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[发明专利]一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术-CN202211374987.4在审
发明人：李慎重;梁兴勃;田达晰;王震;李刚;蒋玉龙;杨德仁;马向阳 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术，包括以下具体步骤：S1：启动外延设备，进行升温操作，升温至1160‑1220℃；S2：对硅片外表面进行处理，在1160‑1220℃进行硅片表面预处理，去除自然氧化层和小颗粒等异物，获得洁净的外延种子表面；S3：降温至种子生长温度，降温至1000‑1100℃；S4：进行高平整度种子层生长，生长温度1000‑1100℃，通入大流量10‑30slm硅源气体SiHCl3和H2反应生成Si沉积在衬底上，厚度控制在0.1～0.5um，本发明实现表面粗糙度和雾面积的可控生长，确保外延层表面低水平的粗糙度和低密度的雾缺陷，获得质量稳定可靠的外延硅片。
一种外延硅片表面粗糙可控生长技术

[实用新型]一种外延炉调节气流用省力扳手-CN202222185098.5有效
发明人：李慎重;梁兴勃;田达晰;蒋玉龙;李刚;唐开恩;童科峰 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B25B13/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种外延炉调节气流用省力扳手，包括引脚固定把手、引脚支架和引脚移动把手，所述的引脚固定把手下侧竖直安装有引脚支架，所述的引脚固定把手的一端上转动安装有引脚移动把手，所述的引脚移动把手的一端朝引脚支架上部延伸，并插入到引脚支架内，所述的引脚支架内部设置有贯穿两侧的中空部，中空部内安装有引脚固定头，所述的引脚固定头上端与引脚移动把手的插入端转动相连，所述的引脚固定头的下端安装有引脚安装部，所述的引脚安装部上安装有引脚结构。本实用新型具有结构简单、安装难度低、操作简便、使用寿命长等特点。
一种外延调节气流省力扳手

[实用新型]一种硅片晶点去除装置-CN202221711491.7有效
发明人：李慎重;梁兴勃;田达晰;蒋玉龙;李刚;张银光;童科峰 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅片晶点去除装置，包括底板、竖直支架和旋转机台，所述的底板上端面中部竖直安装有旋转机台，旋转机台上端的旋转台上放置有硅片，所述的底板两端均设置有竖直支架，所述的竖直支架上端靠近旋转机台一侧设置有伸出刀架，伸出刀架上安装有与硅片下侧贴合对应的刮刀，所述的旋转机台上端面中部设置有带中心吸盘的升降台，所述的旋转机台上端面设置有若干个呈均匀布置的且围绕升降台的定位吸盘。本实用新型具有操作简便、提高硅片去除效率、确保硅片质量、确保硅片的可追溯性等特点。
一种硅片去除装置

[发明专利]一种识别片盒内硅片的自动控制系统及其操作方法-CN202210932290.8在审
发明人：李慎重;梁兴勃;田达晰;李刚;蒋玉龙;张银光 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种识别片盒内硅片的自动控制系统及其操作方法，包括识别片盒、平行光光源阵列、光栅片、二维码扫描器、全自动相机、EAP控制系统和MES控制系统；识别片盒用来放置硅片，识别片盒上安装有带有硅片信息的二维码标签；平行光光源阵列位于识别片盒下方，同时平行光光源阵列上安装有光栅片，平行光光源阵列发出平行光穿过光栅片和硅片，形成测定硅片是否发生夹片现象和硅片数量的识别信息。本发明具有降低管理成本、提高检测核对效率、确保包装准确、避免出现夹片、混片、多片、少片等异常现象等特点。
一种识别片盒内硅片自动控制系统及其操作方法

[发明专利]一种硅片晶点去除的自动化系统-CN202210783202.2在审
发明人：李慎重;梁兴勃;田达晰;蒋玉龙;李刚;张银光;童科峰 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片晶点去除的自动化系统，包括硅片晶点去除装置、机械手、升降载台、硅片晶点去除自动控制系统、信息管理系统和二维码扫描器，所述的升降载台上放置有带二维码标记的片架，该片架的上方设置有二维码扫描器，所述的片架与硅片晶点去除装置之间安装有机械手，所述的信息管理系统与硅片晶点去除自动控制系统之间进行信息交互，所述的信息管理系统与二维码扫描器相连，所述的硅片晶点去除自动控制系统分别与机械手、硅片晶点去除装置以及升降载台相连。本发明采用硅片晶点去除的自动化智能化，避免人为操作引入的不确定性，保证硅片的可追溯性，提高加工效率和稳定性，确保产品质量稳定可靠。
一种硅片去除自动化系统

[发明专利]一种降低硅片体金属含量的方法-CN202210376808.4在审
发明人：梁兴勃;李方虎;王虎;张胜;吴晓楠;王震;田达晰 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低硅片体金属含量的方法，主要包括低温烘烤和抛光。本发明通过低温烘烤，使硅片体内的金属向硅片表面进行外扩散，其中的一部分金属扩散到表面，并经过硅片清洗工艺进行去除。之后，对硅片进行表面抛光和边缘抛光，利用抛光过程将扩散并富集在硅片表面以下一定深度范围内的残余金属进行去除，从而进一步降低硅片体内的金属含量。
一种降低硅片金属含量方法

