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[发明专利]制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器设备结构的方法-CN201210287692.3有效
发明人：孙山;托马斯·E.·达文波特;约翰·克罗宁 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器设备结构的方法。该方法采用减少的工艺步骤制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器（F-RAM）设备结构。
制造镶嵌对准随机存取存储器设备结构方法

[发明专利]制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器的方法-CN201210287487.7有效
发明人：孙山;托马斯·E.·达文波特;约翰·克罗宁 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及制造镶嵌式自对准铁电随机存取存储器的方法。本发明公开了一种非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）装置以及一种以镶嵌式自对准F-RAM装置的形式制造非易失性F-RAM装置的方法，镶嵌式自对准F-RAM装置包括建立在氧化物沟槽的侧壁上的PZT电容器，且允许同时形成两个铁电侧壁电容器。
制造镶嵌对准随机存取存储器方法

[发明专利]使用铁电随机存取存储器且具有优化指令集的堆栈处理器-CN201210154918.2有效
发明人：弗兰克·菲莱尔 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：一种使用铁电随机存取存储器且具有优化指令集的堆栈处理器，其使用用于代码和部分堆栈存储空间的铁电随机存取存储器(F-RAM)并具有优化的指令集以最小化处理器堆栈访问并因此最小化程序执行时间。这在例如为RFID工具的低功率应用和电源仅可用有限的时间的应用中是特别有利的。本发明公开的是相对小但完整的指令集，使得能够支持大量的可能的应用且程序执行时间不太长。
使用随机存取存储器具有优化指令堆栈处理器

[发明专利]使用铁电随机存取存储器的堆栈处理器-CN201210154889.X有效
发明人：弗兰克·菲莱尔 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：一种使用铁电随机存取存储器的堆栈处理器，通过存储一些相关堆栈在互补金属氧化物半导体或者其它易失性存储器中，避免了仅对F-RAM的读/写操作。与全部F-RAM堆栈实现相比，提供了更快、较低能耗和更快程序执行时间。也可以提供固件代码，该固件代码倾向于将更密集的计算集中到堆栈在易失性存储器中的那部分，且最小化堆栈的F-RAM部分的弹出/压入操作。而且，因为只有堆栈的顶部在易失性存储器中，所以堆栈的大部分保存在F-RAM中，这意味着该应用仍可得益于高的F-RAM耐用性和较短的断电时间。
使用随机存取存储器堆栈处理器

[发明专利]使用铁电随机存取存储器且具有优化指令集的堆栈处理器-CN201210154919.7有效
发明人：弗兰克·菲莱尔 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：一种使用铁电随机存取存储器且具有优化指令集的堆栈处理器，所述堆栈处理器有效响应多达基于16位字的64条指令。在16位字中的每条指令包括3条5位指令和适用于3条5位指令中的每条指令的第16位，从而使每条指令有效6位宽。
使用随机存取存储器具有优化指令堆栈处理器

[发明专利]使用用于代码和数据空间的铁电随机存储器的堆栈处理器-CN201210154887.0有效
发明人：弗兰克·菲莱尔 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：一种使用用于代码和数据空间的铁电随机存储器的堆栈处理器。该堆栈处理器由于堆栈指针自身是存储器地址而具有简单的堆栈指针管理的优势。而且，由于所有寄存器已经被保持在非易失性F-RAM本身中而最小化了用于将所有重要寄存器保存至存储器的时间。
使用用于代码数据空间随机存储器堆栈处理器

[发明专利]射频识别标签的通电时序-CN201210191878.9有效
发明人：阿古斯丁·奥乔亚;霍华德·唐 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及射频识别标签的通电时序。铁电RFID电路的时序电路包括：输入节点，用以接收外部电压；带隙电路，连接所述输入节点；带隙准备电路，连接所述带隙电路；旋转滤波器，具有连接所述输入节点和所述带隙准备电路的输入端；滤波电容器，连接所述旋转滤波器的输出端；以及LDO调节器，具有连接所述旋转滤波器的输出端的输入端，具有若干用以在存储器部分和数字电路部分中使用的调节电压，且用以产生复位信号。所述时序电路还包括用以在各工作模式之间引入受控延时的延时电路、用以监控电源电压的POR单元和用于监控内部节点以控制关闭的脉冲发生器的数字状态机。
射频识别标签通电时序

[发明专利]认证铁电随机存取存储器(F-RAM)装置和方法-CN201210025501.6有效
发明人：库尔特·S·施瓦兹;起道·李;迈克尔·博尔扎 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G06F12/14 文献下载
摘要：本发明提供了认证铁电随机存取存储器(F-RAM)装置和方法。本发明的装置和技术利用高级加密标准AES128加密模块以及真硬件随机数产生器和基本异或(XOR)功能以获得处理量相对小的安全算法。由于写时间比传统的浮栅非易失性存储器技术的写时间短，使用F-RAM显著降低了干预关键安全参数(CSP)更新可用的时间。而且，与浮栅技术不同，F-RAM的读和写电流特征得到平衡，使得较不易发生旁路攻击，同时还提供了短得多的擦除时间。
认证随机存取存储器 ram 装置方法

