专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]涂敷处理装置和杯体-CN201810207953.3有效
  • 畠山真一;川上浩平 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-03-14 - 2023-04-04 - H01L21/027
  • 本发明在以旋转式在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理装置中,防止涂敷液被设置于杯体内的气流控制板弹返而飞散到晶片的表面上。抗蚀剂涂敷装置包括收纳旋转卡盘(121)并从底部排气的杯体,该杯体包括:与保持于旋转卡盘(121)的晶片(W)相比位于顶部侧,包围该晶片(W)的外周的气流控制部(151);和支承气流控制部的支承部(153),该支承部其一个端部与杯体(125)的内周面连接,另一个端部与上述一个端部相比位于顶部侧并且与气流控制部连接,在上述支承部形成有在与晶片的旋转轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔(153a),在比该第1孔靠外侧下方的位置形成有在晶片的旋转轴方向上穿透的形状的第2孔(153b)。
  • 处理装置
  • [发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201810293097.8有效
  • 川上真一路;水之浦宏;畠山真一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-03-30 - 2023-02-28 - H01L21/67
  • 本发明提供一种能够抑制伴随含金属覆膜的利用而产生的金属污染的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。涂布/显影装置具备第一保护处理部、成膜部、第一清洗处理部以及控制部。控制部构成为执行以下控制:控制第一保护处理部,使之在晶圆的周缘部形成第一保护膜;控制成膜部,使之在晶圆的表面形成抗蚀膜;控制第一清洗处理部,使之向晶圆的周缘部供给用于去除抗蚀膜的第一清洗液;控制第一清洗处理部,使之向该周缘部供给用于去除金属成分的第二清洗液;以及控制第一清洗处理部,使之向该周缘部供给用于去除第一保护膜的第三清洗液。
  • 处理装置方法以及存储介质
  • [实用新型]基板处理装置-CN202220205274.4有效
  • 畠山真一;川上浩平 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-01-25 - 2022-08-16 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及基板处理装置,其不提高排气压地防止自基板甩出的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。基板处理装置包括:保持基板并使其旋转的保持旋转部、向基板供给成膜处理液的供给部以及接受因旋转而自基板甩出的成膜处理液的液体接受部,液体接受部在上部具有供基板穿过并向上方的空间开口的孔,液体接受部的内部被排气,基板处理包含供给处理和干燥处理,基板处理装置还包括相对于液体接受部的上表面进退自如的圆环状的圆环构件,在供给处理时,圆环构件以封堵液体接受部的孔的周缘的方式设于液体接受部的上表面,在干燥处理时,圆环构件自液体接受部的上表面退避。
  • 处理装置
  • [发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN202210088864.8在审
  • 畠山真一;川上浩平 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-01-25 - 2022-08-02 - H01L21/67
  • 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质,不提高排气压地防止自基板甩出的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。基板处理装置包括:保持基板并使其旋转的保持旋转部、向基板供给成膜处理液的供给部、接受因旋转而自基板甩出的成膜处理液的液体接受部以及对基板处理进行控制的控制部,液体接受部在上部具有供基板穿过并向上方的空间开口的孔,液体接受部的内部被排气,基板处理包含供给处理和干燥处理,基板处理装置还包括相对于液体接受部的上表面进退自如的圆环状的圆环构件,控制部控制为:在供给处理时,圆环构件以封堵液体接受部的孔的周缘的方式设于液体接受部的上表面,在干燥处理时,圆环构件自液体接受部的上表面退避。
  • 处理装置方法以及存储介质
  • [发明专利]液处理方法和液处理装置-CN202110980802.3在审
  • 黄庸根;畠山真一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-08-25 - 2022-03-04 - H01L21/67
  • 本发明提供能够对基片的背面的除了周端以外的环状区域供给处理液以进行局部处理的液处理方法和液处理装置。液处理方法包括:将基片的背面的中心部载置在载置台上,并使该载置台旋转的工序;和从喷嘴对旋转的基片的背面的比周端靠中心的位置供给雾状的处理液,并且使该处理液挥发使得该处理液不会因离心力而被供给到该基片的周端,从而对该基片的背面的环状区域局部地进行处理的工序。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]液体处理方法和液体处理装置-CN201510919402.6有效
  • 桥本崇史;畠山真一;柴田直树 - 东京毅力科创株式会社
  • 2015-12-11 - 2020-03-27 - H01L21/02
  • 本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质,能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括:使晶片(W)旋转的旋转保持部(20);向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32);和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转,同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R),使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动,在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后,以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转,由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。
  • 液体处理方法装置

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