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[发明专利]贯通孔的多焦点激光形成方法-CN202011494823.6在审
发明人： 洪详竣 -专利权人：钛昇科技股份有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： B23K26/067 文献下载
摘要：本发明提供了一种贯通孔的多焦点激光形成方法，包含有：一多焦点激光于一基板上形成一预贯通孔，其中，该预贯通孔根据多焦点激光所产生的多个焦点经由激光加工形成，该多焦点激光于各该焦点处激光形成一烧蚀区及一改质区，各该烧蚀区连通形成该预贯通孔，各该改质区围绕各该烧蚀区，其中，该多焦点激光由一激光源发出多道激光，再经由一振镜(scanning head)反射该多道激光，使该多道激光于该基板形成该多个焦点；将含该预贯通孔的该基板浸于刻蚀池进行刻蚀，使该预贯通孔调整为直径ψ1的一贯通孔。
贯通焦点激光形成方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN202111149489.5在审
发明人：柯竣腾;陈昭兴;王佳琨;郭彦良;陈志濠;钟伟荣;王志铭;彭韦智;洪详竣;林予尧 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含：半导体叠层，具有第一半导体层、第二半导体层以及活性层；孔部暴露区，位于半导体叠层内，暴露出第一半导体层；第一导电层对应孔部暴露区；第一绝缘层，位于半导体叠层与第一导电层之间，包含开口对应孔部暴露区，第一导电层通过开口与第一半导体层电连接；第一电极层，位于第一导电层上，包含连接电极层对应第一导电层，与第一半导体层电连接；接合层，位于第一电极层上，与连接电极层电连接；导电基板，半导体叠层位于接合层的一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧；暴露区域，位于发光元件的一边或角落，与半导体叠层不重叠；及打线垫，位于暴露区域上，电连接第二半导体层。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201711089661.6有效
发明人：柯竣腾;陈昭兴;王佳琨;郭彦良;陈志濠;钟伟荣;王志铭;彭韦智;洪详竣;林予尧 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。该发光元件包含：半导体叠层具有第一半导体层，第二半导体层以及活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；环绕暴露区，位于半导体叠层的周围，暴露出第一半导体层的一表面；导电层，位于第二半导体层上，具有第一导电区延伸接触环绕暴露区内的表面；电极层，位于环绕暴露区上环绕半导体叠层并接触导电层，包含一电极垫与半导体叠层不重叠；外侧绝缘层，覆盖导电层的一部分及电极层，且包含一第一开口暴露导电层的另一部分；接合层，覆盖外侧绝缘层，并经由第一开口与导电层的另一部分电连接；以及一导电基板，其中半导体叠层位于接合层的一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN200910007059.2有效
发明人：陈昭兴;洪详竣;王希维;梁立田;范进雍;钟健凯 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种可用于高压交流电的发光元件，其包含：次载体、位于次载体上的至少一电子元件、位于次载体上的多个发光二极管阵列芯片、位于次载体上的至少一焊垫，以及位于次载体上的导电线路；其中上述导电线路分别使电子元件、多个发光二极管阵列芯片，以及焊垫形成电性连接，且任二相邻发光二极管阵列芯片间的间距大于100μm，由此提高发光元件的散热效率。
发光元件

[发明专利]发光结构-CN201910026011.X在审
发明人：沈建赋;陈昭兴;柯淙凯;洪详竣;许生杰;郭得山;王心盈;姚久琳;黄建富;刘欣茂;钟健凯 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明的实施例公开一种发光结构，包含：第一单元，包含第一上方半导体层及第一下方半导体层，其中第一下方半导体层具有第一上表面及第一侧壁；第二单元，包含第二上方半导体层及第二下方半导体层，其中第二上方半导体层具有第二上表面，第二下方半导体层具有第二侧壁；沟槽，介于第一单元及第二单元之间；绝缘层设置于沟槽，暴露出一部分的第一侧壁，且覆盖第二上表面，以及电性连接，接触部分的第一侧壁及覆盖于第二上表面。
半导体层上表面第一侧壁发光结构绝缘层第二侧壁电性连接覆盖暴露

[发明专利]光电元件-CN201710480015.6有效
发明人： 洪详竣;陈昭兴;沈建赋;王佳琨 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件的结构，其包含：一半导体叠层，包含：一第一导电型半导体层、一活性层、及一第二导电型半导体层；一第一电极与第一导电型半导体层电连接，且第一电极还包含一第一延伸电极；一第二电极与第二导电型半导体层电连接；及多个限制电性接触区域位于半导体叠层与第一延伸电极之间，且多个限制电性接触区域以变距离的间隔分布。
光电元件

[发明专利]发光结构-CN201610143081.X有效
发明人：沈建赋;陈昭兴;柯淙凯;洪详竣;许生杰;郭得山;王心盈;姚久琳;黄建富;刘欣茂;钟健凯 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明的实施例公开一种发光结构，包含：第一单元；第二单元，与第一单元电性分离；沟槽，介于第一单元及第二单元之间；以及电性连接，覆盖于第一单元、第二单元以及沟槽之上，其中该电性连接具有连接部及桥接部，由上视观之桥接部的宽度大于连接部，其中该桥接部的厚度小于该连接部的厚度。
发光结构

