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[发明专利]高边开关驱动电路、驱动方法和电源控制系统-CN202310860923.3在审
发明人：陈敏;盛健健;林逸铭;孔鹏举 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种高边开关驱动电路、驱动方法和电源控制系统，属于驱动电路领域，包括双向开关和驱动芯片，双向开关被配置成基于切换信号实现单向导通或双向导通或断开；驱动芯片被配置为获取控制信号、第一高边电压和第二高边电压，根据所述控制信号，从第一高边电压和第二高边电压中确定第一输出电压；根据所述第一输出电压，产生第二输出电压；将所述第一输出电压和所述第二输出电压作为切换信号输出至所述双向开关，以控制所述双向开关的通断模式。本发明通过双向开关取代背靠背开关，可实现对双向开关的控制，无需设置许多外部元件，降低高功率密度电池的驱动电路的复杂度。
开关驱动电路方法电源控制系统

[发明专利]低边开关驱动器、驱动方法和电源控制系统-CN202310861045.7在审
发明人：陈敏;盛健健;林逸铭;孔鹏举 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种低边开关驱动器、驱动方法和电源控制系统，属于驱动电路领域，包括双向开关和驱动芯片，双向开关被配置成基于切换信号实现单向导通或双向导通或断开；驱动芯片被配置为获取控制信号、第一低边电压、第二低边电压和高边电压，根据所述控制信号，从所述第一低边电压和所述第二低边电压中得到第一输出电压；根据所述高边电压和所述第一输出电压，得到第二输出电压；将所述第一输出电压和所述第二输出电压作为所述切换信号，输出至所述双向开关。本发明通过双向GaN器件取代背靠背开关，通过对双向GaN器件的控制，无需设置许多外部元件，降低高功率密度电池的驱动电路的复杂度。
开关驱动器驱动方法电源控制系统

[发明专利]一种功率器件-CN202310253183.7在审
发明人：林逸铭;孔鹏举;陈敏;盛健健 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种功率器件，其包括晶体管以及钳位驱动电路。钳位驱动电路被配置为：从功率器件的第一引脚接收第一电压；从功率器件的第二引脚接收第二电压；当第一电压高于第二电压时，基于第一电压生成栅极驱动电压到晶体管的栅极；当第一电压低于第二电压时，基于第二电压生成栅极驱动电压到晶体管的栅极；以及当第一电压等于第二电压时，基于第一电压或第二电压生成栅极驱动电压到晶体管的栅极。该钳位驱动电路可以处理以及有效地利用大范围的输入电压，无需额外电源引脚提供正常准确的驱动电压来驱动晶体管，确保了晶体管可以发挥其最优的开关性能。而且功率器件只需要三引脚的封装，散热性能好，具有较高的可靠性以及大大方便了后序的线路板封装。
一种功率器件

[发明专利]电子装置及过电流保护电路-CN202080002665.X有效
发明人： 盛健健;管要宾 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子装置。所述电子装置包括第一III族氮化物晶体管和过电流保护电路OCP。所述OCP电路包括输入装置和检测装置。所述输入装置被配置成接收控制信号并产生第一电压到所述第一III族氮化物晶体管的栅极。所述检测装置被配置成如果所述第一III族氮化物晶体管的漏极处的电流小于预定值则产生具有第一逻辑值的输出信号，并且如果所述第一III族氮化物晶体管的所述漏极处的所述电流等于或大于所述预定值则产生具有第二逻辑值的所述输出信号，其中所述第一逻辑值与所述第二逻辑值不同。
电子装置电流保护电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202080005364.2有效
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含：衬底；第一氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其设置在所述第一氮化物半导体层上且具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更大的带隙。所述半导体器件进一步包含第一栅极导体，其设置在所述第二氮化物半导体层的第一区上；钝化层，其覆盖所述第一栅极导体；以及第二栅极导体，其设置在所述钝化层和所述第二氮化物半导体层的第二区上，其中所述第一区与所述第二区横向间隔开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于动态地评估半导体装置的退化的系统、方法和非暂时性计算机可读媒体-CN202280004805.6在审
发明人：林逸铭;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种用于动态地评估半导体装置的退化的方法。所述方法包括：确定所述半导体装置的阈值电压；基于所确定的阈值电压计算泄漏电流限值；测量所述半导体装置的泄漏电流；以及将测得的泄漏电流与计算出的泄漏电流限值进行比较以评估所述半导体装置的退化。通过将不同幅度的亚阈值驱动脉冲序列插入施加到所述装置的驱动信号来确定所述阈值电压Vth，使得所述装置在所述亚阈值驱动脉冲期间在亚阈值区中操作。可在监测所述泄漏电流时考虑动态阈值电压和变化的工作温度。可在不影响正常操作的情况下获得更好的保护和对系统故障的更有效预防。
用于动态评估半导体装置退化系统方法暂时性计算机可读媒体

[发明专利]电子装置和静电放电保护电路-CN202080005212.2有效
发明人：管要宾;盛健健;李臻哲;吕俊源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种电子装置包括第一III族氮化物晶体管和静电放电ESD保护电路。一种电子装置可以包括第一III族氮化物晶体管和ESD保护电路。所述ESD保护电路可以包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。所述第一晶体管可以具有彼此连接并且电连接到所述第一III族氮化物晶体管的栅极的源极和栅极。所述第二晶体管可以具有彼此连接并且电连接到所述第一III族氮化物晶体管的源极的源极和栅极。所述第三晶体管可以具有电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的漏极、电连接到所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的漏极的栅极，以及电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述源极的源极。
电子装置静电放电保护电路

