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[实用新型]半导体装置-CN202320965051.2有效
发明人：陈昶达;温明璋;游国丰;戴振宇;李筠;庄博雅;杨峻铭;刘又荣;杨雅婷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体装置，提供具有取代间隔物结构的装置与形成这样的装置的方法。此方法包含形成初始间隔物结构，其中此初始间隔物结构具有用于选定的蚀刻剂的初始蚀刻速率。此方法更包含去除初始间隔物结构的一部分，其中不去除初始间隔物结构的剩余部分。此外，此方法包含形成取代间隔物结构相邻于初始间隔物结构的剩余部分，以形成组合间隔物结构，其中组合间隔物结构具有用于选定的蚀刻剂的中间速率，其小于用于选定的蚀刻剂的初始速率。此外，此方法包含用选定的蚀刻剂蚀刻组合间隔物结构以形成最终间隔物结构。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010076671.1有效
发明人：蔡俊雄;万幸仁;游国丰;叶明熙;沙哈吉·B.摩尔;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件，该半导体器件包括具有顶面和栅极堆叠件的衬底。栅极堆叠件包括位于衬底上的栅极介电层和位于栅极介电层上的栅电极。半导体器件还包括多间隔件结构。该多间隔件包括形成在栅极堆叠件的侧壁上的第一间隔件、第二间隔件和第三间隔件。第二间隔件包括形成在第一间隔件的侧壁上的第一部分和形成在衬底的顶面上的第二部分。第二间隔件的第二部分在第一方向上具有逐渐减小的厚度。第三间隔件形成在第二间隔件的第二部分上和衬底的顶面上。半导体器件还包括形成在衬底中的源极/漏极区域，并且第三间隔件的部分邻接源极/漏极区域和第二间隔件的第二部分。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202211035427.6在审
发明人：彭裕钧;许昶志;吴铉智;张正忠;陈书涵;曹修豪;李旻珈;简垲旻;温明璋;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其制造方法。制造半导体结构的方法包括形成从衬底突出的鳍结构，并且鳍结构包括交替堆叠的第一半导体材料层和第二半导体材料层。方法还包括形成跨过鳍结构的伪栅极结构以及在伪栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件。方法还包括部分地氧化栅极间隔件以形成氧化物层和去除氧化物层以形成修改的栅极间隔件。方法还包括去除第一半导体材料层以形成间隙，并形成栅极结构，栅极结构位于间隙中以环绕第二半导体材料层并且位于第二半导体材料层上方以覆盖修改的栅极间隔件。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210939388.6在审
发明人：陈学儒;陈昱璇;吴俊毅;黄文宏;林宗达;陈建豪;洪正隆;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区的，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，第一沟道区上的第一界面层的第一部分具有比第二沟道区上的第二界面层的第二部分大的厚度，第二沟道区具有比第一沟道区大的高度。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]集成电路-CN202222095836.7有效
发明人：李致葳;黄文宏;游国丰;陈建豪;陈学儒;陈昱璇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路包含具有第一区和第二区的基底；位于第一区中的第一全绕式栅极装置，第一全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第一通道构件，以及包覆第一通道构件的通道区的第一栅极结构，第一栅极结构包含第一界面层；以及位于第二区中的第二全绕式栅极装置，第二全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第二通道构件，以及包覆第二通道构件的通道区的第二栅极结构，第二栅极结构包含第二界面层，第二界面层具有邻近第二通道构件的第一部分和在第一部分上方的第二部分，第一部分的密度小于第二部分的密度。
集成电路

[实用新型]半导体装置-CN202221717628.X有效
发明人： 游国丰;陈建豪;许智育;李致葳;陈健源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体装置。半导体装置与相关方法可用于形成栅极结构。半导体装置包括鳍状物自基板延伸。鳍状物包括多个半导体通道层。半导体装置还包括栅极介电层，围绕每一半导体通道层。半导体通道层的最顶部的半导体通道层的上表面上的栅极介电层的第一厚度，大于最顶部的半导体通道层之下的另一半导体通道层的表面上的栅极介电层的第二厚度。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN202221747365.7有效
发明人：陈嘉伟;徐伟程;陈蕙祺;陈建豪;游国丰;邱诗航;王唯诚;陈彦儒;郑钧智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置包括纳米结构的堆叠，其在第一水平方向上各自延伸。上述堆叠在垂直方向上各自延伸且在第二水平方向上彼此分隔。第一栅极设置于堆叠的第一子集合上。第二栅极设置于堆叠的第二子集合上。第一导电盖层设置于第一栅极的上表面的实质上的整体上。第二导电盖层设置于第二栅极的上表面的实质上的整体上。介电结构在第二水平方向上设置于第一栅极与第二栅极之间。介电结构实体且电性分隔第一栅极与第二栅极。介电结构的上表面实质上不具有设置于其上的第一或第二导电盖层。
半导体装置