[发明专利]发光二极管元件-CN201610587606.9有效
发明人：陈昭兴;沈建赋;柯淙凯;洪详竣 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种发光二极管元件，包含一串联式连接的发光二极管元件阵列，具有多个发光二极管单元置于单一基板上，彼此电性串联，包含一第一发光二极管单元、一第二发光二极管单元、以及一子发光二极管元件阵列包含至少三个发光二极管单元，介于第一与第二发光二极管单元之间；其中，第一与第二发光二极管单元各具有一第一侧与一第二侧，第一发光二极管单元及/或第二发光二极管单元的第一侧邻近子发光二极管元件阵列，第一发光二极管单元的第二侧邻近该第二发光二极管单元的第二侧，第一发光二极管单元与第二发光二极管单元的第一半导体层位于两相邻第二侧之间的距离介于15‑50微米；以及多个传导金属，分别位于相邻发光二极管单元之间，传导金属分别包含一延伸部，延伸部的末端具有大于传导金属线宽的曲率半径。
发光二极管元件

[发明专利]发光元件-CN201810840927.4在审
发明人： 洪详竣;柯淙凯;沈建赋;陈昭兴;王佳琨;陈宏哲 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，具有一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一保护层，位于发光叠层之上；一反射层，位于第一保护层之上；一阻障层，位于反射层之上；一第二保护层，位于阻障层之上；以及一导电接触层，位于第二保护层之上，其中导电接触层包含一第一导电部与一第二导电部，第一导电部的上表面表面积相同或近似于第二导电部的上表面表面积。
导电部导电接触层第二保护层第一保护层发光叠层发光元件反射层上表面阻障层基板近似

[发明专利]发光元件-CN201310653613.0有效
发明人： 洪详竣;柯淙凯;沈建赋;陈昭兴;王佳琨;陈宏哲 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，具有一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一保护层，位于发光叠层之上；一反射层，位于第一保护层之上；一阻障层，位于反射层之上；一第二保护层，位于阻障层之上；以及一导电接触层，位于第二保护层之上，其中导电接触层包含一第一导电部与一第二导电部，第一导电部的上表面表面积相同或近似于第二导电部的上表面表面积。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201510168949.7有效
发明人：陈昭兴;洪详竣;王希维;梁立田;范进雍;钟健凯;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种可用于高压交流电的发光组件，包含：成长基板；多个发光二极管单元，形成于该成长基板上；电极，直接位于该成长基板上；导电线路，位于该成长基板上，并且电性连接该多个发光二极管单元及该电极；以及多个整流二极管单元；其中，该多个发光二极管单元排列成至少一串接的封闭回路，且该多个整流二极管单元分别连接于所述封闭回路中相异的端点。
成长基板发光二极管单元整流二极管封闭回路电极高压交流电导电线路电性连接发光元件发光组件串接的可用相异

[发明专利]发光装置-CN201510087265.4有效
发明人：谢明勋;沈建赋;洪详竣;柯淙凯;王希维;韩政男 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光装置，包含载体，包含一凹槽结构；第一光电元件，包含蓝光发光二极体管芯，设置于上述凹槽结构的周围；及第一波长转换体，覆盖于上述蓝光发光二极体管芯上，且未覆盖上述凹槽结构；以及第二光电元件，设置于上述凹槽结构之中，上述蓝光发光二极体管芯与上述第二光电元件的温度系数不同；其中，上述第一光电元件及上述第二光电元件分别产生一第一光线及一第二光线，上述第一光线与上述第二光线混合成一混合光。第二光电元件设置于此凹槽结构之中。凹槽结构在第一光电元件与第二光电元件间形成光线行进的障碍，如此可以降低第一光电元件的光线被第二光电元件吸收的机率，进而提升发光装置整体的发光效率。
发光装置

[发明专利]光电元件-CN201110362728.5有效
发明人： 洪详竣;陈昭兴;沈建赋;王佳琨 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件的结构，其包含一半导体叠层，包含一第一导电型半导体层、一活性层、及一第二导电型半导体层；一第一电极与第一导电型半导体层电连接，且第一电极还包含一第一延伸电极；一第二电极与第二导电型半导体层电连接；及多个限制电性接触区域位于半导体叠层与第一延伸电极之间，且多个限制电性接触区域以变距离的间隔分布。
光电元件

[发明专利]光电半导体装置-CN201310021570.4有效
发明人：沈建赋;钟健凯;洪详竣;叶慧君;柯淙凯;林安茹;欧震 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电半导体装置。依据本发明一实施例的一种光电半导体装置包括转换部，包括第一侧；电性接点；接触层，位于该转换部与该电性接点之间并具有外边界，其中该接触层中形成有至少连续三个不连续区，该至少连续三个不连续区沿外边界形成，且具有至少一个不相同的要素；其中，电性接点、接触层、及不连续区形成于转换部的第一侧。
光电半导体装置

[发明专利]光电元件及其制造方法-CN201110240716.5无效
发明人：陈昭兴;沈建赋;洪详竣;柯淙凯 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包含：一半导体叠层，包含：一第一半导体层、一有源层、及一第二半导体层；一第一电极与第一半导体层电连接；一第二电极与第二半导体层电连接，其中第一电极与第二电极有一最小距离D1；一第三电极形成在部分第一电极之上且与第一电极电连接；及一第四电极形成在部分第一电极之上及部分第二电极之上且与第二电极电连接，其中第三电极与第四电极有一最小距离D2，且第三电极与第四电极的最小距离D2小于第一延伸电极103及第二电极104的最小距离D1。
光电元件及其制造方法

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