[发明专利]一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法-CN201911248924.2有效
发明人：李慎重;杨德仁;马向阳;王震;田达晰;蒋玉龙;邓伟;张银光;梁兴勃 -专利权人：金瑞泓微电子（衢州）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法，包括氢气输入阀组和TCS气源钢瓶，TCS气源钢瓶与氢气输入阀组、TCS输入管和TCS输出管均相连，PLC控制器与TCS输入管上的常闭控制阀以及TCS气源钢瓶内的液位传感器相连。外延生长过程结束后，进行自动充料，启动PLC控制器，液位传感器检测液面，如果处于低液位，开启常闭控制阀进行充料，反复充料至液位达到固定液位，液位传感器探测到固定液位，在充料过程中完成第一片衬底硅片的取下、基座净化和第二片衬底硅片的安装。本发明采用新的控制系统及方法，充分延长充料时间，且增加充料频率、减少充料量以获得相对固定的液面，保证均匀的小气泡饱和浓度压力相对稳定。
一种稳定浓度自动控制系统及其控制方法

[发明专利]极低电阻率的硅负极材料及其制备方法-CN202210034872.4在审
发明人： 田达晰 -专利权人： 田达晰
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了极低电阻率的硅负极材料及其制备方法。一种极低电阻率的P型掺杂硅负极材料的制备方法，包括如下步骤：1）制备高掺杂浓度的P型硅熔体；2）控制硅熔体的温度在设定温度1420‑2000℃；3）快速冷却硅熔体，得到直径1－10毫米的颗粒。另一种极低电阻率的N型掺杂硅负极材料的制备方法，包括如下步骤：1）制备无掺杂剂的硅熔体；2）控制硅熔体的温度在设定温度1420‑2000℃；3）掺入N型掺杂剂；温度达到设定温度后，将N型掺杂剂掺入硅熔体内，同时保持设定温度到形成掺杂剂的饱和溶液，掺杂剂为磷、砷、锑中的一种或几种。4）快速冷却硅熔体，得到直径1－10毫米的颗粒。本发明掺杂浓度高，工艺可靠，成本低，产量高。
电阻率负极材料及其制备方法

[实用新型]一种防止硅片放偏的自动探测控制系统-CN202023072836.2有效
发明人：李慎重;童科峰;田达晰;蒋玉龙;王震;袁东宁 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G05B19/414 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止硅片放偏的自动探测控制系统，包括外延机台，外延机台上设置有旋转基座，旋转基座上绕着中心呈环形阵列布置有若干个用于放置硅片的基座槽，旋转基座的上方靠近基座槽中心的位置设置有第二测距传感器，第二测距传感器的一侧靠近基座槽边缘的位置设置有第一测距传感器，第二测距传感器和第一测距传感器均与PLC控制器电性相连，PLC控制器与控制外延机台的EAP控制执行操作系统相连。本实用新型增加硅片装入槽内的自动探测和识别系统，使用PLC采集和输出数据，利用EAP自动控制平台，实现硅片位置偏离检测技术监控和实时反馈，有效防止异常外延片的产生，确保外延片质量稳定可靠。
一种防止硅片自动探测控制系统

[发明专利]一种用于晶圆外延处理的自动化设备及其操作方法-CN201910769316.X有效
发明人：陈存强;田达晰;王震;周国峰;梁兴勃 -专利权人：金瑞泓微电子（衢州）有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于晶圆外延处理的自动化设备及其操作方法，包括外轮廓检测台、晶圆反应台和第一机械手，所述的外轮廓检测台右侧安装有晶圆反应台，晶圆反应台上端转动安装有转台，所述的外轮廓检测台上转动安装有与转台对应的第二机械手，所述的外轮廓检测台和晶圆反应台的上端安装有密封罩，所述的密封罩左端安装有与密封罩连通的置换腔平台。本发明有效降低晶圆的膜厚和电阻率波动、解决晶圆因在支撑器上位置偏差过大导致产品失效等问题。
一种用于外延处理自动化设备及其操作方法

[实用新型]带晶种升降单元的铸造硅单晶炉-CN201922041269.5有效
发明人： 田达晰 -专利权人： 田达晰
申请日： 2019-11-24 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带晶种升降单元的铸造硅单晶炉。所述的铸造硅单晶炉，包括炉体、晶种升降单元、温控单元、晶体生长单元；所述的晶体生长单元位于炉体内；所述的晶种升降单元位于炉体上方，并穿进炉体至晶体生长单元，用于将晶种插入到晶体生长单元；所述的温控单元用于提供晶体生长单元中的晶体生长所需的温度。晶种升降单元包括波纹管、晶种升降杆、升降机构，升降机构用于升降晶种升降杆。采用本实用新型生长出的硅晶体质量好，位错增殖少，晶界少，晶种消耗少，与晶种同方向的硅单晶体积占比大于90%，可以将碱制绒工艺应用于使用铸锭法制造的硅片制造太阳能电池的工艺过程，得到光衰减低、太阳能转化效高的硅太阳能电池。
带晶种升降单元铸造硅单晶炉