[发明专利]用于高温反向偏置测试的保护电路-CN202280004008.8在审
发明人：林逸铭;胡凯;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H02H3/32 文献下载
摘要：本公开提供一种用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的保护电路，所述保护电路包括：开关，其被配置成基于切换信号而将所述保护电路连接到所述电子器件/从所述电子器件断开所述保护电路；电流感测电路，其被配置成感测流过所述电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号；以及驱动电路，其被配置成从所述电流感测电路接收所述电流感测信号且产生用于开启/关断所述开关的驱动信号，使得在所述电流感测信号高于参考电压时，所述漏极‑源极泄漏电流由所述开关阻断。
用于高温反向偏置测试保护电路

[发明专利]用于测量氮化物基半导体器件的动态导通电阻的设备-CN202280003998.3在审
发明人：林逸铭;盛健健 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：提供一种用于测量被测器件(DUT)的动态导通电阻的设备。所述设备包括：测试接口，其被配置成用于在所述DUT和测量设备之间联接；第一测量电路，其被配置成用于感测所述DUT的漏极‑源极电压且生成与所述漏极‑源极电压成比例的第一测量信号；电流感测电路，其被配置成用于感测从所述DUT的漏极流动到源极的漏极电流且生成电流感测信号；第二测量电路，其被配置成用于接收所述电流感测信号且生成与所述漏极电流成比例的第二测量信号；第一箝位电路，其被配置成用于消除所述第一测量信号中的过冲；第二箝位电路，其被配置成用于消除所述第二测量信号中的过冲。因为消除了所述测量电压信号中的所述过冲，所以缩短了所述测量信号稳定所需的时间。
用于测量氮化物半导体器件动态通电设备

[发明专利]一种电子装置、电路及其制造方法-CN202211289992.5在审
发明人：林逸铭;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本揭露提供了一种电子装置及其制造方法。一种电子装置包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一导电结构、第二导电结构、第一端口、及第二端口。第一氮化物半导体层其在衬底上。第二氮化物半导体层在第一氮化物半导体层上，并且第二氮化物半导体层的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一导电结构在第二氮化物半导体层上。第一端口在第二氮化物半导体层上，并且第二导电结构位于第一端口及第一导电结构之间。第二端口在第二氮化物半导体层上，并且第一端口位于第二端口及第二导电结构之间。
一种电子装置电路及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210881358.4在审
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、晶体、管第一导电端子与第二导电端子。第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上，所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。晶体管设置在所述第二氮化物半导体层上。第一导电端子与第二导电端子设置在所述第二氮化物半导体层上，其中所述第一氮化物半导体层还包括第一导电区以及掺杂区，所述第一导电区位在所述第一导电端子与所述第二导电端子之间，所述掺杂区围绕所述第一导电区、所述第一导电端子以及所述第二导电端子，其中所述第一导电区沿着第一方向的宽度不同于所述第一导电端子以及所述第二导电端子沿着所述第一方向的宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于电子装置的保护电路的晶片级调节的方法和用于促进所述方法的晶片-CN202280001417.2在审
发明人： 盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种用于电子装置的保护电路的晶片级调节的方法和一种用于促进所述方法的晶片。所述方法包括：为所述晶片中的所述电子装置中的每一个制造可调节端子保护电路；和通过切断所述端子保护电路的一个或多个微调电路中的一个或多个熔丝元件来调节所述可调节端子保护电路中的每一个。所述方法提供一种具成本效益的方法，其允许以灵活方式对III‑V族化合物装置的保护电路进行晶片级片上调节，以便解决大晶片尺寸要求下的制造工艺的局限性的问题。
用于电子装置保护电路晶片调节方法促进

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202080005367.6有效
发明人：毛丹枫;黃敬源;章晋汉;张晓燕;王伟;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含衬底；氮化物半导体层，其设置在所述衬底上；第一栅极堆叠，其与所述氮化物半导体层接触；以及电阻器，其与所述第一栅极堆叠横向间隔开并且电连接到第一栅极堆叠。所述电阻器包括：第一导电端子，其与所述氮化物半导体层接触；第二导电端子，其与所述氮化物半导体层接触；所述氮化物半导体层的第一掺杂区，其在所述第一导电端子与所述第二导电端子之间；以及所述氮化物半导体层的第一导电区，其与所述第一导电端子和所述第二导电端子接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]端子保护网和电子装置-CN202280001604.0在审
发明人：林逸铭;盛健健 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本公开提供实施有端子保护网的电子装置。所述端子保护网包括：一个或多个端子保护电路，其各自具有至少两个端子，所述至少两个端子分别连接到所述电子装置中的主要组件的三个端子中的至少两个；以及一个或多个箝位电路，其各自具有两个端子，所述两个端子分别连接到所述电子装置中的所述主要组件和对应辅助组件。
端子保护网电子装置

[发明专利]氮化物基半导体装置以及其制造方法-CN202180004172.4在审
发明人：张昕;盛健健;吕俊源;李臻哲 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源极电极和漏极电极、栅极结构、第一场板和第二场板。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上。所述源极电极和所述漏极电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅极结构安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一场板安置在所述栅极结构上方并且与所述源极电极和所述漏极电极电耦合。所述第二场板安置在所述栅极结构上方并且与所述栅极结构电耦合。所述第一场板和所述第二场板彼此平行。所述第一场板的顶表面面向所述第二场板的底表面以彼此重叠。
氮化物半导体装置及其制造方法

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