“白杰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1905个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]盾构机管路收放装置和盾构机管线收放周转箱-CN202211448214.6在审
发明人：史照鹏;晏立忠;程毅;梁博;余乐;钱政;白杰;申德芳;龚晓林;乔依超;谭远良;吴友兴;李庚城 -专利权人：中铁工程服务有限公司;兰州宏昇铁路机械设备有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B65H75/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种盾构机管路收放装置和盾构机管路收放周转箱，管路收放装置包括转盘、支架、轴心管、旋转接头和输入管，转盘可转动地设在支架上，管路的一端与盾构机相连，管路的一部分卷设在转盘上，转盘旋转以收放管路，轴心管设在转盘的中心轴线处并随转盘可转动地设置，管路的另一端与轴心管连通，轴心管的一部分伸出转盘并通过旋转接头与位置固定的输入管相连。本发明公开的管路收放装置可以收纳盾构机分体始发的延长管路，保护延长管路在施工现场不被破坏，减少延长管管路存放及使用时的非正常损坏，提高管路的稳定性和耐用性，降低施工成本，提高施工效率。
盾构管路装置管线周转

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110833035.3在审
发明人：尤康;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：提供包括核心NMOS区、核心PMOS区及外围NMOS区的基底；对核心PMOS区的基底进行氧化处理，以将核心PMOS区部分厚度的基底转化为氧化层；去除氧化层；在核心PMOS区的剩余基底上形成第一半导体层，第一半导体层中的空穴迁移率大于核心PMOS区的基底中的空穴迁移率；形成栅介质层，栅介质层位于第一半导体层上、核心NMOS区以及外围NMOS区的基底上；在栅介质层上形成栅极。本申请实施例涉及半导体领域，有利于降低核心PMOS区及核心NMOS区的高度差，从而便于后续的生产工艺。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种适配物联网不同传感器的终端及方法-CN202211298653.3有效
发明人：章灵芝;赵训威;白杰;王志刚;刘迪;张春玲;王丹;李宛真 -专利权人：国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H04L67/12 文献下载
摘要：本发明涉及传感器终端领域，具体公开一种适配物联网不同传感器的终端及方法，MCU主控模块连接有若干类型的传感器接口，控制模块和通信模块分别通过UART接口与MCU主控模块连接；存储器与MCU主控模块连接，存储器内存储有各种类型传感器对应的驱动程序和业务程序；控制模块发送控制指令至MCU主控模块，MCU主控模块根据控制指令选通相应类型的传感器接口，并调取相应驱动程序和业务程序，通过驱动程序进行传感器驱动配置，之后将接收的传感器采集信息通过业务程序进行数据处理后，通过通信模块传输至汇聚节点。本发明兼容不同类型的传感器，自动调取驱动程序和业务程序，避免重新开发设备和软件，降低成本，提高效率。
一种适配物联网不同传感器终端方法

[发明专利]一种部署无线接入节点的规划计算方法、系统及电子设备-CN202211306360.5有效
发明人：白杰;赵训威;王志刚;王丹;吴庆;方爽;章灵芝;张春玲;丁高泉;李宛真;郭光明;胡明;付海璇 -专利权人：国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H04W16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种部署无线接入节点的规划计算方法、系统及电子设备，涉及电力无线技术领域，方法包括估算初始节点数量以及固定的初始频谱效率，确定节点数量及粗略候选集范围，进行遍历计算；比较不同节点数量下的占用总资源大小：按照取值对应的各个节点位置为最终部署位置，得到各个节点部署位置集合，计算出最终节点数量与部署位置的关系。本发明能够在读取电力业务管理平台的数据后，进行自动化计算，避免了繁杂的人工计算，提升了效率。本发明还考虑了电力业务的特征，计及了电力业务优先级、电力业务终端环境差异，计算的结果更准确，提升了工程实施指导的可实现性。
一种部署无线接入节点规划计算方法系统电子设备

[发明专利]反推力装置和航空发动机-CN202010587183.7有效
发明人：白杰;张波;何鹏 -专利权人：中国航发商用航空发动机有限责任公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F02C7/24 文献下载
摘要：本公开涉及一种反推力装置和航空发动机。其中，反推力装置包括：反推固定框架，设有滑槽；反推移动外罩；可调面积喷管，位于反推移动外罩的后侧；第一滑轨，与滑槽配合安装，用于将反推移动外罩滑设在反推固定框架的外侧；以及第二滑轨，与滑槽配合安装，用于将可调面积喷管滑设在反推固定框架的外侧；其中，第一滑轨和第二滑轨中之一被配置为可部分地滑入第一滑轨和第二滑轨中另一。本公开反推力装置提高了滑槽的利用率，缩短了滑槽的长度，在保证可调面积喷管和反推移动外罩在正常运行的前提下，降低了反推固定框架的长度和重量，提高了反推装置的稳定性。
推力装置航空发动机

