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[发明专利]一种大功率贴片桥散热封装结构及封装方法-CN202310770964.3有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率贴片桥散热封装结构及封装方法，该大功率贴片桥散热封装结构，包括封装壳体、芯片以及设于芯片上的引脚，封装壳体的上表面设有若干组供引脚穿过的安装槽，安装槽的内部设有PCB板，PCB板与引脚之间电性连接，封装壳体的内部设有散热槽，散热槽位于安装槽的下侧，散热槽的开口朝向封装壳体的外侧，封装壳体的散热槽的内部滑动设有散热板，散热板的内部设有若干个用于散热的导热卷曲件和散热支柱，导热卷曲件与散热支柱之间相间设置，导热卷曲件与芯片呈一一对应设置，且导热卷曲件位于芯片的正下方，导热卷曲件为平坦螺旋状结构。该大功率贴片桥散热封装结构及封装方法，散热效率高且占地面积小。
一种大功率贴片桥散热封装结构方法

[发明专利]一种多芯片MOS集成封装结构及其封装方法-CN202310651835.2有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：本发明涉及一种多芯片MOS集成封装结构及其封装方法，该多芯片MOS集成封装结构，包括壳体，壳体的内部设有基座，基座的上表面设有PCB板，PCB板的上表面设有MOS芯片，MOS芯片与PCB板之间通过引脚连接，PCB板的下侧设有用于冷却MOS芯片的冷却组件，PCB板的上表面设有两组呈相对设置的用于对流冷却PCB板上表面的定位条，定位条的内部设有风道，风道在定位条的底部形成入风口，风道在定位条的内侧表面形成第一出风口和第二出风口，第一出风口朝向PCB板的上表面，第二出风口朝向MOS芯片的上表面，风道的内部设有转轴，转轴上设有叶轮。该多芯片MOS集成封装结构及其封装方法，方便快速降低封装结构温度。
一种芯片 mos 集成封装结构及其方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽SGT-MOSFET半导体器件的制备方法-CN202310611507.X在审
发明人：马奕俊;张小龙;马奕鸿 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了屏蔽栅沟槽SGT‑MOSFET半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上生长外延层；在外延层上进行刻蚀形成沟槽，在沟槽内形成第一氧化层，并在沟槽形成第一氧化层后，在沟槽内覆盖氮化硅；沉淀源极多晶硅；刻蚀源极多晶硅，形成第二氧化层；沉淀栅极多晶硅；离子注入形成基区、源区；沉淀形成介质层；形成漏极金属、源极金属。在源极多晶硅与沟槽之间加设氮化硅，高介电常数的氮化硅的增加使得沟槽内各部分之间的电场强度更为均匀，解决了传统屏蔽栅沟槽MOSFET的应用范围受到限制的问题。
屏蔽沟槽 sgt mosfet 半导体器件制备方法

[发明专利]一种低压大电流沟槽型MOS器件-CN202310391490.1有效
发明人：马奕俊;张小龙;马奕鸿 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种低压大电流沟槽型MOS器件，涉及MOS器件技术领域，包括器件本体，器件本体安装在底座上，器件本体上表面设置第一散热板，第一散热板左右两侧对称设置防护板，第一散热板上左右对称设置第二散热板，第二散热板下端贯穿第一散热板，器件本体上端设置与第二散热板相对应的散热孔，散热孔下端与器件本体内部连通，第二散热板内设置盲孔，盲孔下端与散热孔上端连通，第二散热板外壁设置若干气孔。本发明中，通过第一散热板与器件本体上表面贴合，增大了第一散热板与器件本体的接触面积，增大了散热面积，器件本体内部的热气体通过散热孔进入盲孔并从气孔排出，增强了器件本体的散热效果。
一种低压电流沟槽 mos 器件

[发明专利]车规级整流芯片的制成方法-CN202111212869.9有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体涉及车规级整流芯片的制成方法，包括如下步骤：预先提供硅晶片，对硅晶片两面涂布光刻胶并按照掩模图形进行曝光，以使硅晶片表面形成镂空图形；根据中曝光的镂空图形，使用混合酸对硅晶片表面形成的图形进行腐蚀，形成圆环沟槽；通过有机溶剂去除硅晶片表面的胶及其他有机污染物，随后使用无尘布或无尘棉蘸丙酮轻轻擦洗；本发明中，通过刻蚀技术在硅晶片的表面形成圆环沟槽，使其整流基材的整体无边角，因此电流在流动的过程中不会出现向边角集中的情况，避免了现有的车规级整流芯片由于边角处电流集中而发生芯片边角处被提前击穿而失效的问题，提高了车规级整流芯片的抗反向浪涌电流能力差。
车规级整流芯片制成方法

