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[发明专利]软弱薄矸石层分隔的非急倾斜上下矿层联合开采方法-CN202110512080.9有效
发明人：彭云;王彦君;邹保春 -专利权人：紫金矿业集团股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： E21C41/22 文献下载
摘要：软弱薄矸石层分隔的非急倾斜上下矿层联合开采方法，在上层矿内掘进分段运输和回风平巷，沿走向划分矿块，在矿块走向两端上层矿内掘进两条切割上山，在走向中央下层矿内掘进一条切割上山并通过运输石门、回风石门连接分段运输平巷和回风平巷，形成上下矿层联合采准系统，下层矿全层开采，上层矿间隔开采、充填开采与空场开采，本矿块与邻近矿块和上下矿层联合开采、矿层间软弱薄矸石层的有效剔除，主要工业矿层分步骤全部条带开采、间隔条带充填，次要工业矿层间隔条带开采、不充填的上下矿层间联合开采，它具有能有效提高矿石采出品位，使下层矿的回采率达90％，上层矿回采率达60％等优点。
软弱矸石分隔倾斜上下矿层联合开采方法

[发明专利]一种稳定抛光液状态的方法-CN202211270553.X在审
发明人：吴鹏飞;张雪;张超仁;黄春峰;李仕权;孙晨光;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定抛光液状态的方法，采用单面有蜡抛光、三粗一中一精工艺加工200mm半导体硅片。在抛光过程中，控制粗抛液流量在9～11L/min，中抛液流量在5～7L/min；精抛液流量1.8～2.2L/min；抛光液温度都稳定在15～25℃；粗抛大盘转速在20～30r/min，中心导轮转速在44～66r/min；中抛大盘转速在10～20r/min，中心导轮转速在15～20r/min；精抛大盘转速在10～15r/min，中心导轮转速在10～20r/min。本发明通过改善抛光工艺方法，可以稳定抛光液状态并降低单位时间内抛光液有效成分的消耗，进而延长抛光液的使用寿命，降低生产成本。
一种稳定抛光液状方法

[实用新型]一种硅片加工处理装置-CN202222682006.4有效
发明人：刘园;袁祥龙;赵洋;武卫;刘建伟;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;孙晨光;王彦君;张宏杰;由佰玲;常雪岩;杨春雪;谢艳;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种硅片加工处理装置，包括：抛光单元，其至少构置有一个粗抛部和一个精抛部，所述粗抛部和所述精抛部对硅片的单侧面进行抛光，且均为多组硅片同步抛光；清洗单元，其配置有一级清洗和二级清洗，所述一级清洗和所述二级清洗对硅片的双侧面进行清洗，且均为单组硅片逐个清洗；所述抛光单元和所述清洗单元之间还设有连接仓，所述连接仓中配置有可承载若干硅片的片篮，所述片篮可在所述抛光单元和所述清洗单元之间往复移动。本实用新型一种硅片加工处理装置，尤其是适用于大尺寸硅片的抛光和清洗，优化抛光处理装置，结构设计合理，可保证硅片持续进行抛光和清洗，加工处理后，可获得高平整度和高净化度的硅片产品。
一种硅片加工处理装置

[发明专利]一种硅片清洗干燥方法-CN202211368044.0在审
发明人：白苏宁;黄盛军;菅明辉;曹锦伟;李仕权;孙晨光;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片清洗干燥方法，其清洗干燥方法包括以下步骤：S1、首先将需要进行清洗的硅片实时输送到清洗设备处备用，然后通过控制专门的机器进行自动夹取，将备用放置硅片摆放到相应清洗架或者清洗盒上，并将清洗架或者清洗盒上摆放好的硅片自动传送到慢提拉槽内部，并且向慢提拉槽内部导入适量的水进行清洗即可；S2、然后当设定的慢提拉槽清洗时间到后，控制设备开始进行自动排水，等到排水完成后，控制设备进行实时自动呼叫机械手，当机械手到位后快速上升，将硅片进行移动到下一工位。本发明有效的降低了机械手的循环时间，大大的提高了设备产量，同时每组硅片都更换一次水，进一步提高了硅片的整体质量。
一种硅片清洗干燥方法

[发明专利]一种改善超重掺B衬底外延后WARP的工艺方法-CN202211257385.0在审
发明人：韩少锋;经尚宸;黄星博;李仕权;黄春峰;曹锦伟;孙晨光;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善超重掺B衬底外延后WARP的工艺方法，其改善工艺方法包括以下步骤：S1、首先在进行超重掺Ph衬底外延加工前，需要对超重掺Ph衬底外延生长系统进行腐蚀和基座包硅处理，并且需要对超重掺Ph衬底表面进行前抛光处理，去除超重掺Ph衬底表面残留的局部瑕疵和不平整处；S2、其次需要将超重掺Ph衬底放入的加热设备内部，进行实时升温到一定范围值的温度区域内，向炉内通入大流量氢气，用化学气相沉积法生长一层本征外延层，再次通入大流量氢气冲洗，进行第二阶段的生长，直到外延层的厚度达到要求。本发明能够有效的实现超重掺B Res≤1mohm‑cm外延WARP改善，由＞60um降低为＜30um，使外延长膜过程中产生的应力得到释放，进而有效的降低了外延后WARP。
一种改善超重衬底外延 warp 工艺方法

