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[发明专利]一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法-CN201510121901.0有效
发明人：姚全斌;赵元富;吴立成;王传敏;殷丽;王成杰;赵昕;张文敏;冯幼明 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高电流密度快恢复二极管结构及其制作方法，可用于大电流、快恢复二极管的生产，属于功率半导体器件领域。其技术特点：采用挖槽技术，在芯片正面有源区处挖槽，槽间距依器件性能参数做相应调整，然后用掺硼多晶硅淀积，推结形成器件带槽阳极区；对单晶片背面采用真空蒸铂后退火方法，引入符合中心获得较好的快恢复特性；终端区域与常规器件一致，采用场环结构。和现有技术相比，采用本发明在单位芯片面积内可显著提高器件电流密度，增加器件电流容量；相同电流指标器件，可有效减小器件有源区面积，提高圆片利用率，增加经济效益；重掺杂的多晶硅可与N型芯片形成欧姆接触，提高器件可靠性。
快恢复二极管挖槽功率半导体器件器件性能参数多晶硅淀积器件可靠性器件有源区常规器件电流指标技术特点欧姆接触器件电流芯片正面真空蒸铂终端区域大电流单晶片多晶硅后退火器件带阳极区重掺杂掺硼场环减小可用推结圆片制作背面芯片引入恢复生产

[发明专利]一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法-CN201711115312.7在审
发明人：赵昕;王传敏;殷丽;杨小兵;吴立成;张文敏;孙金池;王昊 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳秒级高速开关双极晶体管制造方法，属于半导体分立器件设计和制造领域。本发明采用后扩金工艺，避免了传统扩金工艺在扩金后再进行发射区推结，抑制了传统工艺带来的金固溶度的降低和金原子的沉淀，提高了器件的开关速度和可靠性，此外，扩金在硅中引入的复合中心，可以缩短少子寿命，减小基极复合电流，从而提高了器件抗ELDRS效应的能力。基区和发射区表面的电极隔离介质层采用热氧化工艺制造，减少辐照时氧化层中感生的正电荷，提高了器件抗ELDRS效应的能力。芯片钝化膜采用SiO2+BPSG+Si3N4的多层钝化结构，可提高器件耐湿和抗环境污染的能力。
一种纳秒级抗辐照 npn 双极晶体管制造方法

[发明专利]一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法-CN201410770922.0有效
发明人：赵元富;张文敏;王传敏 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，栅氧化层形成之后在其上蒸发铝，然后高温扩铝，形成Si‑O‑Al结构的栅介质。本发明可以减少VDMOS器件在受到辐照时，栅介质中积累的正电荷，提高器件的抗总剂量辐照能力；同时Si‑O‑Al结构的栅介质具有比常规二氧化硅栅介质更高的介电常数，可以提高器件的抗单粒子栅穿能力。本发明的制造方法有效的克服了抗总剂量辐照和单粒子栅穿对于栅介质厚度需求的矛盾，能够同时实现两者的优化，工艺简单，有利于提高VDMOS器件的抗辐照性能。
一种具有辐照性能 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种玻封表贴二极管稳态热阻测试方法-CN201410431067.0有效
发明人：赵春荣;李兴鸿;赵元富;王勇;王传敏 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻封表贴二极管稳态热阻测试夹具和测试方法，给出了一种测试夹具的结构以及利用该夹具进行热阻测试的方法。其中测试夹具包括两个电极插槽、绝缘绝热平板和绝缘导热平板；两个电极插槽贯穿安装在绝缘绝热平板上，用于连接待测玻封表贴二极管的两个电极；绝缘导热平板用于与绝缘绝热平板配合夹持待测玻封表贴二极管。本发明可以实现玻封表贴二极管电极之间、电极与热阻测试仪恒温台之间的绝缘，同时实现良好的导热，可靠便捷的电连接，从而能够通过热阻测试仪实现对玻封表贴二极管的稳态热阻测试。
一种玻封表贴二极管稳态测试夹具方法

