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[发明专利]一种电压控制电路及电子设备-CN202210541140.4有效
发明人：鲁乐;张孟文;陈泰东 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电压控制电路及电子设备，所述电压控制电路包括：保护单元、电压钳位单元和稳压单元；保护单元的第一端和第二端用于接入初始电压，保护单元的第三端与所述电压钳位单元电连接，保护单元的第四端与稳压单元的一端电连接，稳压单元的另一端与电压钳位单元电连接，其中，保护单元的第三端的电压和第四端的电压相等；电压钳位单元用于通过保护单元获取所述初始电压，并对初始电压进行钳位处理，以得到中间钳位电压；稳压单元用于调节中间钳位电压以得到目标电压，保护单元的第四端用于输出所述目标电压。本发明通过电压钳位单元和稳压单元的设置，有效提高了输出电压的精度和稳定度，并减少了对于特殊工艺的依赖。
一种电压控制电路电子设备

[发明专利]一种驱动电路、驱动芯片以及电子设备-CN202210536104.9有效
发明人：张孟文 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：本申请提供了一种驱动电路、驱动芯片以及电子设备，涉及器件驱动技术领域。该驱动电路包括第一晶体管、跨导线性环以及反馈模块，跨导线性环包括第一组件与第二组件，第一组件与第一晶体管电连接，反馈模块包括第二晶体管，第二组件分别与反馈模块、第二晶体管电连接，其中，第一晶体管的输出端电压变化跟随第二晶体管的输出端电压变化，第一组件为第一晶体管提供驱动电压，且第一组件工作于AB类放大状态。本申请提供的驱动电路、驱动芯片以及电子设备具有驱动能力强，输出过冲幅度与持续时间都有效减小的优点。
一种驱动电路芯片以及电子设备

[实用新型]一种双拓扑结构的电路-CN202123027576.1有效
发明人：朱贤能;侯兴江;邢利敏 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H02M7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双拓扑结构的电路，包括第一拓扑电路、第二拓扑电路、开关模块和射频分路模块。通过开关模块实现对开关MOS管的通断控制，在一个电路中实现两种拓扑电路结构的切换，解决单一拓扑电路无法同时实现增益、驻波、稳定性兼容的问题。同时，两种拓扑共用同一射频分路模块，相比提供两套单一拓扑而言，本实用新型的电路可以在一定程度上缩略电路面积。
一种拓扑结构电路

[发明专利]半导体器件的制备方法和半导体器件-CN202210357155.5有效
发明人：杨天应;许建华 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、外延材料层、源极、漏极、栅极以及背金层，并在外延材料层内的部分区域形成导电区，然后完成半导体器件正面工艺，最后完成背面工艺，在衬底上刻蚀形成通孔，并形成背金层。相较于现有技术，本发明通过使部分外延材料层具备导电特性，使得在形成源极通孔时无需刻蚀外延材料层，并且外延材料层作为刻蚀停止层，在刻蚀完成后不存在金属电极过刻蚀的问题，避免了过刻蚀工艺可能带来的背孔塌陷和背孔金属分层等技术问题，保证了器件良品率和器件性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210335552.2有效
发明人：王家鑫 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：先在半导体层上蒸镀形成关键层金属，然后利用倾角蒸镀的形式使得窗口内缩，接着在关键层金属上蒸镀形成第一上层金属得到叠层金属，使得第一上层金属与关键层金属的相对两侧的边缘之间具有第一预设间距。如此，可以使得关键层金属的边缘与半导体层能够充分进行合金化，提高合金反应效率，从而有效降低欧姆接触的电阻。此外，在欧姆金属退火后，还可以使得欧姆金属的边缘起伏较小，较为平整，从而提高器件栅源和栅漏之间的可靠性，增强器件的耐击穿能力。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110724336.2有效
发明人：杨天应;刘丽娟 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，将源极焊盘的部分设置于半导体层的有源区内，使得源极焊盘与有源区内的源极电极形成共用第一金属部的结构，从而有效的减少了源极焊盘在半导体层的无源区的占用面积，提高了晶圆面积的利用率，使得单片产出芯片数量增多，尤其适合制作小功率器件。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种可输出低噪声和高PSRR的LDO电路-CN202110608859.0有效
发明人：周勇;王子函;孟帆 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种可输出低噪声和高PSRR的LDO电路，所述电路包括：使能模块、预稳压模块、误差放大器模块、滤波器模块、时钟模块、电流源、功率管和mos管M4。本发明采用RC低通滤波器结构，阻止带隙基准电压源和反馈网络产生的噪声传递到输出端，降低LDO电路输出信号的噪声，而且本发明采用高PSRR结构的带隙基准电压源，结合高增益的误差放大器，可以提高LDO电路输出的电源抑制比，另外，本发明可以通过结合MOS管和1nA电流源构成大电阻，节省芯片面积，简化电路结构。
一种输出噪声 psrr ldo 电路

[发明专利]一种信号处理方法及系统-CN202110317607.2有效
发明人：段源鸿;杨天应;刘石头 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种信号处理方法及系统，所述方法包括：先获取一个单音信号，并将该单音信号分成频率相同的第一信号和第二信号；再将预设频率的信号调制到第一信号中，生成第三信号；最后通过相同的增益控制电压，分别对第二信号和第三信号进行增益调节，分别输出功率相同的第四信号和第五信号。采用本发明实施例能基于单个信号源产生功率一致的双音信号，降低硬件成本，提高测量OIP3的精确度。
一种信号处理方法系统