[发明专利]使用非直接存储器指针的快速块写入命令及方法-CN201110192932.7有效
发明人：马克·R·惠特克;道格·D·莫兰;罗伯特·约翰·克拉克;亚历山大·安东尼·约翰·罗奇 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本发明公开了使用非直接存储器指针的快速块写入命令及方法，所述快速块写入命令包括提供具有存储器的RFID标签，和使用存储的地址指针来指向存储器中的已知地址，其中所述存储的地址指针指向存储器中已知的安全块的起始地址。执行该方法无需中间缓冲器。所接收的数据写入已知的安全块，并对所接收的数据计算循环冗余校验。如果循环冗余校验匹配，则保持所接收的数据并更新存储的地址指针。如果循环冗余校验不匹配，则保持所存储的地址指针以用于以后的写入操作。在初始成功块写入之后可以禁用进一步的块写入。
使用直接存储器指针快速写入命令方法

[发明专利]用于RFID应答器的低功率、少引脚计数接口-CN201110193691.8有效
发明人：马克·R·惠特克 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本发明提供了用于RFID应答器的低功率、少引脚计数接口。所述接口包括选择节点、时钟节点、第一双向数据端口、第二双向数据端口、以及移位寄存器电路，移位寄存器电路耦接到两个数据端口以使得与时钟节点相关的时钟信号的前沿和下降沿被用来对数据进行移位或传输数据。
用于 rfid 应答器功率引脚计数接口

[发明专利]用于RFID的中断产生及确认的装置和方法-CN201110193698.X有效
发明人：马克·R·惠特克;莱斯莉·约瑟夫·马伦泰特 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：本发明提供了用于RFID的中断产生及确认的装置和方法。控制存储器访问的电路包括：存储器；存储器访问控制电路，其耦接至所述存储器；RFID接口，其耦接至所述存储器访问控制电路；次级接口，其耦接至所述存储器访问控制电路；中断管理器，其耦接至所述存储器访问控制电路、所述RFID接口、和所述次级接口。
用于 rfid 中断产生确认装置方法

[发明专利]使用间接存储器指针的RFID访问方法-CN201110194799.9有效
发明人：马克·R·惠特克;丹尼·李·西克里斯特 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G06K1/12 文献下载
摘要：本发明提供了使用间接存储器指针的RFID访问方法，包括：在存储器中固定的可读/写存储器位置处定位存储器指针；确定谱系缓冲器的范围；将存储器指针初始化为该范围中的最小值；提供第二存储器位置，其作为用于间接写入的触发地址；以及通过将写入数据引导至触发地址来在谱系缓冲器中的下一位置写入，该写入数据随后自动地写入存储器指针所指向的位置处。
使用间接存储器指针 rfid 访问方法

[发明专利]用于减轻铁电存储器中的压印的方法-CN201010155006.8无效
发明人： C·泰勒;储钒;孙山 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种允许压印减轻的铁电存储器单元阵列包括：铁电存储器单元，其分别耦合到字线、板线和位线；字线驱动器，用于驱动所述字线；板线驱动器，用于驱动所述板线；位线驱动器，用于驱动所述位线；以及隔离设备驱动器，用于驱动耦合在所述位线和多个位线之间的隔离设备。用于减轻压印的方法包括：将位线耦合到各自的多个检测放大器；导通字线并且脉冲化与一行铁电存储器单元相关联的板线；将所述位线与所述各自的检测放大器断开；驱动所述板线为低电平并且驱动所述位线为高电平；驱动所述板线为高电平并且驱动所述位线为低电平；驱动所述板线为低电平并且悬空所述位线；用所述检测放大器来驱动所述位线；以及关断所述字线并且对所述位线预充电。所述方法可以在每次存储器存取之后被执行，或者可以在任何方便的时候用计数器和复原命令来执行。
用于减轻存储器中的压印方法

[发明专利]用于制备取向的PZT电容器的晶体构造电极的方法-CN200710137162.X有效
发明人：格伦·R.·福克斯;托马斯·达文波特 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明描述了一种底电极结构及其制造方法，该底电极结构可以用于制备用来构造能够增强铁电体存储器性能的取向的PZT电容器的晶体结构的铱电极。使用具有{0001}取向的六方晶体结构的晶种层来提供一种用于生长{111}取向的铱的光滑表面，所生长的铱呈现出面心立方晶格(″FCC″)结构。此晶种技术所制得的{111}取向的铱的表面糙度相对于薄膜厚度是很小的。高度取向的铱层又为{111}取向的PZT介质层的生长提供了支持。取向PZT呈现出增强的换向极化、减小的工作电压，并且可以改善用于FRAM^存储器和其它微电子设备的PZT电容器的可靠性。
用于制备取向 pzt 电容器晶体构造电极方法

[发明专利]用于制备取向的PZT电容器的晶体构造电极的方法-CN03123976.5有效
发明人：格伦·R·福克斯;托马斯·达文波特 -专利权人： 瑞创国际公司
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明描述了一种底电极结构及其制造方法，该底电极结构可以用于制备用来构造能够增强铁电体存储器性能的取向的PZT电容器的晶体结构的铱电极。使用具有{0001}取向的六方晶体结构的晶种层来提供一种用于生长{111}取向的铱的光滑表面，所生长的铱呈现出面心立方晶格(″FCC″)结构。此晶种技术所制得的{111}取向的铱的表面糙度相对于薄膜厚度是很小的。高度取向的铱层又为{111}取向的PZT介质层的生长提供了支持。取向PZT呈现出增强的换向极化、减小的工作电压，并且可以改善用于FRAM^R存储器和其它微电子设备的PZT电容器的可靠性。
用于制备取向 pzt 电容器晶体构造电极方法

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