[实用新型]一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件-CN201922183477.9有效
发明人：李慎重;蒋玉龙;王震;陈华;田达晰;张银光;邓伟;马向阳;杨德仁 -专利权人：金瑞泓微电子（衢州）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： F17C13/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件，包括与氢气输入端相连的进气阀，所述的进气阀同时连接静态气路和载气气路，所述的静态气路上设置有静态手动阀、静态常开气动阀和静态调压阀，所述的载气气路上设置有常闭气动阀和载气调压阀，所述的静态气路和载气气路同时通入到气源钢瓶中。本实用新型通过设置两个气路，实现动态和静态压力的自动切换，保持动态和静态压力为同一数值，从而达到硅源浓度稳定的目的。
一种稳定浓度气动阀门组件

[发明专利]带晶种升降单元的铸造硅单晶炉及硅单晶生长方法-CN201911161271.4在审
发明人： 田达晰 -专利权人： 田达晰
申请日： 2019-11-24 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带晶种升降单元的铸造硅单晶炉及硅单晶生长方法。所述的铸造硅单晶炉，包括炉体、晶种升降单元、温控单元、晶体生长单元；所述的晶体生长单元位于炉体内；所述的晶种升降单元位于炉体上方，并穿进炉体至晶体生长单元，用于将晶种插入到晶体生长单元；所述的温控单元用于提供晶体生长单元中的晶体生长所需的温度。晶种升降单元包括波纹管、晶种升降杆、升降机构，升降机构用于升降晶种升降杆。采用本发明生长出的硅晶体质量好，位错增殖少，晶界少，晶种消耗少，与晶种同方向的硅单晶体积占比大于90%，可以将碱制绒工艺应用于使用铸锭法制造的硅片制造太阳能电池的工艺过程，得到光衰减低、太阳能转化效高的硅太阳能电池。
晶种晶体生长升降单元硅单晶炉升降机构温控单元升降杆铸造硅太阳能电池硅单晶生长太阳能电池太阳能转化工艺过程工艺应用硅片制造位于炉体波纹管硅单晶硅晶体碱制绒光衰进炉晶界炉体位错铸锭增殖升降体内消耗生长制造

[实用新型]一种用于解决硅片背面圈印的刷洗装置-CN201920544233.6有效
发明人：张世波;周明飞;徐国科;胡孟君;高鹏飞;卢峰;刘建刚;田达晰 -专利权人：金瑞泓科技(衢州)有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于解决硅片背面圈印的刷洗装置，包括转轴、pp支架和背面刷，pp支架呈圆盘状，pp支架的下端中部竖直安装有转轴，转轴中空，pp支架上端安装有背面刷，背面刷包括不锈钢圆盘和聚氨酯耐磨海绵，不锈钢圆盘下端与pp支架固定，不锈钢圆盘上端安装有相配的聚氨酯耐磨海绵，聚氨酯耐磨海绵呈圆盘状，pp支架以及不锈钢圆盘内部设置有溢流通道，溢流通道一端与转轴上端的开口处相连，溢流通道另一端与聚氨酯耐磨海绵相连。本实用新型机械手吸附硅片正面，硅片背面与背面刷接触，然后缓慢通过旋转的背面刷，刷洗掉减薄后残留在硅片背面边缘圈印状的划伤和沾污。
支架不锈钢圆盘耐磨海绵背面聚氨酯转轴溢流通道上端本实用新型硅片背面圆盘状圈印下端硅片背面边缘机械手硅片正面内部设置竖直安装刷洗装置支架固定开口处中空划伤减薄吸附相配沾污残留

[发明专利]一种用于解决硅片背面圈印的刷洗装置以及使用方法-CN201910321407.7在审
发明人：张世波;周明飞;徐国科;胡孟君;高鹏飞;卢峰;刘建刚;田达晰 -专利权人：金瑞泓科技（衢州）有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于解决硅片背面圈印的刷洗装置以及使用方法，包括转轴、pp支架和背面刷，pp支架呈圆盘状，pp支架的下端中部竖直安装有转轴，转轴中空，pp支架上端安装有背面刷，背面刷包括不锈钢圆盘和聚氨酯耐磨海绵，不锈钢圆盘下端与pp支架固定，不锈钢圆盘上端安装有相配的聚氨酯耐磨海绵，聚氨酯耐磨海绵呈圆盘状，pp支架以及不锈钢圆盘内部设置有溢流通道，溢流通道一端与转轴上端的开口处相连，溢流通道另一端与聚氨酯耐磨海绵相连。本发明机械手吸附硅片正面，硅片背面与背面刷接触，然后缓慢通过旋转的背面刷，刷洗掉减薄后残留在硅片背面边缘圈印状的划伤和沾污。
支架不锈钢圆盘耐磨海绵背面聚氨酯转轴硅片背面溢流通道上端圈印刷洗装置圆盘状下端硅片背面边缘机械手硅片正面内部设置竖直安装支架固定开口处中空划伤减薄吸附相配沾污残留

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