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[实用新型]一种具有凸起结构的石英坩埚及其成型装置-CN202321326047.8有效
发明人：肖世豪;潘金平;赵亮;肖银平;冯小娟;苏文霞;郑欢欣;程富荣 -专利权人：海纳半导体（山西）有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及石英加工技术领域，具体为一种具有凸起结构的石英坩埚及其成型装置，包括坩埚，坩埚的内部设置有成型棒，成型棒位于坩埚的内部靠近内壁处竖直设置，成型棒的中部下方安装有若干弧形段，弧形段为半圆形的弧形结构，弧形段靠近坩埚内壁的一侧设置有半圆弧形结构的凹口，成型棒的底端为弧形结构。该具有凸起结构的石英坩埚及其成型装置中，通过成型棒相对坩埚的运动，使得石英坩埚成型过程中，利用成型棒上的半圆凹口，将石英坩埚制造成内表面具有若干圈半圆形的凸起，内凸起将增大石英坩埚与熔硅的接触面积。
一种具有凸起结构石英坩埚及其成型装置

[发明专利]控制方法、装置、设备及存储介质-CN202310858096.4在审
发明人：曾巍;谭云龙;王创;潘金平;刘进轩 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： A47L11/24 文献下载
摘要：本申请提供的一种控制方法、装置、设备及存储介质，通过在电子设备打开扫地机器人的控制APP，且进入手动控制模式的情况下，在所述电子设备的显示装置上输出手动控制界面；在获取到触控物在所述手动控制界面上的触控信息的情况下，基于所述触控信息控制扫地机器人进行移动，能够通过手动控制界面来对扫地机器人进行控制。
控制方法装置设备存储介质

[外观设计]吊坠（DRDA15SA）-CN202330219996.5有效
发明人： 潘金平 -专利权人：杭州瑷左文化创意有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吊坠（DRDA15SA）。2.本外观设计产品的用途：用于穿戴的吊坠。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
吊坠 drda15sa

[外观设计]吊坠（DESA36EM）-CN202330220002.1有效
发明人： 潘金平 -专利权人：杭州瑷左文化创意有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吊坠（DESA36EM）。2.本外观设计产品的用途：用于穿戴的吊坠。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
吊坠 desa36em

[发明专利]一种背封硅片结构及其制备方法-CN202310431706.2在审
发明人：张庆旭;肖世豪;吴雄杰;饶伟星;沈益军;张立安;余天威;刘伟;潘金平 -专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种背封硅片结构及其制备方法，具体涉及背封硅片的制备领域，包括一号组成构件和二号组成构件，一号组成构件和二号组成构件均包括单晶硅衬底、低温氧化膜和多晶硅膜，多晶硅膜包括第一沉积层、第二沉积层、第三沉积层、第四沉积层、第五沉积层和第六沉积层其中的任意一层或多层。其有益效果是，两种结构的背封效率不同，可以根据不同产品的需求进行选择；暴露在外层的膜层为多晶硅膜时，通过设计多晶硅膜的多层结构来实现增强吸杂效果的背封硅片，并且通过沉积程序的设定实现连续成膜，避免了多次取放片过程对硅片的擦伤；能够促进吸杂效果、有效防止自动掺杂，并节省艺成本，具有操作简便、生产效率高的优点。
一种硅片结构及其制备方法

[发明专利]晶片边缘轮廓测试仪-CN202111393274.8有效
发明人： 潘金平;肖世豪;沈益军;张立安;饶伟星;许琴 -专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了晶片边缘轮廓测试仪，属于晶片检测设备技术领域，包括底座，所述底座的顶部固定安装有晶片固定组件，所述底座的顶部且位于晶片固定组件的一侧固定安装有可调节光源组件，所述可调节光源组件包括移动模组、光源模组和调节模组，所述调节模组包括固定环；本发明通过可调节光源组件的设置，移动模组可以对光源模组的位置进行移动，光源模组通过LED补光灯可对晶片进行补光，调节模组可以对光源模组的使用位置进行调节，通过可调节连接组件的设置，可以对光源模组的使用角度进行调节，通过本组件的设置，可以便于对LED补光灯的使用位置以及角度进行调节，有效提高了补光效果，进而提升相机的采像效果。
晶片边缘轮廓测试仪

[外观设计]戒指（罗马时代）-CN202330135962.8有效
发明人： 潘金平 -专利权人：杭州瑷左文化创意有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：戒指（罗马时代）。2.本外观设计产品的用途：用于穿戴的戒指。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
戒指罗马时代

[外观设计]项链（DHRA14RU）-CN202330219998.4有效
发明人： 潘金平 -专利权人：杭州瑷左文化创意有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：项链（DHRA14RU）。2.本外观设计产品的用途：用于穿戴的项链。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.仰视图为使用中不常见视图，故省略，省略仰视图。6.其他需要说明的情形其他说明：支撑项链的模特不属于本外观设计请求保护的内容。
项链 dhra14ru

[外观设计]耳钉（EHRA11RU）-CN202330219999.9有效
发明人： 潘金平 -专利权人：杭州瑷左文化创意有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：耳钉（EHRA11RU）。2.本外观设计产品的用途：用于穿戴的耳钉。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
ehra11ru