[发明专利]一种儿童接送的监督方法及装置-CN201710149150.2在审
发明人： 王传敏 -专利权人：广东小天才科技有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：本发明适用计算机技术领域，提供了一种儿童接送的监督方法及装置，所述方法包括第一终端实时获取当前时间，将获取的当前时间称为第一当前时间，当第一当前时间为预设接送时间的开始时间时，启动第一终端中的蓝牙模块，第一终端通过蓝牙模块检测第二终端中蓝牙模块发出的蓝牙信号，当检测到第二终端的蓝牙信号时，第一终端建立与第二终端的蓝牙连接，并在连接成功后，将连接成功的消息发送给预设的监督终端，第一终端由儿童随着佩戴，第二终端由接送儿童的人员或车辆携带，从而在孩子的上下学途中时，家长通过监督终端可以实时掌握孩子是否已经和接送人员或车辆在一起，有效地提高儿童在家长无法亲自接送时的安全性。
一种儿童接送监督方法装置

[发明专利]超声波‑索式联合提取装置及其中药药渣色素的提取方法-CN201610302214.3有效
发明人：郭明;王传敏;曾楚楚 -专利权人：浙江农林大学
申请日： 2016-05-07 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C09B61/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波‑索式联合提取装置及其中药药渣色素的提取方法，基于本发明的装置，提取方法经过如下四个步骤实现一是药渣的干燥磨碎；二是色素的提取；三是色素的提纯；四是色素的干燥。本方法是在超声波‑索氏联合提取法的基础上加入纤维素酶，使得中药药渣的色素提取率有所提高。本发明提取工艺简单，生产效率高，无污染，色素提取率和产品品质明显提高，使中药药渣这种废弃资源得到最大利用。
超声波联合提取装置及其中药药渣色素方法

[实用新型]一种兼顾重量调节与声音调节的健身钢鞭-CN201520214661.4有效
发明人： 王传敏 -专利权人： 王传敏
申请日： 2015-04-11 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： A63B26/00 文献下载
摘要：一种兼顾重量调节与声音调节的健身钢鞭属于体育活动健身领域；该钢鞭包括把手（1）和依次连接的铁链体（2），其特征在于，在铁链体（2）上设置有垂直铁链体（2）连接方向的哨（3），设置于不同铁链体（2）上的哨（3）相同或不同，在铁链体（2）上不设置或至少设置两个增重结构（4），所述的增重结构在铁链体（2）上滑行；本实用新型钢鞭，可以同时实现重量调节与声音调节，进一步丰富钢鞭种类，对扩大甩钢鞭群体数量起到积极的促进作用。
一种兼顾重量调节声音健身钢鞭

[发明专利]具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法-CN201510010197.1在审
发明人：姚全斌;赵元富;王成杰;王传敏;殷丽;李光北;冯幼明;吴立成;张文敏;赵昕 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种具备低漏电高耐压终端结构的台面二极管及其制备方法，该台面二极管包括背面衬底、N‑型外延层、阳极有源区P+型层和二极管台面上的复合钝化层，该复合钝化层包括二氧化硅层、多晶硅层和氮化硅层，本发明的制备方法步骤如下：1、制备普通的台面二极管；2、在二极管的上表面生长一层二氧化硅；3、在二氧化硅层上淀积多晶硅，并进行扩磷处理形成多晶硅层；4、在多晶硅层上淀积氮化硅形成氮化硅层；5、在所述氮化硅层和多晶硅层进行刻蚀，得到设定图形的氮化硅层和多晶硅层；6、采用腐蚀工艺对裸露出的二氧化硅层进行腐蚀处理，得到设定图形的二氧化硅层；本发明能够提高器件的性能，工艺实现简单。
具备漏电耐压终端结构台面二极管及其制备方法

