体分散喷流之间交叉污染方法装置
  • [发明专利]晶片光刻法中显影工艺的改进方法-CN01813412.2有效
  • 朴在贤;方仲右 - 硅谷集团公司
  • 2001-07-25 - 2003-09-24 - G03F7/30
  • 本发明描述了对液体聚合物及其它材料的产率和线宽性能进行改进的方法和装置。通过降低pH的突然变化而减少显影反应试剂的沉淀的方法包括:开始加入显影剂流体使基底上至少一部分聚合物层显影;然后用另外加入的显影剂流体漂洗所述聚合物,控制性地使随后pH的突然变化最小化;然后用加入的另一种流体漂洗所述聚合物。本发明还描述了一种从在晶片表面上加入显影剂化学物质至将其除去的均匀的准平衡的连续状态的方法。该方法能够减少工艺造成的缺陷,并且能够改进临界尺寸(CD)控制。
  • 晶片光刻显影工艺改进方法

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