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210287351.X在审
发明人：田宇;许建华 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底以及位于衬底上的功能层，在功能层顶面设置有源极结构、漏极结构和鱼骨栅结构，源极结构和漏极结构用于配合鱼骨栅结构形成多个晶体管器件；在衬底底面开设有从衬底底面贯穿至功能层顶面的源孔；源极结构包括第一子电极和覆盖源孔位于功能层顶面开孔的第二子电极，第一子电极通过连接桥与第二子电极电性连接。如此，通过取消第一子电极上的源孔，使得第一子电极的宽度可以进行减小，从而减少整个源极结构的占用面积，使得整个器件能够有效降低面积和制造成本，而第一子电极的引出可以由连接桥连接至第二子电极，由第二子电极覆盖的源孔对应引出至衬底底面。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110718604.X有效
发明人：杨天应;刘丽娟;刘石头 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：去除漂移层上的导电沟道形成无源结构；在无源结构的漂移层上形成第一源极金属和第一漏极金属；第一栅极金属位于第一源极金属和第一漏极金属之间；在第一栅极金属上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成源场板，由于第一开路测试结构与实际器件结构高度相似，其区别仅在于通过微电子或半导体制备工艺将导电沟道去除，使得第一开路测试结构形成无栅控功能的无源测试结构，如此，在配合现有开路去嵌入结构时，能够完全去除Cpg和Cpd，包括Cpg1、Cpg2、Cpg3以及Cpd1和Cpd2，因此，能够有效提高模型精度，避免后期需要花费大量时间对参数进行拟合。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202210321329.2有效
发明人：许建华;乐伶聪;杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体层、源极金属、漏极金属和栅极金属，将源极金属、漏极金属和栅极金属间隔分布在电极分布区内，且栅极金属设置在源极金属和漏极金属之间的沟道区域，同时沟道区域的中部设置有第一隔离区，第一隔离区对应的半导体层为具有绝缘特性的第一绝缘层，从而使得第一隔离区内形成了第一无源散热区。在器件运行时，由于设置有第一隔离区，第一隔离区内为绝缘特性，故第一隔离区内不会因为电流经过而产生热量累计，并且第一隔离区位于沟道区域的中部，能够降低器件中心区域的热累计，降低整个器件的热量集中度，改善器件的热分布。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种GaN开关应力测试系统及电子设备-CN202210541141.9在审
发明人：张孟文;尚昌立;吴俊峰;徐显修 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种GaN开关应力测试系统及电子设备，所述应力测试系统包括：高压电源单元、驱动信号单元、第一采样电阻、第二采样电阻和反馈监测单元；所述高压电源单元将初始高压直流电信号处理成目标高压直流电信号，并向所述GaN开关的漏极提供所述目标高压直流电信号。所述驱动信号单元将初始驱动信号处理成目标驱动信号，并向所述GaN开关的栅极提供所述目标驱动信号。本发明提供的测试系统能够持续为GaN开关提供高应力，从而提高GaN开关的检测精度，分别在所述GaN开关的栅极和源极设置第一采样电阻和第二采样电阻，以及用于监测异常状态的反馈监测单元，从而能够在GaN开关工作异常时，及时对测试系统进行保护。
一种 gan 开关应力测试系统电子设备

[发明专利]一种芯片封装的焊接方法及芯片封装方法-CN202110582374.9有效
发明人：刘丽娟;杨元杰;杨天应 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装的焊接方法及芯片封装方法，所述焊接方法包括：使管壳基板升温到第一温度，所述第一温度低于管壳基板上表面放置的焊料片的熔点，所述焊料片放置于管壳基板上的第一框架内；将待焊接件放到焊料片上并使管壳基板的温度升温到第二温度，将待焊接件以预设的第一压力沿第一方向往复移动第一距离并使待焊接件达到预设的第一高度；将管壳基板降温到第三温度，所述待焊接件焊接到管壳基板上，其中，所述第三温度低于焊料片的熔点。有益效果：改进芯片封装过程中的温度控制方法，以及待焊接件和焊料片的焊接方法，减少芯片焊接过程中待焊接件与基板之间的空洞，提高了产品可靠性。
一种芯片封装焊接方法

[发明专利]一种功率放大器及电子设备-CN202210288443.X在审
发明人：龚全熙;金冬;侯兴江 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种功率放大器及电子设备，所述功率放大器包括至少一级功率放大电路，其中，每一级功率放大电路均包括功率管和偏置单元；功率管的输入端与偏置单元电连接，功率管的输入端还用于接入射频信号，功率管的输出端用于与负载电连接；偏置单元包括自适应偏置电路和增益补偿电路，其中，增益补偿电路与自适应偏置电路电连接，自适应偏置电路的偏置电流输出端与功率管的输入端电连接；增益补偿电路用于在检测到环境温度变化时调整所述自适应偏置电路输出的偏置电流，环境温度的变化状态与偏置电流的变化状态一致。通过所述增益补偿电路的设置，能够有效避免因温度升高而造成对功率管小信号增益的影响。
一种功率放大器电子设备

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110724954.7有效
发明人：杨天应;刘丽娟 -专利权人： 深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底；设于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区；设于有源区上的源极、漏极以及栅极，其中，栅极位于源极和漏极之间；设于无源区上的栅极焊盘和漏极焊盘，漏极与漏极焊盘金属连接，栅极和栅极焊盘金属连接；以及设于源极上的源极测试焊盘。该半导体器件能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度，并具有高抗湿气能力。
半导体器件及其制备方法