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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]绝缘模块及栅极驱动器-CN202280016260.0在审
  • 田中文悟 - 罗姆股份有限公司
  • 2022-02-16 - 2023-10-10 - H01F19/00
  • 绝缘模块具有：第一导体和第二导体，其埋入到绝缘层内，并在绝缘层的厚度方向上分离地对置配置；第一电极，其与第一导体连接；第二电极，从绝缘层的厚度方向观察，第二电极设置于相对于第一电极分离的位置，并与第二导体连接；钝化层，其形成于绝缘层的表面；低介电层，其形成于钝化层的表面，介电常数比钝化层低；模制树脂，其覆盖低介电层。
  • 绝缘模块栅极驱动器
  • [发明专利]电子部件-CN202180089345.7在审
  • 田中文悟;西尾和真 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-11-29 - 2023-09-19 - H01L21/3205
  • 电子部件包含：芯片，其具有主面；绝缘层，其以超过2200nm的厚度层叠在所述主面上，并具有所述芯片侧的第一端和所述芯片的相反侧的第二端；电阻膜，其以不位于如下厚度范围的方式配置在所述绝缘层内，并包含由金属元素和非金属元素构成的合金晶体，所述厚度范围是以所述第一端为基准小于2200nm的厚度范围。
  • 电子部件
  • [发明专利]半导体装置-CN202180090706.X在审
  • 和田惠治;市川大介;郡充秀;泉直希;田中文悟 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-11-30 - 2023-09-08 - H01L21/76
  • 半导体装置包含：芯片，其具有一侧的第一主面及另一侧的第二主面；pn结部，其以沿着所述第一主面延伸的方式形成在所述芯片的内部；器件区，其设置在所述第一主面；第一沟槽构造，其以贯通所述pn结部的方式形成在所述第一主面，并在所述第一主面划分所述器件区；第二沟槽构造，其以贯通所述pn结部的方式形成在所述第一主面，并在比所述第一沟槽构造靠所述器件区侧的区域划分所述器件区。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置、半导体模块、马达驱动装置以及车辆-CN202180064281.5在审
  • 田中文悟;和田恵治 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-09-06 - 2023-07-04 - H01L25/00
  • 一种半导体装置，包含：半导体层，其具有主面；第一导电层，其形成在所述半导体层的所述主面上；第一绝缘部，其形成在所述半导体层的所述主面上以便覆盖所述第一导电层，并至少包含3层以上的第一绝缘层；第二绝缘部，其形成在所述第一绝缘部上，并包含第二绝缘层，该第二绝缘层具有与所述第一绝缘层不同的介电常数且不包含在所述第一绝缘部中；第二导电层，其形成在所述第二绝缘部上，并经由所述第一绝缘部以及所述第二绝缘部与所述第一导电层对置，所述第二导电层与不同于所述第一导电层的电位连接。
  • 半导体装置模块马达驱动以及车辆
  • [发明专利]半导体装置以及半导体模块-CN202180065062.9在审
  • 田中文悟 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-09-01 - 2023-05-30 - H01L27/04
  • 半导体装置包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电层，其形成在上述半导体芯片的上述主面上，且与第一电位连接；第二导电层，其在上述主面的法线方向上与上述第一导电层对置，且与比上述第一电位高的第二电位连接；绝缘层，其形成于上述第一导电层与上述第二导电层之间；以及第一焊盘，其在从上述法线方向观察上述半导体芯片时的俯视时的第一方向上形成于远离与上述第二导电层对置的区域的区域，且与上述第一导电层电连接。
  • 半导体装置以及模块
  • [发明专利]半导体器件-CN202180020640.7在审
  • 田中文悟 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-03-03 - 2022-11-01 - H01L21/76
  • 半导体器件包括：半导体层；元件分离部，其形成于所述半导体层，且在所述半导体层中界定元件区域；和第1接触件，其在俯视时形成为沿着所述元件分离部的线状，且与所述元件分离部电连接。所述半导体器件也可以还包括支承所述半导体层的半导体衬底和以与所述半导体层接触的方式形成的埋置层，所述元件分离部从所述半导体层的表面贯通所述埋置层，并到达所述半导体衬底。
  • 半导体器件
  • [发明专利]电子部件-CN202180018390.3在审
  • 田中文悟 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-02-22 - 2022-10-25 - H01L27/04
  • 本公开的电子部件包括包含杂质的第一绝缘层、形成于上述第一绝缘层之上的薄膜电阻以及形成于上述薄膜电阻与上述第一绝缘层之间的至少一部分且阻碍上述杂质的透过的阻挡层。也可以是，上述第一绝缘层包括第一面和相对于上述第一面凹陷的凹部，上述阻挡层包括埋入于上述凹部的第一部分和从上述第一部分的上部沿着上述第一绝缘层的上述第一面形成的第二部分。
