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[发明专利]磁存储单元结构及存储器-CN202310833520.X在审
发明人： 熊丹荣;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁存储单元结构及存储器，该磁存储单元结构包括复合底电极，以及设置于复合底电极上的磁隧道结，磁隧道结包括层叠的反铁磁层、自由层、势垒层与参考层。复合底电极包括：第一重金属层；第一铁磁层，层叠于第一重金属层上；第二重金属层，层叠于第一铁磁层背向第一重金属层的一侧；其中，第一重金属层与第二重金属层的自旋霍尔角符号相反。上述磁存储单元结构及存储器，第一重金属层与第二重金属层的自旋霍尔角方向相反，具有较高的自旋流转换效率，能够较高效的翻转第一铁磁层的磁矩，随后通过与自由层之间的耦合带动自由层的翻转，从而以较低的功耗完成数据的写入。
存储单元结构存储器

[发明专利]磁存储单元结构及存储器-CN202311004663.6在审
发明人： 熊丹荣;张洪超;卢世阳;吕术勤;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁存储单元结构及存储器，包括：磁隧道结，包括层叠的反铁磁层、自由层、势垒层与参考层；自旋霍尔层，设置于反铁磁层背向自由层的一侧；介电功能层，采用介电材料，贴合于自旋霍尔层背向反铁磁层的一侧；其中，介电功能层背向自旋霍尔层的一侧用于连接电位，以在数据写入时使介电功能层的顶侧和底侧之间形成电势差和电场。本发明在自旋霍尔层背向反铁磁层的一侧设置介电功能层，在进行数据写入时，该介电功能层产生的电场能够使得介电功能层的晶格发生形变，产生应力，进而传递至反铁磁层与自由层，改变反铁磁层与自由层的各向异性，从而使得自旋霍尔层较容易翻转反铁磁层与自由层，减小了写入电流的需求，降低了数据写入功耗。
存储单元结构存储器

[发明专利]存储器元件及磁存储器-CN202310740198.6在审
发明人：商显涛;孙慧岩;熊丹荣;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器元件及磁存储器，存储器元件包括：第一自旋霍尔层；第一磁层，采用绝缘材料，层叠于第一自旋霍尔层的一侧；第二自旋霍尔层，层叠于第一磁层背向第一自旋霍尔层的一侧；第二磁层，层叠于第二自旋霍尔层背向第一磁层的一侧；隧穿层，层叠于第二磁层背向第二自旋霍尔层的一侧；参考层，层叠于隧穿层背向第二磁层的一侧；其中，第一自旋霍尔层与第二自旋霍尔层的第一邻近端导电连接，第二邻近端分别用于接电极引线，邻近端为第一自旋霍尔层与第二自旋霍尔层距离最近的两个端面。本发明将电极引线连接在同一侧，降低了占用面积，提高了器件的集成密度，有助于器件极小尺寸工艺的改进。
存储器元件磁存储器

[发明专利]一种自旋太赫兹发射器及其手性调控方法、制备方法-CN202310797039.X在审
发明人：张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种自旋太赫兹发射器及其手性调控方法、制备方法，属于太赫兹发射领域。自旋太赫兹发射器为包括铁磁材料层、非铁磁材料层和反铁磁层的三层结构，反铁磁层采用预设晶相的NiO单晶反铁磁材料、CrSb或Mn3Sn，在飞秒激光的照射下，反铁磁层产生激光冲击磁矩，激光冲击磁矩进动产生自旋极化流，自旋极化流注入至非铁磁层后产生瞬态的电荷流，进而辐射出太赫兹，实现高效自旋太赫兹辐射；进一步通过旋转外磁场方向或通过自旋轨道矩效应对自旋太赫兹发射器中铁磁材料层的磁矩方向进行翻转，实现太赫兹手性的高效调控。
一种自旋赫兹发射器及其手性调控方法制备

[发明专利]MRAM电极结构及磁存储单元、磁存储阵列、存储器-CN202310280229.4在审
发明人：商显涛;王文文;孙慧岩;秦颖超;熊丹荣;梁佳宁;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM电极结构及磁存储单元、磁存储阵列、存储器，涉及磁性存储器技术领域。本发明的电极结构包括自旋轨道转矩层、第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层和第二磁性层分别设置在自旋轨道转矩层的两端。本发明的磁存储单元，包括依次堆叠的MRAM电极结构和磁隧道结层。本发明实施例通过在自旋轨道转矩层两端连接磁性层，电流流过该层会被自旋极化，电子自旋取向会沿着磁性层的磁化方向。被极化的电流流过自旋轨道转矩层产生的力矩与自由层磁化方向不再垂直，夹角为钝角，实现无场翻转。同时，被极化的电流流过自旋轨道转矩层，在界面处的自旋累积会更多(相比未被自旋极化的电流)，实现翻转电流降低。
mram 电极结构存储单元阵列存储器

