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- [实用新型]一种用于玻璃生产加工的烘干装置-CN202223196581.X有效
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张静;尤康;李华平
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湖北瀚煜建材科技有限公司
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2022-11-30
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2023-05-30
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F26B11/18
- 本实用新型涉及玻璃生产烘干技术领域，公开了一种用于玻璃生产加工的烘干装置，包括烘干箱，所述烘干箱的一侧面固定连接有支架，所述支架的顶部固定连接有气缸，所述气缸的输出端固定连接有伸缩杆，所述伸缩杆控制箱，所述控制箱的内部设置有电机，所述电机的输出端固定连接有转轴，所述转轴的另一端延伸至烘干箱的内部固定连接有顶架。本实用新型具有以下优点和效果：先将玻璃一侧对应顶架卡入，转轴与烘干箱套接，随后控制气缸带动伸缩杆控制电机上的转轴在烘干箱中推动，对玻璃进行固定，加快对玻璃双面的烘干效率，提升整体装置的工作效率，节省人力成本和工作时间，提升整体装置的便捷度，加强装置的灵活性。
- 一种用于玻璃生产加工烘干装置
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111005625.3在审
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尤康;白杰
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长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院
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2021-08-30
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2023-05-16
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H10B12/00
- 本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底；位于阵列区的存储电容单元包括：N个在平行于基底表面的方向上分布的绝缘柱；覆盖绝缘柱的顶面和侧面的下电极层；与下电极层正对的上电极层；位于上电极层与下电极层之间的电容介质层；其中，N个绝缘柱对应的下电极层或者N个绝缘柱对应的上电极层中的一者为连续膜层，另一者为分立膜层，N为大于等于2的自然数；位于电路区的晶体管，且晶体管包括位于电路区的基底内的电容控制端；电连接结构，与电容控制端电连接，且自电路区向阵列区延伸，以与相应的分立膜层相接触。本申请实施例至少可以降低制备半导体结构的工艺难度和提高半导体结构的电学性能。
- 半导体结构及其制造方法
- [实用新型]一种玻璃生产传送带-CN202223196695.4有效
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张静;尤康;李华平
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湖北瀚煜建材科技有限公司
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2022-11-30
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2023-05-16
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B08B5/02
- 本实用新型涉及玻璃加工技术领域，公开了一种玻璃生产传送带，包括机体，所述机体的顶部开设滑槽，所述滑槽的内部设置有移动架，所述移动架的底部固定连接有滑轮，所述移动架的顶部固定连接有第一电机，所述第一电机的输出端固定连接有第一转轴，所述第一转轴的一端固定连接有风扇。本实用新型具有以下优点和效果：工作人员通过推拉移动架，使移动架底部的滑轮在机体顶部开设的滑槽内进行滑动，可以使移动架停留在合适的位置，工作人员启动第一电机，第一电机带动第一转轴使风扇旋转，可以使玻璃在传送带传送时，将玻璃上残留的废渣和灰尘吹落，避免玻璃在传送过程中被这些废渣和灰尘刮花，利于保护在运输途中的玻璃。
- 一种玻璃生产传送带
- [发明专利]一种玻璃钢化炉-CN202211721486.9在审
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张静;李华平;尤康
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湖北瀚煜建材科技有限公司
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2022-12-30
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2023-05-02
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C03B27/044
- 本发明涉及玻璃加工设备技术领域，公开了一种玻璃钢化炉，包括送料轨道，所述送料轨道上依次设有加热室和冷却室，所述送料轨道上设有若干个进料传送辊和若干个出料传送辊，所述出料传送辊的下方设有输送带，所述输送带的出料端设有收集箱，所述出料传送辊的底部设有清理机构一，所述清理机构一用于对所述出料传送辊进行清理以使所述出料传送辊上粘附的玻璃碎颗粒掉落至所述输送带上，所述输送带的出料端设有清理机构二，所述清理机构二用于对所述输送带进行清理以使所述输送带上粘附的玻璃碎颗粒落入所述收集箱内。本发明提供的玻璃钢化炉，可以自动对破碎的玻璃进行清理收集，无需人工清理，降低劳动强度，提高工作效率。
- 一种玻璃钢
- [实用新型]一种玻璃下片台-CN202223195382.7有效
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张静;尤康;李华平
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湖北瀚煜建材科技有限公司
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2022-11-30
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2023-04-25
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B65G49/06
- 本实用新型涉及玻璃制造技术领域，公开了一种玻璃下片台，包括下片台本体，所述下片台本体的一侧面固定连接有限位架，所述限位架的顶部开设有滑槽，所述滑槽的内壁滑动连接有滚轮，所述滚轮的顶部固定连接有转移台，所述转移台的顶部固定连接有海绵层。本实用新型具有以下优点和效果：将玻璃卸在转移台上，玻璃的一侧靠在靠板，下一片玻璃则靠在卸下的玻璃上，海绵层对玻璃的底部进行防护，避免玻璃互相堆叠时底部打滑，限位板对玻璃垛的两侧进行限位，在软垫层的作用下提高对玻璃垛的防护性，下片完成后，继续推动推柄，滚轮在滑槽内顺着斜坡移动出，从而便于对玻璃垛进行移动转移，转移过程较为安全，避免移动过程中玻璃垛产生倾倒。
- 一种玻璃下片
- [发明专利]一种用于玻璃钢化炉的送料轨道系统-CN202110993807.X有效
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张静;尤康
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湖北瀚煜建材科技有限公司
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2021-09-28
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2023-04-18
