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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶圆检测方法及其装置-CN202210042177.2在审
发明人：王上棋;陈苗霈;吴翰宗;蔡佳琪;李依晴 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆检测方法及晶圆检测装置。所述方法包括：接收至少一晶圆的扫描信息，其中所述扫描信息包括多个雾度值；根据单位区块分割所述扫描信息为多个信息区块，并且根据各所述多个信息区块包括的所述多个雾度值计算各所述多个信息区块的特征值；以及根据雾度上限值及雾度下限值将所述特征值转换为色彩值，并根据所述特征值所转换的色彩值产生对应所述至少一晶圆的色彩图，其中所述色彩图显示所述至少一晶圆的纹理内容。
检测方法及其装置

[发明专利]晶圆表面缺陷检测方法及其装置-CN202210055920.8在审
发明人：王上棋;陈苗霈;吴翰宗;蔡佳琪;李依晴 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面缺陷检测方法及晶圆表面缺陷检测装置。所述方法包括：接收晶圆的扫描信息，其中所述扫描信息包括多个扫描参数；决定所述扫描信息的至少一参考点，并根据所述至少一参考点及参考值产生路径信息；根据所述路径信息取得所述扫描参数中对应所述路径信息的多个第一扫描参数，以产生曲线图；以及根据所述曲线图判断所述晶圆是否具有缺陷并判断所述缺陷的缺陷类型。
表面缺陷检测方法及其装置

[发明专利]晶片-CN202210103484.7在审
发明人：温禅儒;张志暐;周素莲 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片，包括环状部分以及加工部分。加工部分连接环状部分。加工部分具有经研磨的顶面以及相对于顶面的底面。加工部分被环状部分所环绕。顶面连接环状部分的区域为朝上弯曲的弧面。
晶片

[发明专利]刻蚀工具以及曝气装置-CN202210042178.7在审
发明人：邓宇伦;张志暐;吴翰宗 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B01F33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种曝气装置以及刻蚀工具，所述曝气装置，包括曝气管。曝气管具有依序连接的第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区。曝气管具有分别设置于第一曝气区、第二曝气区以及第三曝气区的多个第一开口、多个第二开口以及多个第三开口。第二开口位于第一开口与第三开口之间。第一开口的曝气密度与第三开口的曝气密度大于第二开口的曝气密度。
刻蚀工具以及装置

[发明专利]用于处理具有多晶面层的半导体晶片的方法-CN201680063165.0有效
发明人：王慧;A·朱;A·格拉贝 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：一种处理半导体晶片的方法包含在所述半导体晶片上沉积硅层。将第一浆液施加到所述半导体晶片且对所述硅层进行抛光以使所述硅层平滑。将第二浆液施加到所述半导体晶片。所述第二浆液包含比所述第一浆液更大量的腐蚀剂。
用于处理具有多晶面层半导体晶片方法

[发明专利]晶棒切片装置及晶棒切片方法-CN202210031078.4在审
发明人：张正谦;徐耀丰;陈俊合 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开一种晶棒切片装置及一种晶棒切片方法。晶棒切片方法用来配合晶棒切片装置实施，而晶棒切片装置用来将一晶棒切割成多个芯片。晶棒切片装置包括两个牺牲材料、多个滚轮以及能移动地环绕多个滚轮设置的至少一个切割线。两个牺牲材料各具有一凹槽及一顶面，并且两个凹槽用来分别容纳并抵接于晶棒的相反两侧部位。在两个牺牲材料与晶棒的一横截面中，每个凹槽对应于晶棒的一中轴线形成介于60度～180度的一圆心角。当至少一个切割线切割晶棒与两个牺牲材料时，至少一个切割线从其中一个牺牲材料的顶面开始切割，继而对晶棒进行切割以形成多个芯片。借此改善芯片的开切端及黏胶面的凹凸线痕，并改善芯片的形貌及芯片的几何形状。
切片装置方法

[发明专利]具有优越性能、稳定性及可制造性的绝缘体结构上的射频硅-CN202210670187.0在审
发明人： M·R·西克里斯特;R·W·斯坦德利;J·L·利贝特;H·斯雷德哈拉穆尔西;L·詹森 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及具有优越性能、稳定性及可制造性的绝缘体结构上的射频硅。通过利用从浮区生长单晶硅锭切片的单晶硅处置晶片来提供一种具有优越射频装置性能的绝缘层上半导体(例如，绝缘层上硅)结构及一种制备此结构的方法。
具有优越性能稳定性制造绝缘体结构射频

[发明专利]纯化设备及热场配件纯化方法-CN202210166652.7在审
发明人：张仲升;中西正美;苏玉圣;朱彦勋;吴用吉;范义华 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01J19/14 文献下载
摘要：本发明公开一种纯化设备及配合其实施的一种热场配件纯化方法，纯化设备用来去除设置于纯化设备内侧的至少一个热场配件上的金属杂质。纯化设备包括一高温炉、设置于高温炉内侧的一密闭盒、连接于高温炉与密闭盒的一外管、设置于外管的内侧的一内管、连接于外管的一进气盖、设置于进气盖与外管之间的一第一密封件、以及环绕内管设置的一第二密封件。高温炉包含一炉体、一炉盖及设置于炉体内侧的一热场模块，进气盖能通过内管向密闭盒输入一惰性气体，热场模块用来加热惰性气体以使杂质由于被惰性气体加热而汽化。借此，将热场配件纯化后并再次利用，以降低切换或调整产品工艺所造成的成本损失。
纯化设备配件方法