[发明专利]基于SOT效应的磁阻式随机存储器单元及其制备方法-CN202310109263.5在审
发明人：秦颖超;孙慧岩;商显涛;王文文;熊丹荣;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SOT效应的磁阻式随机存储器单元及其制备方法，涉及自旋电子器件技术领域。该磁阻式随机存储器单元包括衬底、底电极和磁隧道结；其中，所述底电极在电流的作用下产生非均匀的自旋流，使磁隧道结中的自由层发生无场翻转。对比现有方案，首先，本发明所得到的磁阻式随机存储器单元可以在电流通过时产生非均匀自旋流，从而实现无场翻转。同时，将能产生SOT效应的底电极嵌入到衬底，降低了加工难度且无需额外的控制电路进行辅助，有利于集成化生产。最后，本发明的磁阻式随机存储器单元的界面平整度好，有助于提高器件稳定性和降低集成化难度。
基于 sot 效应磁阻随机存储器单元及其制备方法

[发明专利]一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用-CN202211469862.X在审
发明人：张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用，涉及太赫兹发射技术领域。本发明提供的自旋太赫兹发射器件，包括依次叠层设置的铁磁材料层、反铁磁层和非铁磁层。在本发明中，铁磁材料层与反铁磁层相邻，利用反铁磁固定住下层的铁磁层磁化方向，使得在去掉外磁场的条件下依然可实现自旋太赫兹发射。本发明利用反铁磁层/非铁磁层异质结可实现高效的自旋太赫兹辐射。在本发明中，反铁磁层在激光照射条件下产生自旋流，且对自旋流具有“传递作用”，在本发明的结构中，自旋流来源于铁磁层和反铁磁层，可极大地提高自旋极化流的产生效率，本发明能够实现太赫兹辐射效率的极大提升。
一种自旋赫兹发射器件及其制备方法应用

[发明专利]一种太赫兹发射器件及其幅度调控方法-CN202211552695.5在审
发明人：张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹发射器件及其幅度调控方法，属于太赫兹调控技术领域，该太赫兹发射器件包括从下到上依次层叠设置的衬底、铁磁层、非铁磁层和反铁磁层，或包括从下到上依次层叠设置的衬底、反铁磁层、非铁磁层和铁磁层，可以通过改变所施加的磁场方向、施加电流或者施加电场来对上述太赫兹发射器件进行幅度调控，从而本发明设计了一种新型结构的太赫兹发射器件，并针对该太赫兹发射器件设计了相应的幅度调控方法，能够实现太赫兹幅度的高效调控。
一种赫兹发射器件及其幅度调控方法

[发明专利]磁隧道结及其形成方法、磁存储器-CN202010084400.0在审
发明人：赵巍胜;彭守仲;芦家琪;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结及其形成方法、磁存储器，该磁隧道结从下到上依次包括：第一铁磁层、氧化物势垒层、第二铁磁层以及第一体磁各向异性铁磁层；所述第二铁磁层和所述第一体磁各向异性铁磁层作为所述磁隧道结的自由层；所述第一铁磁层作为所述磁隧道结的参考层；其中，所述第一体磁各向异性铁磁层由体垂直磁各向异性的铁磁材料形成。其中，通过在第二铁磁层上设置由体垂直磁各向异性的铁磁材料形成的第一体磁各向异性铁磁层，第一体磁各向异性铁磁层与第二铁磁层实现层间耦合，提高了磁隧道结的体垂直磁各向异性常数，使得磁隧道结具有强垂直磁各向异性和高热稳定性，当磁隧道结尺寸较小时，热稳定性依然能够得到保障。
隧道及其形成方法磁存储器

[发明专利]磁存储器-CN202010057668.5在审
发明人：赵巍胜;熊丹荣;彭守仲 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁存储器，包括：第一反铁磁层，用于提供交换偏置场；插入层，设置在反铁磁层上，用于阻挡退火过程中第一反铁磁层的材料的扩散；自由铁磁层结构，设置在插入层上；第一势垒层，设置在自由铁磁层结构上；参考铁磁层结构，设置在第一势垒层上，具有固定的磁化方向；其中，自由铁磁层结构的磁化方向与参考铁磁层结构的磁化方向平行或反平行。本发明具有退火温度高的特点，可以兼容CMOS后期热处理工艺。
磁存储器

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