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C03B35/16
- 本发明涉及钢化玻璃生产技术领域，公开了一种用于玻璃钢化炉的送料轨道系统，包括传料轨和送料轨，传料轨上设置有传料杆，传料杆上设置有传料轮，送料轨上设置有送料杆，送料杆上设置有送料轮；升降架，升降架外接有升降机构，升降架的顶部设置有传递轨，传递轨上设置有传递皮带，传递皮带外接有用于驱动传递皮带转动的驱动机构；暂放架，暂放架上转动设置有顶部轮和底部轮，顶部轮外接有动力机构；若干条暂放链条，暂放链条绕设于相对设置的顶部轮和底部轮，若干条暂放链条与传料杆呈交错设置；呈水平状的暂放杆，暂放杆的两端分别与相对设置的两个暂放链条连接。本发明能够降低生产能耗。
- 一种用于玻璃钢轨道系统
- [发明专利]基于钢化玻璃生产中的暂放架装置-CN202110993960.2有效
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张静;尤康
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湖北瀚煜建材科技有限公司
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2021-08-27
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2023-04-14
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B65G49/06
- 本发明涉及钢化玻璃生产技术领域，公开了基于钢化玻璃生产中的暂放架装置，包括支架，支架的顶部竖直设置有支撑架，支撑架的顶部设置有支撑体，支撑体等高平行设置有若干个；第一连接架和第二连接架，第一连接架固定连接于支撑体的一端，第二连接架活动连接于支撑体的另一端，支撑体上设置有用于固定第二连接架位置的固定机构；第一支撑轮和第二支撑轮，第一支撑轮和第二支撑轮分别转动连接于第一连接架和第二连接架背离支撑体的端部；暂放皮带，暂放皮带环设于第一支撑轮和第二支撑轮，且位于顶部的暂放皮带部分活动抵触于支撑体的顶部；驱动机构，驱动机构用于驱动暂放皮带进行转动。本发明能够稳定的接受和输送玻璃。
- 基于钢化玻璃生产中的暂放架装置
- [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110833035.3在审
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尤康;白杰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-22
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2023-02-03
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H01L21/8238
- 本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：提供包括核心NMOS区、核心PMOS区及外围NMOS区的基底；对核心PMOS区的基底进行氧化处理，以将核心PMOS区部分厚度的基底转化为氧化层；去除氧化层；在核心PMOS区的剩余基底上形成第一半导体层，第一半导体层中的空穴迁移率大于核心PMOS区的基底中的空穴迁移率；形成栅介质层，栅介质层位于第一半导体层上、核心NMOS区以及外围NMOS区的基底上；在栅介质层上形成栅极。本申请实施例涉及半导体领域，有利于降低核心PMOS区及核心NMOS区的高度差，从而便于后续的生产工艺。
- 半导体结构及其制作方法
- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110791525.1在审
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尤康;白杰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-13
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2023-01-17
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H10B43/40
- 本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供基底，基底包括外围电路区域，所述外围电路区域内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于外围电路区域内隔离出若干个间隔排布有源区；浅沟槽隔离结构内形成有氮化硅填充层；于有源区上形成叠层结构，所述叠层结构包括第一氧化硅掩膜层及氮化硅掩膜层，第一氧化硅掩膜层位于基底上，氮化硅掩膜层位于第一氧化硅掩膜层的上表面，并贯穿第一氧化硅掩膜层，与氮化硅填充层相接触；去除氮化硅掩膜层及部分氮化硅填充层，使得浅沟槽隔离结构中保留的氮化硅填充层的上表面与基底的上表面相平齐。消除了外围电路区域表面不平整对半导体结构电学性能的影响。
- 半导体结构及其制备方法
- [发明专利]半导体结构的制备方法-CN202110469981.4在审
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白杰;尤康
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长鑫存储技术有限公司
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2021-04-28
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2022-10-28
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H01L21/8238
- 本发明提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决目前的DRAM器件的制作方法对SiGe层损伤较大的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：提供基底；在基底上形成掩膜层；去除非阵列区上的掩膜层；在非阵列区上形成第一氧化层；去除第一晶体管区上的第一氧化层，以暴露出位于第一晶体管区的顶表面；在暴露出的第一晶体管区的顶表面上形成外延层；去除第二晶体管区上的第一氧化层；在第二晶体管区上，以及外延层上均形成第二氧化层。本发明能够降低半导体结构的制作方法对外延层的损伤，提高了半导体结构的存储性能。
- 半导体结构制备方法
- [发明专利]一种浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构-CN202210730363.5在审
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尤康
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长鑫存储技术有限公司
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2022-06-24
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2022-09-27
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H01L21/762
- 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构。该形成方法包括：提供衬底，在衬底表面形成第一凹槽，第一凹槽的角部形成绝缘图案；沿第一凹槽刻蚀衬底，形成浅沟槽；形成第一介质层，第一介质层至少覆盖浅沟槽的侧壁及底面；在第一介质层上形成第一绝缘层，第一绝缘层覆盖绝缘图案；在第一绝缘层上形成第二介质层；平坦化，形成浅沟槽隔离结构。该形成方法中，绝缘图案与第一绝缘层相连、覆盖第一介质层；在平坦化第二介质层和第一绝缘层时，绝缘图案和部分第一绝缘层可作为硬掩膜、对第一介质层形成有效保护，减少出现divot现象的可能性，从而提升产品良率、改善浅沟槽隔离结构性能。
- 一种沟槽隔离结构形成方法
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