[发明专利]基于晶圆解理装置的晶圆体金属检测方法及晶圆解理装置-CN202210930111.7在审
发明人：邓春星;由佰玲;周迎朝;原宇乐;武卫;刘建伟;刘园;孙晨光;王彦君;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明提供一种基于晶圆解理装置的晶圆体金属检测方法及晶圆解理装置，包括：通过所述解理装置对所述晶圆进行解理；用雾化的氢氟酸处理所述晶圆的解理面；收集所述解理面上的金属离子；通过ICP‑MS检测出所述晶圆中金属的含量；一种晶圆解理装置，包括：刻刀、机械钳和第一载台，所述第一载台被设置于放置晶圆；所述机械钳被设置于所述晶圆的侧面，用于夹取所述晶圆；所述刻刀被设置于所述晶圆的上方，用于切割所述晶圆。本发明的有益效果是通过自动化解理过程，实现对晶圆的机械化解理，用硅片解理的机械方法，使得硅片的内部表面暴露出来，再结合ICP‑MS，使得硅片中的金属元素的含量能够进行表征，从而更加容易地分析与控制硅片中金属元素的含量。
基于解理装置晶圆体金属检测方法

[发明专利]一种改善掺Sb衬底外延Slip的工艺方法-CN202211251998.3在审
发明人：韩少锋;贾晟达;黄星博;李仕权;王彦君;孙晨光;黄春峰;曹锦伟 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善掺Sb衬底外延Slip的工艺方法，其改善工艺方法包括以下步骤：S1、首先在进行掺Sb衬底外延加工前，需要利用氯化氢HCl气体在高温下对掺Sb衬底外延进行刻蚀抛光，去除掺Sb衬底外延上的残余沉积物质，并且将抛光温度设定在一定范围值内，设定一定值的通入HCl气体流量，并且进行刻蚀时间的设定；S2、然后当刻蚀抛光处理结束后，采用大流量氢气对掺Sb衬底外延表面进行吹扫，并且将氢气流量设定在一定范围值，并将吹扫时间设定在一定范围值，将HCl刻蚀抛光加工处过程中产生的副产物去除出腔体外。本发明使用低温外延减弱外延长膜过程中的应力效应，有效的降低了加工处理过程中Slip发生概率，使掺Sb衬底外延长膜Slip问题得到有效解决。
一种改善 sb 衬底外延 slip 工艺方法

[实用新型]一种移动式砸料装置-CN202222724084.6有效
发明人：马潇;孔凯斌;周占民;王淼;贾海洋;张强;周宏邦;娄中士;王彦君;孙晨光;田旭东;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B02C1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅制造技术领域，且公开了一种移动式砸料装置，包括储料柜，所述储料柜的右侧通过合页铰接有第一柜门，所述储料柜的上表面固定连接有防混罩，所述防混罩的右侧通过合页铰接有第二柜门，所述储料柜的上表面和防混罩的内壁均固定连接有工具存放盒，所述工具存放盒的右侧、储料柜的上表面、防混罩内壁的前后两侧和第二柜门的左侧均贴合设置有砸料盒。本实用新型通过设置储料柜、第一柜门、防混罩、第二柜门、工具存放盒和砸料盒，其中，当使用者将原料放置在砸料盒内后，通过防混罩为原料提供一个独立空间，进而使使用者在砸料时，通过防混罩使砸料盒内原料不会被沾污。
一种移动式装置

[实用新型]一种用于单晶炉复投筒的稳定设备-CN202222606087.X有效
发明人：马潇;黄永金;韩飞宇;王淼;贾海洋;张强;周宏邦;娄中士;王立刚;王彦君;孙晨光;田旭东 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶制造辅助设备技术领域，涉及一种用于单晶炉复投筒的稳定设备，包括稳定台以及用于固定所述稳定台的固定杆，所述稳定台的顶部与复投筒底部的锥台连接，所述固定杆可带动所述稳定台位移，以使所述稳定台贴合所述锥台。本实用新型的有益效果是，在复投筒底部设置稳定台以及多个连接件，使复投筒从倾斜状态快速精准地调整为竖直状态，并可避免人员直接接触复投筒，也减少了因污染问题导致的品质缺陷，同时减少了安全事故的发生；通过移动组件控制固定杆位移进而控制稳定台与锥台精准、快速贴合，最大限度减少或避免因复投筒晃动导致摩擦产生金属杂质，提高硅单晶质量，缩短复投调整时间，减少人员负重，降低生产成本。
一种用于单晶炉复投筒稳定设备

