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[发明专利]磁传感器、传感器模块及诊断装置-CN202010160188.1有效
发明人： 白鸟聪志;山田健一郎;藤庆彦;东祥弘;喜喜津哲 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：提供能够提高检测灵敏度的磁传感器、传感器模块及诊断装置。根据实施方式，磁传感器包括第1元件、第1布线及第1磁性部。所述第1元件包括第1磁性层、第1对置磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第1对置磁性层之间的第1非磁性层。从所述第1对置磁性层向所述第1磁性层的方向沿着第1方向。所述第1布线在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸。所述第1磁性部包括第1区域及所述第1对置区域。所述第1布线的至少一部分在所述第1方向上位于所述第1区域与所述第1对置区域之间。
传感器模块诊断装置

[发明专利]磁传感器以及检查装置-CN202110966326.X在审
发明人：岩崎仁志;白鸟聪志;喜喜津哲;东祥弘 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：提供能提高灵敏度的磁传感器以及检查装置。根据实施方式，磁传感器包括第1传感器部。所述第1传感器部包括：第1磁性部件；第1对置磁性部件，从所述第1磁性部件朝向所述第1对置磁性部件的方向沿着第1方向；以及第1磁元件，其包括一个或者多个第1延伸部。所述第1延伸部包括第1磁性层、第1对置磁性层以及第1非磁性层。所述第1磁性层包括第1部分、第1对置部分以及第1中间部分。从所述第1部分朝向所述第1对置部分的方向沿着所述第1方向。所述第1中间部分位于所述第1部分与所述第1对置部分之间。所述第1非磁性层在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述第1中间部分的至少一部分与所述第1对置磁性层之间。
传感器以及检查装置

[发明专利]磁传感器及检查装置-CN202110974059.0在审
发明人： 白鸟聪志;岩崎仁志;喜喜津哲;东祥弘;黑崎义成 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式，磁传感器具备第1～第4磁元件、第1～第4导电部件及第1～第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。
传感器检查装置

[发明专利]非易失性存储器-CN201710158433.3有效
发明人：井口智明;下村尚治;鸿井克彦;上口裕三;白鸟聪志;池上一隆;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。
非易失性存储器

[发明专利]磁存储装置及其制造方法-CN201710123328.6有效
发明人： 白鸟聪志;与田博明;大沢裕一;杉山英行;清水真理子;A·布彦达莱;下村尚治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
存储装置及其制造方法

[发明专利]磁存储装置及其制造方法-CN201710122872.9有效
发明人：清水真理子;大沢裕一;與田博明;杉山英行;白鸟聪志;A·布彦达莱 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G11B5/70 文献下载
摘要：本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
存储装置及其制造方法

[发明专利]磁存储器-CN201610811820.8有效
发明人：与田博明;下村尚治;大泽裕一;大坊忠臣;井口智明;白鸟聪志;山百合;上口裕三 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
磁存储器

[发明专利]旋转扭矩振荡器、高频辅助磁记录头、磁头组件及磁记录再现装置-CN201510450671.2有效
发明人：藤田伦仁;鸿井克彦;白鸟聪志;清水真理子;村上修一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明的实施方式可获得可以使向振荡层的旋转注入效率上升、产生更强的高频磁场的高频辅助磁记录头。在实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，并在该区域内形成中间层，由此可以增大中间层与振荡层接触的面积。
旋转扭矩振荡器高频辅助记录磁头组件再现装置

[发明专利]磁记录头及具备其的盘装置-CN201510450655.3有效
发明人：田口知子;友田悠介;山田健一郎;白鸟聪志;成田直幸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供实现稳定的高频辅助且可以实现高记录密度化的磁记录头及具备其的盘装置。根据实施方式，磁记录头具备：空气支撑面(43)；主磁极(60)，其具有延伸到空气支撑面的前端部(60b)，且产生记录磁场；写防护件(62)，其与主磁极的前端部隔着写间隙相对，且与主磁极一起构成磁芯；以及高频振荡器(65)，其在写间隙内设置于主磁极与写防护件之间，且与主磁极及写防护件连接。高频振荡器具有在头部行进方向层叠的旋转注入层(65a)、中间层(65b)及振荡层(65c)，振荡层及旋转注入层分别具有在与空气支撑面交叉的方向延伸的层叠面。从空气支撑面离开的高度位置处的旋转注入层的头部行进方向的膜厚比空气支撑面处的旋转注入层的头部行进方向的膜厚形成得厚。
记录具备装置