[发明专利]自动光学检测方法、自动光学检测系统及记录媒体-CN202111345573.4在审
发明人：古承伟;王上棋;李佳烨 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种自动光学检测方法、系统及记录媒体。此方法经由光学镜头获取待测物的原始图像，其中原始图像包括多个第一图像；对原始图像执行边缘检测，以获得具有边缘图案的边缘图像，其中边缘图像包括多个第二图像；计算第二图像中像素值的最大值、最小值及平均值至少其中之一；根据单位面积分割边缘图像为多个图像区块，并根据图像区块中包括的多个第二图像对应的最大值、最小值及平均值至少其中之一计算多个特征值；以及根据特征值与待测物数据训练对应待测物缺陷的回归模型以获得最佳回归模型。
自动光学检测方法系统记录媒体

[发明专利]从SOI结构移除氧化物膜的方法及制备SOI结构的方法-CN202080092713.9在审
发明人： C·R·洛茨;S·G·托马斯;H·F·埃尔克 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开从绝缘层上硅结构移除氧化物膜的方法。可在沉积外延硅增厚层之前，从SOI结构剥离所述氧化物。可通过朝向所述SOI结构的中心区域施配蚀刻溶液且向所述结构的边缘区域施配蚀刻溶液来移除所述氧化物膜。
soi 结构氧化物方法制备

[发明专利]晶圆承载盘-CN201910403119.6有效
发明人：谢伟杰;陈瑞斌;施英汝 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆承载盘，包含沿高度方向依序排列的一第一阶层、一第二阶层及一第三阶层。其中，第二阶层的环侧缘外径大于第一阶层的环侧缘外径，并且第三阶层的环侧缘外径为第二阶层的环侧缘外径的100.5％至102.5％。所述第三阶层的顶面定义为晶圆承载盘的第一表面，并且第一阶层的底面定义为晶圆承载盘的一第二表面。所述第三阶层从第一表面凹设形成有彼此间隔设置的N个晶圆槽。据此，晶圆承载盘通过设有第三阶层，以在进行晶圆磊晶的过程中，能够提供较长的气流路径，进而有效地改善在气流停滞于晶圆的外围部位而形成较厚的磊晶厚度。
承载

[发明专利]晶棒切片方法-CN202210039056.2在审
发明人：张正谦;徐耀丰;陈俊合 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开一种晶棒切片方法，其依次包括：一切割步骤、一断线救回步骤、以及一续行切割步骤。在切割步骤中，一切割线以一默认速度值能移动地绕设于多个滚轮，同时以一预定速度值沿一切割方向移动一晶棒，并使晶棒被切割线切割。在断线救回步骤中，以默认速度值先降后升的方式将一续行切割线能移动地绕设于多个滚轮，同时以预定速度值先降后升的方式沿切割方向移动晶棒，使晶棒被续行切割线切割。在续行切割步骤中，使续行切割线以默认速度值移动地绕设于多个滚轮，同时使晶棒以预定速度值沿切割方向移动，让续行切割线切割晶棒以产生多个芯片。借此，发生断线后再被重新进行切割的晶棒能被切割成不具有明显的断差的多个芯片，不良率大幅下降。
切片方法

[发明专利]使用水平磁场生产硅的系统及方法-CN202080086321.1在审
发明人： J·柳;池浚焕;尹佑镇;R·菲利普斯;卡瑞喜玛·玛莉·哈德森 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种用于通过水平磁场柴可斯基方法生产硅碇的方法包含：旋转装纳硅熔融物的坩埚；将水平磁场施加到所述坩埚；使所述硅熔融物与晶种接触；及在旋转所述坩埚的同时从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成硅碇。所述坩埚具有可湿表面及形成于其上的方石英层。
使用水平磁场生产系统方法

[发明专利]依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法-CN202210527011.X在审
发明人：吉村一朗;A·朱;H·J·邱;S·巴哈加瓦特;金泰亨;片仓则正;北泽大 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本申请涉及依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法。本发明揭示抛光半导体衬底的方法，所述方法涉及基于抛光垫的垫对垫变化量调整精抛光序列。
依据变化进行调整半导体衬底抛光方法

[发明专利]具有优越性能、稳定性及可制造性的绝缘体结构上的射频硅-CN201980044762.2有效
发明人： M·R·西克里斯特;R·W·斯坦德利;J·L·利贝特;H·斯雷德哈拉穆尔西;L·詹森 -专利权人： 环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：通过利用从浮区生长单晶硅锭切片的单晶硅处置晶片来提供一种具有优越射频装置性能的绝缘层上半导体(例如，绝缘层上硅)结构及一种制备此结构的方法。
具有优越性能稳定性制造绝缘体结构射频

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