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[发明专利]半导体装置-CN201810851975.3在审
发明人： 浅原英敏;田中明广 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供能够降低导通电阻的半导体装置。半导体装置具备：半导体层，具有第一面和第二面；第一半导体区域；第一导电型的第二半导体区域，位于第一半导体区域与第一面之间，杂质浓度比第一半导体区域低；第二导电型的第三半导体区域及第四半导体区域，位于第二半导体区域与第一面之间；第一导电型的第五半导体区域，位于第三半导体区域与第一面之间；第一导电型的第六半导体区域，位于第四半导体区域与第一面之间；第一导电型的第七半导体区域，设于第三半导体区域与第四半导体区域之间，位于第一半导体区域与第一面之间，杂质浓度比第二半导体区域的第一导电型杂质浓度高；第一栅极电极；第二栅极电极和第一栅极绝缘膜；以及第二栅极绝缘膜。
半导体区域导电型半导体装置栅极绝缘膜栅极电极浓度比导电型杂质半导体层导通电阻第二面

[发明专利]半导体装置以及控制系统-CN201810161044.0在审
发明人： 浅原英敏;田中明广;生野徹 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备第1半导体层、第1开关元件、第2开关元件以及导电体。上述导电体的至少一部分设置在上述第1半导体层上。上述导电体在第1方向上位于上述第1开关元件以及上述第2开关元件之间。
开关元件导电体半导体装置半导体层控制系统

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201310739901.8在审
发明人： 浅原英敏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法。该方法具备在第1导电类型的半导体层形成沟槽的工序；形成覆盖沟槽的内表面的第1绝缘膜的工序；在第1绝缘膜上形成第1导电材料以埋入沟槽内的工序；蚀刻第1导电材料以使第1导电材料整体位于沟槽内的工序；蚀刻第1绝缘膜，以在沟槽的上部内表面使半导体层露出，使第1导电材料的上端部相比于第1绝缘膜的上端部更位于上侧的工序；在对第1绝缘膜进行蚀刻之后，再蚀刻第1导电材料以使第1绝缘膜的上端部相比于第1导电材料的上端部更位于上侧的工序；形成对在沟槽的上部内表面露出的半导体层和第1导电材料进行覆盖的第2绝缘膜的工序；在第1绝缘膜和第2绝缘膜上形成第2导电材料以埋入沟槽的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110251117.3无效
发明人： 浅原英敏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低沟槽结构中的栅·源间电容的半导体装置及其制造方法。实施方式涉及的半导体装置具备：第一导电型的半导体层；第一主电极，设置在上述半导体层的第一主面侧；第二主电极，设置在上述半导体层的第二主面侧；2个第一控制电极，设置在上述半导体层的从上述第一主面侧向上述第二主面的方向上形成的沟槽的内部，用于控制上述第一主电极与上述第二主电极之间流动的电流；以及第二控制电极，在上述沟槽的内部，设置在上述2个第一控制电极与上述第二主面侧的底面之间。上述2个第一控制电极在与上述第一主面平行的方向上间隔地设置，分别隔着第一绝缘膜与上述沟槽的内面相对置，上述第二控制电极隔着第二绝缘膜与上述沟槽的内面相对置。
半导体装置及其制造方法