[实用新型]一种可以稳定不同尺寸石英坩埚的装料小车-CN202222633629.2有效
发明人：季文斌;李浩东;张庆虎;黄永金;贾海洋;周宏邦;娄中士;王淼;张强;王彦君;孙晨光;田旭东;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B62B3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可以稳定不同尺寸石英坩埚的装料小车，包括支撑架和夹持装置，所述支撑架用于放置石英坩埚，所述夹持装置设置在所述支撑架上方，用于对所述石英坩埚外壁进行夹持，且所述夹持装置可上下移动，也可靠近或远离所述石英坩埚外壁移动。本实用新型的有益效果是可以使不同尺寸的石英坩埚在运输过程中保持稳固，减小石英坩埚发生碰撞破裂的风险，保证生产的正常进行，提高生产效率。
一种可以稳定不同尺寸石英坩埚装料小车

[实用新型]一种降低直拉单晶复投碳含量的装置-CN202222633646.6有效
发明人：孔凯斌;刘伟;韩飞宇;郝小龙;周宏邦;王淼;张强;贾海洋;娄中士;王立刚;王彦君;孙晨光 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，可移动式设置在单晶炉内导流筒的内表面，包括内导本体和提升杆，所述内导本体设置在所述内导流筒的内表面，所述提升杆一端与所述内导本体顶部连接，另外一端穿过所述单晶炉的炉盖并设有提升模块，所述提升模块可带动所述提升杆和内导本体上下移动。本实用新型的有益效果是有效的避免了复投过程多晶原料磕碰内导流筒引入石墨元素导致的单晶碳高问题，提升了单晶品质，提高了石墨内导流筒的使用寿命，有效提高了生产效率，节约了生产成本。
一种降低直拉单晶复投碳含量装置

[实用新型]一种拆清运输机构-CN202222633667.8有效
发明人：李振;娄中士;李鹏飞;袁长宏;田旭东;常瑞新;张净源;王旭升;贾海洋;周宏邦;王淼;张强;王彦君;孙晨光;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种拆清运输机构，包括运输车体，所述运输车体上部设有中转台，所述中转台用于放置热场石墨件，所述中转台与所述运输车体可拆卸式连接，所述中转台可承载所述热场石墨件在位于不同车间的运输车体上进行流转。本实用新型的有益效果是有效的避免了石墨粉尘落入拆清运输车进入生产车间影响车间洁净等级的问题，降低了石墨粉尘进入单晶炉的风险，保证了单晶的成晶率和整棒率。
一种运输机构

[实用新型]一种单晶炉CUSP磁场零磁面和磁场强度的测量装置-CN202222633719.1有效
发明人：孔凯斌;侯明超;周宏邦;王彦君;孙晨光;王淼;娄中士;贾海洋;张强 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉CUSP磁场零磁面和磁场强度的测量装置，可设置在单晶炉体上端面上方，包括支撑组件和标尺杆，所述支撑组件设置在所述单晶炉体上端面上，所述标尺杆竖直设置与所述支撑组件活动连接，所述标尺杆可上下移动且可沿所述单晶炉体上端面径向移动，所述标尺杆底部设有高斯计探头。本实用新型的有益效果是实现了单晶炉CUSP磁场零磁面的精确定位以及零磁面上磁场强度的准确测量，提高了测量精度，保证了拉制单晶工艺的实现，有利于提升单晶品质，结构简单操作便捷。
一种单晶炉 cusp 磁场零磁面磁场强度测量装置

[实用新型]一种抑制单晶炉观察窗氧化物堆积的装置-CN202222633723.8有效
发明人：刘伟;贾海洋;周宏邦;娄中士;王淼;张强;王立刚;侯明超;孔凯斌;李浩东;吕惠芸;田旭东;王彦君;孙晨光 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种抑制单晶炉观察窗氧化物堆积的装置，可设置在炉盖上，包括电机、传动轴，伸缩杆和叶片组件，所述电机设置在所述炉盖上方，所述传动轴一端与所述电机连接，另外一端穿过所述炉盖伸入炉盖空腔内设有所述伸缩杆，所述伸缩杆上设有叶片组件，所述电机可驱动所述传动轴带动所述叶片组件转动，所述伸缩杆可带动所述叶片组件上下移动。本实用新型的有益效果是有效的抑制了单晶炉观察窗氧化物的堆积，确保了单晶的稳定生长。
一种抑制单晶炉观察窗氧化物堆积装置

[实用新型]一种底部自吸粉尘的筛料小车-CN202222633725.7有效
发明人：张净源;李鹏飞;娄中士;袁长宏;李振;田旭东;王旭升;常瑞新;段媛媛;周宏邦;王彦君;孙晨光;王淼;贾海洋;张强;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种底部自吸粉尘的筛料小车，包括放料筒体、筛料筒体和小车本体，所述放料筒体用于盛放待筛硅料，顶部设有盖体，外侧设有振动电机,使所述放料筒体产生晃动，所述筛料筒体设于所述放料筒体底部，与所述放料筒体可拆卸式连接，所述筛料筒体上部设有筛料网，所述小车本体设于所述筛料筒体下方，所述筛料筒体的下部插入所述小车本体内部，所述筛料筒体的下部侧面设有抽气装置，所述抽气装置用于吸收粉尘，所述筛料筒体的底部设有碎料收集袋。本实用新型的有益效果是减少了硅料在筛选过程中产生的粉尘和细小颗粒对空气的污染以及对硅料的二次污染，有效的保证了筛选效果。
一种底部粉尘小车