[发明专利]质心轨迹生成方法、装置、计算机可读存储介质及机器人-CN202110577214.5有效
发明人：白杰;葛利刚;陈春玉;刘益彰;熊友军 -专利权人：深圳市优必选科技股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请属于机器人技术领域，尤其涉及一种质心轨迹生成方法、装置、计算机可读存储介质及机器人。所述方法确定机器人的质心实际位姿、左脚位姿和右脚位姿；根据所述质心实际位姿和所述左脚位姿确定所述机器人的第一位姿追踪向量；根据所述质心实际位姿和所述右脚位姿确定所述机器人的第二位姿追踪向量；根据所述第一位姿追踪向量和所述第二位姿追踪向量控制所述机器人的质心期望位姿交替追踪所述左脚位姿和所述右脚位姿，以生成所述机器人的质心期望轨迹。通过本申请，根据质心交替追踪双脚的控制思想来生成质心轨迹，有效提升了机器人的稳定性。
质心轨迹生成方法装置计算机可读存储介质机器人

[发明专利]室内甲醛消除时间的评估方法、装置及服务器-CN201811369012.6有效
发明人：白杰 -专利权人：成都生活家网络科技有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种室内甲醛消除时间的评估方法、装置及服务器，涉及环保领域。该方法包括：获得用户终端发送的待评估房屋内的第一甲醛浓度、当前季节参数、待评估房屋的房间参数、待评估房屋的位置信息以及待评估房屋内的除甲醛物质的种类和数量；将第一甲醛浓度、当前季节参数、房间参数、位置信息以及除甲醛物质的种类和数量进行量化得到多维输入向量；将多维输入向量作为预先训练好的室内甲醛消除时间评估模型的输入进行运算，得到待评估房屋的甲醛消除预估时间。本发明公开的室内甲醛消除时间的评估方法、装置及服务器能估算出待评估房屋的甲醛消除预估时间，无需多次请甲醛检测公司进行检测，同时避免反复检测为用户带来不必要的经济损失。
室内甲醛消除时间评估方法装置服务器

[实用新型]一种多仓室样品运输储存箱-CN202221588878.8有效
发明人：田凯;姚英杰;刘金宝;湛江;崔想;郭强;袁海鑫;闫柏霖;白杰 -专利权人：奥来国信（北京）检测技术有限责任公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B65D81/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多仓室样品运输储存箱，包括底板，所述底板上方两侧设有支撑板，所述支撑板一侧设有卡座，所述卡座内部连接有弹簧顶杆，所述弹簧顶杆顶端与箱体连接，所述箱体内部上方设有若干储存罐，所述储存罐上方设有箱盖，所述箱盖上方两侧设有把手，所述箱盖外部一侧设有显示屏，所述显示屏下方设有连接板，所述箱盖内部设有密封板，所述密封板下方嵌入于所述箱体内部，本实用新型通过在箱体下方设置弹簧顶杆与阻尼弹簧，箱体可以在外部震动传来时通过弹簧顶杆与阻尼弹簧将震动缓冲，箱体内部设有保温棉，储存罐表面设有隔热棉，保温棉与隔热棉可以大大减少外部温度向储存罐内部转移，保持样品的品质。
一种多仓室样品运输储存