  • 电子部件
  • [发明专利]半导体装置-CN202080081690.1在审
  • 田中文悟 - 罗姆股份有限公司
  • 2020-09-30 - 2022-07-15 - H01L27/04
  • 本发明提供一种半导体装置，包含：半导体芯片，其具有主面；绝缘层，其形成在所述主面上；功能器件，其形成在所述半导体芯片和所述绝缘层的至少一方；低电位端子，其形成在所述绝缘层上并与所述功能器件电连接；高电位端子，其从所述低电位端子空开间隔地形成在所述绝缘层上，并与所述功能器件电连接；以及密封导体，其在俯视下以将包含所述功能器件、所述低电位端子和所述高电位端子的区域与其它区域划分开的方式以壁状埋设于所述绝缘层，并与所述半导体芯片、所述功能器件、所述低电位端子和所述高电位端子在电气上分离。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN201410240551.5有效
  • 岩本邦彦;田中文悟;三富士道彦 - 罗姆股份有限公司
  • 2014-05-30 - 2019-01-15 - H01L29/423
  • 本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；将该半导体衬底分离为多个有源区域的条状的沟槽；具有从上述半导体衬底突出的突出部且被填充于上述沟槽内的填充膜；第二导电型的源极区域和漏极区域，上述源极区域和漏极区域是在上述有源区域形成的一对区域，在它们之间的区域提供第一导电型的沟道区域；和由跨上述源极区域和上述漏极区域的单一层构成的、以与上述突出部不重叠的方式超过上述突出部而突出的浮置栅，其中，上述填充膜的纵横比为2.3～3.67。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201410071801.7有效
  • 末代知子;押野雄一;河村圭子;田中文悟 - 株式会社东芝
  • 2014-02-28 - 2017-10-31 - H01L29/739
  • 本发明提供具有能够使耐压提高的终端结构的半导体装置。具有第一导电型的第一半导体层；第一绝缘层，与所述第一半导体层相接而设置；第二导电型的第二半导体层，与所述第一绝缘层相接，设置于所述第一半导体层内；以及多个平坦的场板电极，设置于所述第一绝缘层内，距所述第一半导体层的距离不同，所述多个平坦的场板电极被周期性配置，周期性配置的所述场板电极中的、离单元区域最近的一个周期的所述场板电极与发射电极连接，与发射电极连接的所述场板电极的外侧的所述场板电极成为浮动部半导体装置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201610129949.0在审
  • 田中文悟;安原纪夫 - 株式会社东芝
  • 2016-03-08 - 2017-02-22 - H01L29/78
  • 一种能够降低栅极电极的电阻的半导体装置。涉及实施方式的半导体装置具有：第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、栅极绝缘层、第1绝缘部、第2绝缘部和第2电极。栅极电极具有第1部分和第2部分。第1部分与第2半导体区域排列在第2方向上。第1部分包含多晶硅。第2部分设置在第1部分的一部分之上。第2部分包含金属。第1绝缘部设置在第1部分的其他的一部分之上，包围第2部分。第2绝缘部设置在第2部分之上以及第1绝缘部之上。第2电极设置在第3半导体区域之上以及第2绝缘部之上。第2电极与第2部分在第2方向上排列。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201510101196.8在审
  • 末代知子;小仓常雄;田中文悟 - 株式会社东芝
  • 2015-03-06 - 2016-10-05 - H01L29/739
  • 半导体装置，包含：第1电极；第1导电型的第1半导体层，设置在第1电极的上方；第2电极；第2导电型的第2半导体层，设置在第1区域内、且第1电极上；第2导电型的第3半导体层，设置在第1区域内、且第1半导体层上；第1导电型的第4半导体层，选择性地设置在第3半导体层上；栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在第1半导体层、第3半导体层、及第4半导体层内；第1导电型的第5半导体层，设置在与第1区域相邻的第2区域内、且第1电极上；第2导电型的第6半导体层，设置在第2区域内、且第1半导体层上；及第2导电型的第7半导体层，具有位于比栅极绝缘膜及第6半导体层的底部更靠第1电极侧的底部。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201510096751.2在审
  • 田中文悟;末代知子;押野雄一 - 株式会社东芝
  • 2015-03-04 - 2016-03-02 - H01L29/739
  • 实施方式的半导体装置包括：第二导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一栅极电极、第一区域、以及第二区域。第一栅极电极隔着第一绝缘膜而设置在第二半导体区域、第三半导体区域、以及第四半导体区域。第一区域设置在第二半导体区域中的第一半导体区域与第三半导体区域之间。第二区域设置在第二半导体区域中的第一区域与第一栅极电极之间。第二区域的第一导电型的载流子密度低于第一区域的第一导电型的载流子密度。
  • 半导体装置
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