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[外观设计]多线激光投射器-CN202330204351.4有效
发明人：王伟;胡文俊;杨慧芳;陈睿;汪辰杲;刘赤宇 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：多线激光投射器。2.本外观设计产品的用途：用以将激光光源投射出的激光整形成为至少两条激光在同一平面有交汇的多线激光光型。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
激光投射

[发明专利]VCSEL芯片及其制备方法-CN202111671929.3在审
发明人：陈智前;林珊珊 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述VCSEL芯片包括：多个VCSEL发光点，每一VCSEL发光点包括至少一P‑DBR区，其中，所述多个VCSEL发光点中至少二VCSEL发光点的P‑DBR区的形成高度不一致，以使得所述至少二VCSEL发光点的P‑DBR区在形成高度上错落分布，通过这样的方式来提升VCSEL芯片整体的散热性能，以在一定程度上提高VCSEL芯片整体的光电转换效率。
vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]VCSEL芯片及其制备方法-CN202111670825.0在审
发明人：郭铭浩;王立;李念宜 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括：至少一VCSEL发光单元，每个所述VCSEL发光单元包括发光主体、电连接于所述发光主体的正电极和负电极；其中，所述发光主体从下而上依次包括：衬底层、P型电接触层、P‑DBR层、有源区、限制层、N‑DBR层和N型电接触层，所述限制层具有对应于所述有源区的限制孔，所述VCSEL芯片通过这样的方式对其自身结构进行异构，以使得所述VCSEL芯片更加适配于高速电路系统。
vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]排布紧密的垂直腔面发射激光器-CN202111678169.9在审
发明人：邵泓焰;朱洪力;郭铭浩;林珊珊;白粉丽;王立;李念宜 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种排布紧密的垂直腔面发射激光器，包括：隔离层，隔离层包括多边形的主体部以及设置在多边形的各个角部的附加部；金属层，金属层具有多个间隔设置的P型接触电极，多个P型接触电极分别设置在多边形的主体部的不同的角部及对应角部的附加部上，且P型接触电极均朝向背离主体部的中心的方向延伸；电介质通孔层，电介质通孔层设置在P型接触电极远离主体部的一侧，电介质通孔层具有多个电介质通孔，多个电介质通孔与多个P型接触电极一一对应设置，以使得P型接触电极的至少一部分裸露；多个氧化沟槽，氧化沟槽的至少一部分位于相邻的P型接触电极之间。本发明解决了现有技术中垂直腔面发射激光器存在不能小型化的问题。
排布紧密垂直发射激光器

[发明专利]可寻址VCSEL芯片及其制备方法-CN202111670896.0在审
发明人：郭铭浩;王立;李念宜 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：公开了一种可寻址VCSEL芯片及其制备方法。所述可寻址VCSEL芯片包括：相互电隔离且以阵列方式布置的多个VCSEL发光单元和寻址电路结构，其中，所述寻址电路结构包括多条正电连接线和多条负电连接线，每一所述正电连接线电连接于至少二所述VCSEL发光单元的正电极，每一所述负电连接线电连接于至少二所述VCSEL发光单元的负电极，通过这样的方式，所述寻址电路结构形成所述多个VCSEL发光单元的寻址电路以使得所述多个VCSEL发光单元中任一所述VCSEL发光单元适于通过导通一对所述正电连接线和所述负电连接线实现电导通。所述可寻址VCSEL芯片以相对简化的布线结构实现了其分区点亮的功能，且能够满足在散热等其他方面的性能需求。
寻址 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]用于一维TOF探测器的视场角检测方法及其检测装置-CN202111500731.9在审
发明人：陈智前;林珊珊 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01S7/497 文献下载
摘要：公开了一种用于一维TOF探测器的视场角检测方法及其检测装置，其中，所述用于一维TOF探测器的视场角检测方法通过沿特定方向移动线光标，使其沿该特定方向逐步靠近所述一维TOF探测器的接收端，当所述线光标恰好被检测到时，所述线光标与所述一维TOF探测器的接收端之间的距离为所述线光标与所述一维TOF探测器的接收端之间的最远探测距离，根据此时所述线光标与所述一维TOF探测器的接收端之间的位置关系可获得所述接收端的视场角，即，所述一维TOF探测器的接收视场角。这样，可在不依赖二维或三维图像的情况下实现对所述一维TOF探测器的接收视场角的检测。
用于 tof 探测器视场检测方法及其装置

[发明专利]用于单点VCSEL的控制电路-CN202211629731.3在审
发明人：杨通辉;姚毅飞;王立;李念宜;刘赤宇;汪辰杲 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：公开了一种用于单点VCSEL的控制电路，其包括第一充电支路和第二充电支路，其中，所述第一充电支路包括第一电源单元和场效应晶体管，单点VCSEL适于串联于所述第一电源单元和所述场效应晶体管之间，所述单点VCSEL形成第一电阻，所述场效应晶体管形成第一电容，所述第二充电支路并联于所述场效应晶体管，所述第二充电支路包括第二电阻和第二电容。在场效应晶体管从导通态切换为关断态的过程中，并联于场效应晶体管的充电电路两端的电压始终大于零，使得场效应晶体管两端的电压大于零。这样，在场效应晶体管关断后需要充满电的时间缩短，将电流波形和单点VCSEL的脉宽控制在指定脉宽范围内，能够较为准确的测试所述单点VCSEL的光功率。
用于单点 vcsel 控制电路

