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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310163108.1在审
  • 森山卓史 - 瑞萨电子株式会社
  • 2023-02-24 - 2023-10-17 - H01L23/488
  • 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。在形成于半导体衬底上的多层布线层的最上层布线层中形成焊盘电极。形成介电膜以覆盖焊盘电极。在介电膜中形成开口部分以到达焊盘电极。在开口部分中，作为导电层的一部分的导电膜电连接到焊盘电极。在导电膜的侧表面上形成氧化层，在氧化层中包含在导电膜中的材料被氧化。氧化层的宽度为200nm或大于200nm。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202310087169.4在审
  • 永富弘树;田中诚 - 瑞萨电子株式会社
  • 2023-02-09 - 2023-10-17 - G01K13/00
  • 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括第一晶体管，负载电流通过第一晶体管流向外部负载；电流生成电路，当负载电流流过过热检测目标时，该电流生成电路输出与过热检测目标中产生的功率损耗相对应的电流；电阻器‑电容器网络，其包括与过热检测目标的热电阻和热电容对应的电阻器和电容器，并且耦合到电流生成电路的一端；过热检测电路，耦合到所述电流生成电路和电阻器‑电容器网络的连接点；以及电压源，其将电流生成电路和电阻器‑电容器网络的连接点的电压设置为预定电压。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202310373035.9在审
  • 下山浩哉 - 瑞萨电子株式会社
  • 2023-04-10 - 2023-10-17 - H01L23/544
  • 本公开涉及一种半导体器件。感测MOSFET在平面图中形成在由主MOSFET和源极焊盘围绕的位置处，该源极焊盘连接到主MOSFET的源极区域。源极电位经由在平面图中由源极焊盘围绕的布线被提供给感测MOSFET的源极区域，场板电极与栅极电极一起形成在沟槽中，并且布线形成在源极焊盘外部。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置和数据处理系统-CN201810430859.4有效
  • 广部厚纪 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-05-08 - 2023-10-17 - G11C29/52
  • 本发明涉及半导体装置和数据处理系统，其提供了一种能够促进包括存储器装置和数据处理装置的半导体装置中的所述存储器装置中的数据的管理的技术。所述半导体装置包括第一外部端子、第二外部端子、数据处理装置和存储器装置。所述半导体装置还包括：第一总线，其耦合在所述数据处理装置与所述存储器装置之间；第二总线，其耦合在所述数据处理装置与所述第二外部端子之间；第三总线，其耦合到所述第一外部端子；以及控制电路，其耦合到所述第一总线和所述第三总线。所述控制电路具有使用所述第三总线对所述存储器装置的管理功能。
  • 半导体装置数据处理系统
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810589501.6有效
  • 神田良 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-06-08 - 2023-10-17 - H01L29/739
  • 本申请涉及半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件1包括：包括上表面的半导体衬底50；沟槽电极22，设置在形成在上表面上的沟槽20内；以及沟槽绝缘膜21，设置在沟槽电极22和半导体衬底50之间。半导体衬底50包括：第一导电类型的第一半导体层，到达第一半导体层的沟槽电极22的下端；第二导电类型的深层19，部分地设置在第一半导体层上并且与沟槽绝缘膜21接触；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层上和深层19上并且与沟槽绝缘膜21接触；以及第一导电类型的第三半导体层，设置在深层19之上的第二半导体层上。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置和总线发生器-CN201811590815.4有效
  • 山中翔;平木俊行;本田信彦 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-12-21 - 2023-10-17 - G06F13/16
  • 本申请的各实施例涉及半导体装置和总线发生器。每个主设备向存储器发出包括读请求和写请求的访问请求。高速缓存高速缓存由主设备发出的写请求。中央总线控制系统执行针对由每个主设备发出的读请求和由高速缓存输出的写请求的访问控制。中央总线控制系统执行针对由每个主设备发出的写请求的访问控制。中央总线控制系统根据存储器控制器的缓冲器的空闲情况来执行访问控制。中央总线控制系统根据高速缓存的空闲情况来执行访问控制。
  • 半导体装置总线发生器
  • [发明专利]半导体器件-CN201711461536.3有效
  • 佐藤嘉昭;假屋崎修一;中川和之 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-12-28 - 2023-10-13 - H01L23/64
