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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202080104747.5在审
发明人：永久雄一;田中贵规;纲城启之;川畑直之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：碳化硅层(SL)在面内方向上具有活性区域(100)和配置于活性区域(100)的外周的外周区域(200)。多个第1阱区域(30)配置于活性区域(100)。第2阱区域(31)配置于外周区域(200)。多个欧姆电极(70)设置于碳化硅层(SL)的第2面上，与源极电极(80)连接，与多个第1阱区域(30)电欧姆连接，具有与碳化硅层(SL)的第2面中的具有第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域。活性区域(100)包括标准区域部(102)和标准区域部(102)与外周区域(200)之间的稀疏区域部(101)。稀疏区域部(101)相比于标准区域部(102)，俯视时的多个面区域的面密度更低。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080102138.6在审
发明人：樽井阳一郎;藤原伸夫;田中贵规 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及使用超级结构造的半导体装置，具备：第1导电类型的半导体基体；柱体部，具有在所述半导体基体上以向所述半导体基体的厚度方向突出的方式设置的第1导电类型的多个第1柱体以及第2导电类型的多个第2柱体；第1导电类型或者第2导电类型的柱体周边部，设置于所述柱体部的周围；以及半导体元件，将所述柱体部设置为活性区域，所述多个第1以及第2柱体具有条纹状的俯视时形状，在与各自的长度方向正交的柱体宽度方向上以并列的方式交替排列。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202080101331.8在审
发明人： 田中贵规;永久雄一;川畑直之;纲城启之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过抑制在场效应晶体管的体二极管中产生大电流，抑制元件特性的变动。碳化硅半导体装置具备：碳化硅半导体基板；半导体层，形成于碳化硅半导体基板的上表面；以及背面电极，形成于碳化硅半导体基板的下表面，将电阻率是第1值的区域设为第1电阻区域，将电阻率是比第1值大的第2值的区域设为第2电阻区域，第2电阻区域是在俯视时跨越活性区域与终端区域之间的边界即区域边界的区域。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法-CN202080094157.9在审
发明人：川畑直之;永久雄一;田中贵规;岩松俊明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开的目的在于提供一种生产性优良且抑制在体二极管中流过大电流时的特性劣化的碳化硅半导体装置。包括SiC基板(10)、缓冲层(11)以及漂移层(12)的构造体在俯视时被划分成在对SiC‑MOSFET(101)施加电压时流过电流的活性区域(13)和比活性区域(13)更靠外周侧的耐压保持区域(14)，活性区域(13)在俯视时被划分成中央部的第1活性区域(15)、和第1活性区域(15)与耐压保持区域(14)之间的第2活性区域(16)。第2活性区域(16)以及耐压保持区域(14)中的少数载流子的寿命比第1活性区域(13)中的少数载流子的寿命短。
碳化硅半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201780023631.7有效
发明人：海老原洪平;古桥壮之;田中贵规 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备：n型的漂移层(1)，形成于具有偏角的半导体基板(4)上；多个p型柱区域(2)，形成于漂移层(1)内；以及表面电极(5)，形成于包括p型柱区域(2)的漂移层(1)之上。在包括p型柱区域(2)的漂移层(1)的表层部，以包围有源区域的方式，形成有多个作为p型的半导体区域的耐压保持构造(3)。多个p型柱区域(2)分别为向半导体基板(4)的偏角的方向延伸的线状。多个耐压保持构造(3)在俯视时分别为包括与p型柱区域(2)平行地延伸的边和与p型柱区域(2)正交的边的框状。
半导体装置

[发明专利]碳化硅基板、碳化硅基板的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法-CN201880019618.9有效
发明人：古庄智明;田中贵规;黑岩丈晴;宇治原徹;原田俊太;村山健太 -专利权人：三菱电机株式会社;国立大学法人名古屋大学
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供不污染加工装置的低缺陷密度的碳化硅基板、和使用有该碳化硅基板的碳化硅半导体装置。本发明涉及的碳化硅基板(10)是具备基板内侧部(11)、和包围基板内侧部(11)的基板外侧部(12)的碳化硅基板(10)，基板内侧部(11)的非掺杂剂金属杂质浓度为1×1016cm‑3以上，基板外侧部(12)中至少表面侧的区域是非掺杂剂金属杂质浓度不到1×1016cm‑3的基板表面区域(13)。
碳化硅制造方法半导体装置

[发明专利]碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置-CN201780029769.8在审
发明人： 田中贵规;山本茂久;中村勇;木村泰广;中田修平;三谷阳一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置。外延基板(3)具备：由碳化硅形成的单晶基板(10)和在其上形成的由碳化硅形成的外延层(4)。外延层(4)具备：在单晶基板(10)上形成的第1外延层(41)、在第1外延层(41)上形成的第2外延层(42)、和在第2外延层(42)上形成的第3外延层(43)，第1外延层(41)中的基底面位错的转换率不到95％，第2外延层(42)中的基底面位错的转换率比98％大。
外延层碳化硅半导体装置碳化硅外延单晶基板基底面碳化硅转换率基板位错外延基板

[发明专利]SiC外延晶片的制造方法-CN201380072880.7有效
发明人：富田信之;三谷阳一郎;田中贵规;川畑直之;丰田吉彦;黑岩丈晴;浜野健一;大野彰仁;越智顺二;川津善平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提高在第1温度和第2温度下进行SiC外延生长时、可以抑制升温中的台阶聚束等的表面缺陷的产生的SiC外延晶片的制造方法。具备：向以带有不足5°的偏离角的4H‑SiC(0001)作为主面的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在1480℃以上1530℃以下的第1温度进行第1外延生长的第1工序；停止Si供给气体和C供给气体的供给、将SiC块状衬底从第1温度向第2温度升温的第2工序；向在第2工序中被升温了的SiC块状衬底上供给Si供给气体和C供给气体、在第2温度下进行第2外延生长的第3工序。 1
供给气体外延生长衬底外延晶片表面缺陷偏离角聚束制造

[发明专利]单晶4H‑SiC衬底及其制造方法-CN201410112911.3有效
发明人：大野彰仁;川津善平;富田信之;田中贵规;三谷阳一郎;浜野健一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H‑SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H‑SiC体材料单晶衬底（1）。在4H‑SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H‑SiC层（3）。单晶4H‑SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部（2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。
sic 衬底及其制造方法

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