[发明专利]旋转扭矩振荡元件及使用其的高频辅助磁记录头-CN201510082081.9有效
发明人： 白鸟聪志;鸿井克彦;清水真理子;村上修一;藤田伦仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明的实施方式得到可以使高频振荡的驱动电流降低的旋转扭矩振荡元件及使用其的高频辅助磁记录头。实施方式涉及的旋转扭矩振荡元件具有：层叠结构体，其包括旋转注入层、形成于旋转注入层上的非磁性中间层和形成于非磁性中间层上的振荡层；以及非磁性导电层，其设置于层叠结构体的侧壁；层叠结构体的膜面方向的宽度为60nm以下。
旋转扭矩振荡元件使用高频辅助记录

[发明专利]磁记录头及具备其的盘装置-CN201410040836.4在审
发明人：藤田伦仁;白鸟聪志;杉村忍;船山知己 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供通过写入间隙的狭小化来提高记录分辨率和线记录密度的磁记录头及使用其的盘装置。根据实施方式，盘装置的记录头（58）具备：主磁极（60），其向记录介质的记录层施加记录磁场；写入屏蔽层（62），其隔着写入间隙与主磁极相对；记录线圈，其在主磁极产生磁场；和高频振荡器（65），其在主磁极的前端部和写入屏蔽层之间配置于写入间隙内。高频振荡器具有形成于主磁极上的中间层（74）和形成于该中间层上的振荡层（72）、自旋注入层（75）及界面磁性层（76），振荡层和自旋注入层在与写入间隙的间隙长度方向相交的方向上排列配置，自旋注入层与写入屏蔽层电连接。
记录具备装置

[发明专利]磁记录介质、磁记录介质的制造方法以及磁记录装置-CN200880000667.4无效
发明人：汤泽亚希子;樱井正敏;镰田芳幸;白鸟聪志;木村香里;鬼塚刚 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种磁记录介质包括形成在基底上的凸起的磁图形；以及填充在所述磁图形之间的凹陷处并由含有Ni或Cu以及含有从Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Cr、Mo和Ag中选出来的两种或两种以上金属的多元素非晶合金构成的非磁性材料。
记录介质制造方法以及装置

[发明专利]制造磁记录介质的方法以及磁记录介质-CN200880000647.7无效
发明人：木村香里;镰田芳幸;白鸟聪志;樱井正敏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在基底上形成凸出的磁图形；在所述磁图形之间的凹陷中以及在所述磁图形上沉积非磁性材料；以及使用含氧蚀刻气体回蚀刻所述非磁性材料，同时改良所述非磁性材料的表面。
制造记录介质方法以及

[发明专利]制造磁记录介质的方法-CN200880000653.2无效
发明人： 白鸟聪志;镰田芳幸;木村香里;樱井正敏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在基底上沉积磁记录层和牺牲层；构图所述牺牲层和磁记录层，以形成凸出的磁图形和牺牲图形；在所述磁图形和牺牲图形之间的凹陷中以及在所述牺牲图形上沉积非磁性材料；以及回蚀刻所述非磁性材料。
制造记录介质方法

[发明专利]磁记录介质和磁存储设备-CN200810099507.1无效
发明人： 白鸟聪志;镰田芳幸;木村香里 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-05-13 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G11B5/72 文献下载
摘要：一种磁记录介质，其包括：基底；记录层，形成在所述基底上，具有沟槽图案；以及保护层，形成在所述记录层上，填充所述沟槽图案，其中规定所述记录层具有保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分，并且其中，在所述伺服部分处的所述保护层的第一膜的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的第二膜的厚度大1nm到10nm的厚度范围。
记录介质存储设备

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