  • 一种改进了可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：布线衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；芯片电容器，置于布线衬底中，具有第一电极和第二电极；第一端子和第二端子，设置在第一表面上；以及第三端子，设置在第二表面上。该半导体器件还包括：第一传导路径，用于耦合第一端子和第三端子；第二传导路径，用于耦合第一端子和第一电极；第三传导路径，用于耦合第三端子和第一电极；以及第四传导路径，用于耦合第二端子和第一电极。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811459473.2有效
  • 坪井信生 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-11-30 - 2023-10-13 - H01L27/12
  • 本申请涉及半导体器件及其制造方法。提供以下半导体器件以提高其可靠性。在包括半导体衬底、绝缘层和半导体层的SOI衬底中，在半导体层中形成扩散区域，并且在扩散区域上形成与扩散区域电连接的插塞。在半导体衬底内形成元件隔离部分，并在元件隔离部分中形成沟槽。沟槽的底部的最低部分低于半导体衬底的表面，并且在沟槽的侧部部分中形成侧壁间隔物以覆盖绝缘层的侧表面。结果，即使当插塞形成在偏离位置时，也可以抑制半导体衬底和半导体层导通的缺点。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]检查系统、检查装置和检查方法-CN201810318138.4有效
  • 香曾我部诚一 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-04-11 - 2023-10-10 - G06F11/22
  • 提供了检查系统、检查装置和检查方法。确定待检查装置的算术运算功能是否正常。待检查的MCU(13)从检查侧的电源IC(12)获取要用于算术问题的常数。MCU(13)顺序地选择多个算术问题，并根据选择的算术问题使用所获取的常数来执行算术运算。电源IC(12)的监测电路(23)从MCU(13)接收算术问题的算术运算的结果。监测电路(23)将接收的算术运算结果与在监测电路(23)侧计算的算术问题的算术运算结果进行比较。监测电路(23)基于比较结果确定MCU(13)的算术运算功能是否正常工作。
  • 检查系统装置方法
  • [发明专利]移动对象控制系统、移动对象控制方法和存储介质-CN201810864005.7有效
  • 寺岛和昭;梶原裕辉 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-08-01 - 2023-10-10 - G05D1/02
  • 本申请涉及移动对象控制系统、移动对象控制方法和程序。移动对象控制系统具有：SfM单元，通过使用SfM算法检测距单目相机拍摄的对象的距离；第一停止位置输出单元，输出第一停止位置；第二停止位置计算单元，计算比第一停止位置更近的第二停止位置；以及控制单元，控制移动对象的行驶。控制单元控制移动对象以停止在第二停止位置处。当满足预定启动条件时，控制单元控制移动对象以便启动。SfM单元通过在移动对象启动之后使用由单目相机拍摄的图像来检测距对象的距离。当获得由SfM单元进行的对象距离的检测结果时，控制单元使用检测结果来控制行驶。
  • 移动对象控制系统控制方法存储介质
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201510800604.9有效
  • 竹内洁;田边昭;间部谦三 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-11-19 - 2023-10-10 - G11C16/06
  • 一种半导体存储装置，具有使用可变电阻元件的至少一个存储单元，以及控制存储单元的写入和读取的控制电路。通过控制电路实现的操作包括第一写入操作，第二写入操作以及重写操作。第一写入操作是用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的写入操作。第二写入操作是用于将与第一极性相反的第二极性的第二电压施加至存储单元的写入操作。重写操作是在第一写入操作失败时，用于进一步执行用于将第二极性的第二电压施加至存储单元的第二A写入操作以及用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的第一A写入操作的写入操作。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810111318.5有效
  • 松尾至 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-02-05 - 2023-09-29 - H01L21/56
  • 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够检测异物并适合于半导体装置的量产。半导体装置的制造方法具备准备引线框架(RFP)的工序、将多个半导体芯片搭载到引线框架的工序以及通过密封树脂密封引线框架的一部分的工序。在这里，进行树脂密封的工序具有：将引线框架配置到具有形成有空腔部(1‑C、2‑C)的主面(1‑S1、2‑S1)且正被加热的模具(1、2)的主面的工序；将树脂注入到正被加热的模具的主面，以通过密封树脂密封引线框架的一部分的工序；以及从正被加热的模具取出引线框架的工序，在取出工序中，在取出引线框架的同时使用传感器(15)检查模具的主面，对传感器进行冷却，传感器与取出引线框架的臂一体地构成。
  • 半导体装置制造方法
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