[发明专利]一种适合SMC的同步整流芯片-CN202111311624.1有效
发明人：马奕超 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明涉及配电电路技术领域，具体涉及一种适合SMC的同步整流芯片，包括同步整流芯片主体，同步整流芯片主体的顶面的对称固定连接有限位块，同步整流芯片主体的顶面通过轴承连接有旋件，旋件的表面通过螺纹套设有控制框，控制框套设在同步整流芯片主体、限位块的表面，同步整流芯片主体的内部等距对称固定连接有连接金属片，同步整流芯片主体的表面四角处均固定连接有固定块，本发明通过结构使得该同步整流芯片能够在使用时便于用户的手动切换，并且在开闭切换的过程中，具备一定的清灰效果，灰尘流动摩擦同步整流芯片产生静电，同时提供了一种便捷调配的操作方法，使得同步整流芯片在安装使用的过程中，大大增强了使用安装时的时效性。
一种适合 smc 同步整流芯片

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管制造方法-CN202111212878.8在审
发明人：马奕超 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及二极管制造技术领域，具体涉及一种碳化硅肖特基二极管制造方法，包括如下步骤：预先提供碳化硅衬底，并在碳化硅衬底的表面上外延形成碳化硅层；利用掩模版刻蚀，以使碳化硅层的表面上注入介质层；根据中刻蚀的碳化硅层区域注入磷离子，同时掺杂铝离子，形成磷离子结；利用腐蚀液去除介质层，同时在碳化硅的背面喷溅欧姆接触金属，并进行退火激活，快速退火以形成欧姆接触；本发明中，在喷溅肖特基接触金属工艺过程中直接达到了肖特基退火作用，形成良好的肖特基接触，通过掩模版刻蚀并通过SiO2腐蚀液去除介质层，防止了与碳化硅衬底接触的肖特基接触金属表面与溶液接触而导致的有机物及颗粒的污染。
一种碳化硅肖特基二极管制造方法

[实用新型]一种防护型内置TVS贴片桥堆-CN202120183344.6有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2021-01-23 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防护型内置TVS贴片桥堆，包括TVS贴片桥堆主体，所述TVS贴片桥堆主体的顶部卡合连接有防护套壳，防护套壳的顶部外壁为圆弧形，且防护套壳的顶部外壁上均匀分布有翅片结构，所述防护套壳底部两侧分别设置有支撑条，支撑条的底部高度低于TVS贴片桥堆主体的底部高度，且支撑条关于防护套壳的底部两侧均匀排列分布，所述TVS贴片桥堆主体的顶部设有圆弧形结构的凸条，所述防护套壳的底部开设有圆弧形结构的条形通槽。该防护型内置TVS贴片桥堆采用TVS贴片桥堆主体与防护套壳等相配合的结构设计，既能够提高TVS贴片桥堆主体的散热性能，又能够提高其抗压性能，从而让TVS贴片桥堆主体更加安全稳定耐用。
一种防护内置 tvs 贴片桥堆

[实用新型]一种沟槽肖特基二极管-CN202020390128.4有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，且公开了一种沟槽肖特基二极管，包括二极管壳体，所述二极管壳体的左侧固定连接有引脚，所述二极管壳体的右侧活动连接有安装板，所述二极管壳体的顶部活动连接有顶盖，所述二极管壳体的底部固定连接有底座，所述底座的内部活动连接有散热片。该沟槽肖特基二极管，通过同时将两个L形杆向相对的一侧进行挤压，使得L形杆带动套筒向连接杆方向移动，然后将L形杆向上移动，并带动安装板一同向上移动，当套筒位于工形槽内部的顶端时，放开被挤压的两个L形杆，使得套筒通过弹簧的弹力被弹开，并通过弹簧的弹紧力使得套筒与工形槽内部的顶部固定，从而便可对二极管壳体底部的散热片进行更换。
一种沟槽肖特基二极管

[实用新型]一种ESD静电防护管-CN202020390720.4有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及ESD静电二极管技术领域，且公开了一种ESD静电防护管，包括封装总成，所述封装总成两侧分别设置总成正极引脚和总成负极引脚，所述封装总成内部设置有ESD静电二极管和发光二极管。该ESD静电防护管，通过将ESD静电二极管与发光二极管集成在一起，ESD静电二极管正常运行时发光二极管正常发光，当ESD静电二极管损坏时无法保护发光二极管，则二极管在静电放电作用下损坏，不再发光，以此判断ESD静电二极管是否出现故障，相比拆卸后通过万用表检测的方式更加直观。
一种 esd 静电防护