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110813115.2在审
发明人：赵文礼;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底、NMOS晶体管以及PMOS晶体管，NMOS晶体管包括依次叠置的第一电介质层、第一功函数层以及第一导电层，PMOS晶体管包括依次叠置的第二电介质层、第二功函数层以及第二导电层。在半导体结构的制作过程中，会导致第一功函数层和第二功函数层内的金属元素扩散，可能会影响半导体结构阈值电压的调节，通过在第一功函数层朝向第二功函数层的一侧设置有第一侧壁隔离层，和/或，第二功函数层朝向第一功函数层的一侧设置有第二侧壁隔离层，可以阻止金属元素的交叉扩散，以此避免半导体结构阈值电压难以被调节的情况，从而改善半导体结构的性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010230470.2有效
发明人：尤康;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括，在衬底上形成有源区；在所述有源区中形成至少一个沟槽，所述沟槽至少将所述有源区分为位于沟槽一侧的源区和位于沟槽另一侧的漏区；在所述源区和所述漏区上分别形成抬高源区和抬高漏区。因而在有源区的尺寸一定的情况下，在前述形成沟槽时，可以使得沟槽的宽度增大，深度减小，深宽比减小，从而在有源区尺寸一定的情况下，使得在沟槽中形成栅极结构时栅极材料容易填充，并且形成的栅极结构电阻较小，同时使得所述源区和漏区的电学连接性能不会受到影响。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种液压系统用控制阀台总成-CN202222197217.9有效
发明人：白杰 -专利权人：奇莱捷尔液压新技术发展（大连）有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： F15B13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液压系统用控制阀台总成，包括控制阀、阀口和垫片，所述控制阀的外壁开设有阀口，所述控制阀的外壁安装有垫片，其特征在于，所述液压系统用控制阀台总成还包括，固定构件，安装在所述控制阀的外壁，其中，所述固定构件用于固定垫片。本实用新型设置液压系统用控制阀台总成通过固定块上的卡槽和膨胀杆的配合工作固定夹块，通过膨胀杆内部的插孔和插杆的配合工作固定夹块，通过膨胀杆和夹块的配合工作夹持固定垫片，通过上诉构件的配合工作使垫片不容易滑走，方便快速的安装其余零件，减少使用者的工作量，增加工作效率。
一种液压系统控制总成

[实用新型]一种汽车A柱加强板-CN202222436771.8有效
发明人：李冰华;杨光;高凯笑;白杰;李彦鹏;张丽;宋波;华西娟;孙晓林 -专利权人：陕西汽车集团股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B62D25/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种汽车A柱加强板，包括主板和衬板，所述衬板为碳纤维增强聚酰亚胺树脂复合材料板，所述主板和所述衬板通过热压固化工艺一体成型。本实用新型采用高强度钢主板和碳纤维衬板热压成一体的结构，无需通过铆钉连接，避免关键位置开孔导致局部性能降低，在保证安全性能的前提下实现结构轻量化。
一种汽车加强

[实用新型]一种分体式可叠加液压站-CN202222863908.8有效
发明人：白杰 -专利权人：奇莱捷尔液压新技术发展（大连）有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： F15B21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分体式可叠加液压站，包括机壳，所述滑杆的一侧固接有与机壳的正面相固接的挡板，所述滑杆的外壁固接有与连板的一侧相贴合的挡块，所述滑杆的外壁活动相连有弹簧，所述弹簧的一侧与连板的一侧固定连接，所述连板的顶部固接有方板。本实用新型涉及液压站技术领域，通过连板、插杆和弹簧之间的配合，实现了对多个液压站的搭接，相比与传统的放置在地面上，节约了占地面积，解决了现有的装置由于需要多个液压站来对对不同设备进行供油工作，传统的摆放在地面上的方式占据了大面积的使用空间的问题，并且便于对多个设备进行整理。
一种体式叠加液压

[实用新型]一种可收纳式5G电子信息通信设备-CN202122066790.1有效
发明人：郭旭静;白杰;舒灵振 -专利权人：郭旭静
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可收纳式5G电子信息通信设备，涉及电子信息通信技术领域。本实用新型包括一端为开口设置的收纳箱，所述收纳箱的两侧内壁均固定安装有挡板，所述收纳箱的内部活动设置有座板，所述座板位于挡板的下方。本实用新型在使用时，将通信设备主体直接放置在收纳箱内部的座板上端，能够对通信设备主体直接进行收纳，节省了组装的时间，同时在座板上设置有两个U型板对通信设备主体进行限位，避免设备滑动，由于座板能够在收纳箱内部活动，通信设备主体工作时，将座板从收纳箱中拉出，从而避免收纳箱对通信设备主体信号的干扰，在不使用时，将通信设备主体重新收入收纳箱中，避免了直接放置通信设备主体时的碰撞损伤，合理利用收纳箱。
一种收纳电子信息通信设备

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110791525.1在审
发明人：尤康;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供基底，基底包括外围电路区域，所述外围电路区域内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于外围电路区域内隔离出若干个间隔排布有源区；浅沟槽隔离结构内形成有氮化硅填充层；于有源区上形成叠层结构，所述叠层结构包括第一氧化硅掩膜层及氮化硅掩膜层，第一氧化硅掩膜层位于基底上，氮化硅掩膜层位于第一氧化硅掩膜层的上表面，并贯穿第一氧化硅掩膜层，与氮化硅填充层相接触；去除氮化硅掩膜层及部分氮化硅填充层，使得浅沟槽隔离结构中保留的氮化硅填充层的上表面与基底的上表面相平齐。消除了外围电路区域表面不平整对半导体结构电学性能的影响。
半导体结构及其制备方法