[实用新型]单摆实验仪-CN201420411672.7有效
发明人：夏杰;许锦祥;王传敏;汪小刚 -专利权人：浙江农林大学
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： G09B23/10 文献下载
摘要：一种单摆实验仪，包括机架(1)、带有刻度线同时底部可沿底座滑槽移动的移动长杆(2)、可沿移动长杆(2)上下移动的第一滑动槽(3)、第二滑动槽(4)、可左右移动且置于第二滑动槽(4)处的光电门(5)、依附于第一滑动槽(3)处的电磁铁(6)、数字测时器(7)、不同特性的摆球、细线若干。该装置用于物理实验教学，较之传统的摆线测量办法更加方便，摆球定位准确且运动方向稳定；实验操作简单，计时准确，设置对照组能够直观地演示单摆运动的规律。
单摆实验

[发明专利]一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法-CN201310487942.2有效
发明人：殷丽;王传敏;王成杰;刘燕;杨小兵;姚全斌 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法，包括以下工序：选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化，本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺，使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域，而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心，即实现了复合中心的类似局域分布，有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷，并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间，同时可降低复合中心对漏电的影响，有利于提高产品成品率，可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。
一种基于硅基键合材料高压恢复二极管制造方法

[发明专利]一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法-CN201210036331.1有效
发明人：王成杰;王传敏;殷丽;冯幼明;刘军;姚全斌;郭晨光 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法，包括：氧化、有源区及场限环光刻的步骤；掺杂与推进的步骤；多晶硅场板制作的步骤；铂扩散的步骤；减薄的步骤；形成N型缓冲层的步骤；接触掺杂和退火的步骤和金属化的步骤。采用本发明所述方法可以用来制造成本低、耐高压、漏电流小、正向压降小，恢复时间短且具有软恢复特性的超快恢复二极管芯片。
一种平面高压超快软恢复二极管制造方法

[发明专利]一种亚微米多层金属电极的制作方法-CN201110364080.5有效
发明人：杨小兵;王传敏;刘军;孙金池;姚全斌 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种亚微米多层金属电极的制作方法，包括下列步骤：(1)采用蒸发或者溅射工艺形成Ti-W-Ti-Au四层金属电镀子层；(2)光刻出电极图形，然后电镀Au金属层，电镀完毕后去胶；(3)采用三步刻蚀Ti-W-Ti-Au四层金属电镀子层，第一步采用以惰性气体为主的离子束工艺将电镀子层最上面的Au层刻蚀掉，第二步以F基气体或者Cl基气体为主的等离子体工艺将Ti-W-Ti层大部分金属层刻蚀掉，第三步以CF4气体为主要刻蚀气体，采用等离子工艺进行过刻蚀，将残留的金属残渣刻蚀干净；(4)刻蚀后的电极再进行无氧气氛中退火，以修复电极刻蚀损伤。采用本发明的方法能够使得电极耐高温焊接，并能够减少刻蚀过程对器件的损伤。
一种微米多层金属电极制作方法

[发明专利]一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构及形成方法-CN200810224835.X有效
发明人：冯幼明;王传敏 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;中国航天时代电子公司第七七二研究所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构及形成方法，首先在LDD掺杂前结构的上表面覆盖一层薄膜层，形成覆盖薄膜层后的LDD附近结构，再通过物理化学方法在LDD附近结构形成离子注入阻挡层进而形成LDD掺杂前结构，阻挡层其厚度从靠近栅区一侧到靠近漏区一侧逐渐减小，最后对LDMOS芯片器件的表面进行N型杂质的离子注入，最终形成一个纵向和横向同时近似线性增加的LDD结构。本发明的LDD在横向和纵向同时形成浓度梯度，使LDD掺杂浓度从靠近栅侧到靠近漏侧线性上升，与常规LDMOS相比，本发明可在保持漏极电阻基本不变的情况下提高器件击穿电压，或者在保持器件击穿电压基本不变的同时大大减小漏极电阻，提高了LDMOS器件频率和功率性能。
一种 ldmos 芯片掺杂漂移结构形成方法

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