[发明专利]鳍式场效晶体管的制造方法-CN201710455864.6有效
发明人：蔡俊雄;游国丰;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：揭露一种鳍式场效晶体管的制造方法。一种例示方法包含形成鳍片结构，其中鳍片结构包含设置在源极区及漏极区之间的通道区；形成栅极结构在鳍片结构的通道区上；形成固相扩散层在鳍片结构的源极区及漏极区上；以及进行微波退火制程，以自固相扩散层扩散掺质至鳍片结构的源极区及漏极区。在一些实施例中，固相扩散层是设置在鳍片结构上，使掺质横向地及纵向地扩散至源极区及漏极区，以形成重掺杂源极/漏极特征。
鳍式场效晶体管制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210286222.9在审
发明人：詹咏翔;黄文宏;廖善美;林揆伦;陈建豪;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个半导体层的堆叠，垂直配置于半导体基底结构上；栅极介电层，具有多个部分各自围绕半导体层的一者；以及栅极，围绕栅极介电层。栅极介电层的每一部分具有顶部位于个别的半导体层上，以及底部位于半导体层下。顶部具有沿着垂直于半导体基底结构的上表面的垂直方向的顶部厚度，且底部具有沿着垂直方向的底部厚度。顶部厚度大于底部厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210132778.2在审
发明人：陈明德;蔡蕙婷;何军;游国丰;蔡俊雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体结构、一种用于制造FinFET结构的方法及一种用于制造半导体结构的方法。用于形成FinFET结构的所述方法包含：提供包含多个鳍片及所述鳍片之间的多个栅极沟槽的FinFET前体；在所述多个栅极沟槽内形成虚设栅极的沟槽虚设件的第一部分；移除所述沟槽虚设件的所述第一部分的至少一部分；在所述沟槽虚设件的所述第一部分上方形成所述沟槽虚设件的第二部分；对所述沟槽虚设件的所述第一部分及所述第二部分执行第一热处理；及在所述沟槽虚设件的所述第二部分上方形成所述虚设栅极的毯覆式虚设件。本公开进一步提供一种具有改进金属栅极的FinFET结构。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210286773.5在审
发明人：廖善美;詹咏翔;庄曜滕;陈建豪;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置的制造方法，包括接收在第一区域具半导体层的第一堆叠且在第二区域具半导体层的第二堆叠的工作件；形成围绕第一堆叠的每一层的第一栅极介电层以及围绕第二堆叠的每一层的第二栅极介电层；形成第一偶极层及第二偶极层，第一偶极层围绕第一栅极介电层并在第一栅极介电层的垂直相邻的部分间融合，而第二偶极层围绕第二栅极介电层并在第二栅极介电层的垂直相邻的部分间融合；移除第一偶极层；在移除第一偶极层后，对工作件执行第一退火；移除第二偶极层的剩余部分；以及在第一区域及第二区域中形成栅极电极层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]晶体管-CN202210112332.3在审
发明人：陈嘉伟;赖启胜;林士豪;陈建豪;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：提供一种晶体管。此晶体管包括：一第一源极/漏极外延特征部件、一第二源极/漏极外延特征部件以及二或多个半导体层配置于第一源极/漏极外延特征部件与第二源极/漏极外延特征部件之间。此二或多个半导体层由不同的材料组成。晶体管还包括一栅极电极层围绕此二或多个半导体层的至少一部分，其中晶体管具有二或多个阈值电压。
晶体管

[发明专利]半导体装置-CN202210210227.3在审
发明人：陈嘉伟;徐伟程;陈蕙祺;陈建豪;游国丰;邱诗航;王唯诚;刘冠廷;陈彦儒;郑钧智;萧伟镇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个有源区结构，所述有源区结构各自在垂直方向上向上突出。有源区结构各自在第一水平方向上延伸。有源区结构在不同于第一水平方向的第二水平方向上彼此分离。栅极结构设置在有源区结构上方。栅极结构在第二水平方向上延伸。栅极结构部分包绕有源区结构的每一者。导电盖层设置在栅极结构上方。栅极导孔设置在导电盖层上方。导电盖层在第二水平方向上测量的尺寸实质上大于栅极导孔在第二水平方向上测量的最大尺寸。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210049817.2在审
发明人：陈嘉伟;徐伟程;陈蕙祺;陈建豪;游国丰;邱诗航;王唯诚;陈彦儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括垂直堆叠的多个第一通道构件、垂直堆叠的多个第二通道构件、包裹环绕多个第一通道构件的每一者的n型功函数层、位于n型功函数层上方并包裹环绕多个第一通道构件的每一者的第一p型功函数层、包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第二p型功函数层、位于第二p型功函数层上方并包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第三p型功函数层、以及位于第一p型功函数层的顶部表面与第三p型功函数层的顶部表面上方的栅极覆盖层，使得栅极覆盖层电性耦接第一p型功函数层与第三p型功函数层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]提供多个阈值电压的器件及其制造方法-CN202210132246.9在审
发明人：詹咏翔;廖善美;黄文宏;陈建豪;游国丰;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及提供多个阈值电压的器件及其制造方法。一种方法包括：在半导体工件上形成电介质层、在电介质层上形成第一偶极材料的第一图案化层、并且在第一温度下执行第一热驱入操作，以在电介质层的位于第一图案化层下面的第一部分中形成扩散特征。该方法还包括：形成第二偶极材料的第二图案化层，其中，第二图案化层的第一区段在扩散特征上并且第二图案化层的第二区段与扩散特征相偏离。该方法还包括：在第二温度下执行第二热驱入操作，其中，第二温度低于第一温度。该方法另外包括：在电介质层上形成栅极电极层。
提供阈值电压器件及其制造方法

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