[实用新型]一种LDO三端稳压电路IC板-CN202020393465.9有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及IC板技术领域，且公开了一种LDO三端稳压电路IC板，包括电路板，所述电路板表面固定设置有稳压器、电容、二极管和接线柱，所述电路板四角均开设有贯穿孔，所述贯穿孔内设有连接短杆，所述连接短杆顶端延伸至电路板顶部，所述连接短杆顶端螺纹连接有螺母，所述连接短杆底端延伸至电路板底部。该LDO三端稳压电路IC板，通过在电路板四角均设置连接短杆、内螺纹管、螺纹杆和脚座，有利于稳定支撑电路板，通过拧动螺纹杆可调节螺纹杆的有效长度，进而调节电路板的角度，便于热成像拍摄，通过设置按板、竖杆、弹簧和吸盘，按动按板可挤压吸盘实现吸附，以此进一步提高稳定性，同时还可适用于其他光滑面的固定，适用性更高。
一种 ldo 稳压电路 ic

[实用新型]一种防护型二极管结构-CN202020390153.2有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，且公开了一种防护型二极管结构，包括防护外壳，所述防护外壳的顶部活动连接有转动轴，所述转动轴的顶部活动连接有防护顶盖，所述防护顶盖右侧的顶部固定连接有连接凸起，所述防护外壳的内部设置有抵触槽，所述抵触槽的内顶壁活动连接有旋转钮，旋转钮的外侧固定套接有扇形抵板。该防护型二极管结构，通过设置防护外壳与防护侧板，将PN结保护在内侧，在PN结的外侧设置滑动块，滑动块在滑块槽内部上下滑动，带动PN结与二极管引脚上下滑动，在成品状态下滑动块滑动在滑块槽的顶部，二极管引脚被收纳在引脚突出孔的内侧，被扇形抵板所抵住，防止在运输等运动状态下，二极管引脚受到外力折断。
一种防护二极管结构

[实用新型]一种可安全防护的开关二极管-CN202020388291.7有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，且公开了一种可安全防护的开关二极管，包括封装壳，所述封装壳内部固定设置有主体，所述主体两端均固定连接有引脚，两个所述引脚分别延伸至封装壳两侧，所述封装壳顶部表面和底部表面均开设有条形滑槽，所述条形滑槽前后两侧内壁均设有限位弧形浅槽。该可安全防护的开关二极管，通过设置氧化铝陶瓷套筒，利用氧化铝陶瓷抗腐蚀耐高温的特性可以有效保护二极管主体，由于套筒通过滑块和条形滑槽与封装壳活动连接，向两侧拉动套筒可使套筒移动，进而改变圆孔和两个引脚的相对位置，避免对引脚的同一弯折点重复弯折，进而降低引脚损坏的概率，达到延长二极管使用寿命的目的。
一种安全防护开关二极管

[实用新型]一种超低电容低漏电流的ESD管-CN202020390175.9有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及静电防护技术领域，且公开了一种超低电容低漏电流的ESD管，包括壳体、基板和导热铜片，所述壳体的内底壁与基板的底部固定连接，所述基板的顶部与导热铜片的底部固定连接，所述导热铜片的顶部固定连接有热管。该超低电容低漏电流的ESD管，通过设置热管，第一横向散热孔、第二横向散热孔、第一热转换槽、第二热转换槽、第一纵向通孔、第二纵向通孔、第一阻尘网和第二阻尘网，由于热管内部有导热液，热管的底部受热时导热液迅速蒸发吸收热量，当导热液上升到热管顶部时，导热液开始冷凝，并回流至热管底部，第一阻尘网和第二阻尘网可将少数灰尘隔绝，解决了当前ESD管通过开孔散热导致内部聚尘，且开孔散热效果有限的问题。
一种电容漏电 esd

[实用新型]一种MOS碳化硅场效应管-CN202020393464.4有效
发明人：马奕俊 -专利权人： 深圳辰达行电子有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及场效应管技术领域，且公开了一种MOS碳化硅场效应管，包括防护外壳，所述防护外壳的内部设置有板身活动槽，所述防护外壳的内顶壁活动连接有限位弹簧，所述限位弹簧的底部活动连接有效应管板，所述效应管板的底部固定连接有管脚，所述防护外壳的前侧开设有活动滑槽，所述活动滑槽内部滑动连接有推送开关。该MOS碳化硅场效应管，通过在防护外壳内部设置板身活动槽，使得效应管板与管脚在不使用时能够收纳进板身活动槽中，按压防护外壳两侧的按钮，将固定块向内压，交叉连杆垂直方向的角度张大，插在连杆滑动槽内部的两个滑动杆之间的距离被拉开，导致挤压板远离效应管板，使得效应管板能够沿着板身活动槽向上移动。
一种 mos 碳化硅场效应

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