[外观设计]戒指（JHRA34RU）-CN202330220000.2有效
发明人： 潘金平 -专利权人：杭州瑷左文化创意有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：戒指（JHRA34RU）。2.本外观设计产品的用途：用于穿戴的戒指。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
戒指 jhra34ru

[发明专利]设备的控制方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202310642512.7在审
发明人：刘进轩;吴欢龙;谭云龙;王创;曾巍;潘金平 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G05B15/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种设备的控制方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括：当检测到第一空间内存在目标对象时，获取所述第一空间内的第一设备的运行参数；当检测到第二空间内出现所述目标对象时，控制所述第二空间内的第二设备开启；根据所述运行参数对所述第二设备进行控制，由此，可以实现在用户没有感知到的情况下，自动打开设备，并调整到用户设置的工作状态，提高用户体验。
设备控制方法装置计算机存储介质

[发明专利]一种去除硅片边缘氧化膜的方法及装置-CN202310491625.1在审
发明人：张庆旭;沈益军;肖世豪;吴雄杰;饶伟星;张立安;代明明;徐佳俊;潘金平 -专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除硅片边缘氧化膜的方法及装置，属于半导体硅片生产领域，一种去除硅片边缘氧化膜的方法，包括应用于二氧化硅膜背封半导体硅片，所述背封半导体硅片衬底包括单晶硅片衬底与二氧化硅膜，所述二氧化硅膜通过化学气相沉积生长在单晶硅片衬底背面，所述方法，包括如下步骤：A、首先准备一耐酸多孔材料，然后在化学刻蚀槽中配制好化学刻蚀溶液，通过计量泵注入一定量的刻蚀液在多孔材料中，注入完成后静置一定时间使多孔材料内部完全吸附刻蚀液。本申请提供的边缘氧化膜去除方法简单、对设备要求较低，减少了人工参与的同时提高了生产效率，利用多孔材料的吸附性能降低去边渗液的风险。
一种去除硅片边缘氧化方法装置

[发明专利]一种提高重掺硅片氧含量测试效率的方法-CN202210530135.3有效
发明人：王伟棱;潘金平;肖世豪;张立安;沈益军;郑春松;翁根妹;许婷婷;余求俊;白超 -专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高重掺硅片氧含量测试效率的方法，包括以下步骤：由工作人员选定测试样片、并根据测试样片的实际测绘值，制成1：1的电子模拟图，将取得的样本进行特殊腐蚀工艺处理，将样本进行处理，使用四氟镊子进行提取，并根据需求选用合适容积的容器中，并利用超纯水来对其进行多级冲洗，将反应中的样本快速浸没在纯水中以阻止反应继续，并利用超纯水反复冲洗至少3次，用中四氟镊子快速取出并转移至其他容器中待用，将处理完成后的样本放入惰性气体熔融红外测试仪，进行样本含氧量测试即可。本发明提供的方法可根据测试样片的实际测绘值，采用本方法制作样本能够准确测试样本的氧含量，并能有效提升工作效率。
一种提高硅片含量测试效率方法

[发明专利]一种去边设备-CN202310402383.4在审
发明人：沈益军;吴雄杰;高海军;张庆旭;肖世豪;潘金平;刘伟;代明明;徐佳俊;余天威 -专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅抛光片加工技术领域，具体为一种去边设备，包括腐蚀基座、下压机构、模块对中机构和搬运机械手，腐蚀基座的顶部设置有硅片放置基孔，腐蚀基座的顶部外侧设置有腐蚀沟槽，腐蚀基座的中部竖直设置有气体进出通道，下压机构包括升降气缸，升降气缸的输出轴安装有下压气囊，模块对中机构包括旋转载台。因为可通过控制下压气囊与硅片的贴合度，从而可以实现精准隔离，完美保留平面上的氧化膜层。可通过控制下压气囊与硅片的贴合度，从而可以通过调节下压行程来实现不同厚度硅片的精准去边，设备的适应性广。可通过调节下压气囊内填充的液体温度，从而可调控去边腐蚀速率，进一步可提升生产效率。
一种设备

[发明专利]一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备-CN202310489517.0在审
发明人：张庆旭;饶伟星;潘金平;肖世豪;沈益军;吴雄杰;张立安;白超;余天威 -专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除单晶硅片金属沾污的方法及除污设备，具体涉及半导体单晶硅片衬底制造领域，包括热处理炉，所述热处理炉的一端外部固定安装有控制器，所述热处理炉的内部固定设有炉体载舟，所述炉体载舟的上方活动设有石英载舟，所述石英载舟的上方活动装载有硅片，所述热处理炉的表面固定安装有加热板，所述热处理炉远离控制器的一端连通有集成调节阀，所述集成调节阀的一端连通设有真空泵、第一溶液蒸发器、第二溶液蒸发器和尾气收集机构，所述第一溶液蒸发器的一端连通设有氧气罐。本发明操作简便，效果显著，灵活性强，能够有效去除半导体单晶硅片衬底表面吸附金属及体内沉淀金属。
一种去除单晶硅金属沾污方法设备

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