[实用新型]激光投射器以及电子设备-CN202223501366.6有效
发明人：胡文俊;王伟;邵泓焰;王立;刘赤宇 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体为一种激光投射器，包括激光光源；激光整形元件，对应于所述激光光源的激光出射路径；基板，所述激光整形元件连接，所述激光光源设于所述基板，且该基板设有用于向所述激光光源供电的电路导体，在靠近所述基板端部处设有焊接点，所述电路导体部分位于所述焊接点处。焊锡枪能够焊接激光投射器基板的端部焊接点，简化了焊锡的难度，提高对激光投射器的焊锡效率；焊接点与激光整形元件之间的间距增大，减小焊枪的热量对激光整形元件造成损伤，保障激光投射器射出的激光的完整性。
激光投射以及电子设备

[外观设计]激光模组-CN202230856151.2有效
发明人：胡文俊;王伟;邵泓焰;王立;刘赤宇 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：激光模组。2.本外观设计产品的用途：用以投射VCSEL芯片发出的激光。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
激光模组

[发明专利]VCSEL芯片及其制备方法-CN202111311865.6在审
发明人：郭铭浩;周圣凯;赖威廷;王立;李念宜 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述VCSEL芯片包括：基底层、形成于所述基底层上且相互隔离的多个VCSEL单元，以及，在晶圆级别集成地设置于所述多个VCSEL发光单元的多个光调制元件。所述多个VCSEL发光单元通过阴极分区被分为多个子光源区，所述多个光调制元件具有预设结构配置并按照预设的分布方式分布于所述多个子光源区，以通过控制所述多个子光源区中被点亮的子光源区的位置调控所述VCSEL芯片的整体发散角。所述VCSEL芯片通过其自身的结构设计来调控其整体发散角，以扩大所述VCSEL芯片的扫描域，并且，所述VCSEL芯片通过阴极分区的方式降低了分区布线难度。
vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]VCSEL芯片及其制备方法-CN202111323399.3在审
发明人：郭铭浩;周圣凯;赖威廷;王立;李念宜 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述VCSEL芯片包括：相互电隔离的多个VCSEL发光单元和在晶圆级别集成地设置于所述多个VCSEL发光单元的多个光调制元件。每个所述VCSEL发光单元包括发光主体、电连接于所述发光主体的正电极和负电极，其中，所述发光主体从下而上依次包括：衬底层、P型电接触层、P‑DBR层、有源区、限制层、N‑DBR层和N型电接触层，所述限制层具有对应于所述有源区的限制孔。所述多个光调制元件具有预设结构配置并相互配合以使得所述VCSEL芯片的整体发散角大于等于120°。这样，所述VCSEL芯片通过其自身的结构设计即可调控其整体发散角，以扩大所述VCSEL芯片的扫描域。
vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]VCSEL激光器及其制备方法-CN202211307526.5在审
发明人：赖威廷;杨国庆;李念宜;王立;郭铭浩 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：公开了一种VCSEL激光器及其制备方法，其中，所述VCSEL激光器包括：第一布拉格反射镜、第二布拉格反射镜和被夹设于所述第一布拉格反射镜和所述第二布拉格反射镜之间的有源区，所述第一布拉格反射镜包括多层第一高铝层和多层第一低铝层，所述第二布拉格反射镜包括多层第二高铝层和多层第二低铝层，其中，至少一层所述第一低铝层的厚度大于λ/4，λ为所述VCSEL激光器的工作波长，这样，可延长谐振腔来加强衍射损耗和吸收损耗，进而抑制高阶横模，降低VCSEL激光器的发散角。
vcsel 激光器及其制备方法

[发明专利]在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法-CN202111159299.1在审
发明人：林珊珊;王立;李念宜 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法，所述在晶圆级别集成的厚度检测装置包括：第一电容板，其中，在所述VCSEL单元的制备过程中，该绝缘层适于被等厚地形成于所述第一电容板和所述P‑DBR层上；以及，叠置于该绝缘层的第二电容板；其中，所述绝缘层的厚度适于基于所述第一电容板和所述第二电容板之间的电容值、该绝缘层的相对介电常数，以及，所述第二电容板的长度和宽度决定。所述厚度检测装置可降低检测成本，并快速地检测形成于VCSEL激光器的激光出射路径上的绝缘层的厚度，以提高检测效率。
级别集成厚度检测装置 vcsel 单元制备方法

[发明专利]在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法-CN202111161190.1在审
发明人：林珊珊;王立;李念宜 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法，所述在晶圆级别集成的厚度检测装置的制备成本相对降低，并且，检测过程相对简单，使得通过所述厚度检测装置检测绝缘层的厚度的检测成本降低。而且，所述在晶圆级别集成的厚度检测装置可形成于VCSEL单元的制备过程中，可快速地监测形成于VCSEL激光器的激光出射路径上的绝缘层的厚度，以提高检测效率。
级别集成厚度检测装置 vcsel 单元制备方法

[发明专利]散斑投射器-CN202211441879.4在审
发明人：许力超;王伟;王立;刘赤宇;李念宜 -专利权人： 浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G03B15/02 文献下载
摘要：公开了一种散斑投射器，其中，所述散斑投射器包括：单点光源和被保持于所述单点光源的光出射路径上的衍射光学元件，所述单点光源仅具有一个发光孔，用于出射单束光，所述光衍射元件用于对所述单束光进行整形，进而使得所述散斑投射器生成具有多个光斑的散斑图案。所述散斑投射器针对近距离眼球追踪技术对投射器形成的光斑数量和光斑能量要求较低的特点，以单个发光点作为所述散斑投射器的光源，通过光整形元件形成多个光斑，这样，可以减小所述投射器的尺寸，在简化所述投射器的结构的同时能够满足近距离眼球追踪技术对投射器形成的光斑数量和光斑能量要求，且能够简化结构光编解码算法。
投射