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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202310260264.X在审
发明人：渡壁创;津吹将志;佐佐木俊成;田丸尊也 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。本发明的解决方式在于，半导体器件的制造方法，其中，在基板上形成氧化物半导体层，在前述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层，在前述栅极绝缘层上形成以铝为主成分的氧化金属层，在前述栅极绝缘层上形成有前述氧化金属层的状态下进行热处理，在前述热处理之后，将前述氧化金属层除去，在前述栅极绝缘层上形成栅电极。前述栅电极可以以与通过前述氧化金属层被除去而露出的前述栅极绝缘层相接的方式形成。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202310259938.4在审
发明人：渡壁创;津吹将志;佐佐木俊成;田丸尊也 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。本发明的解决方式在于，半导体器件的制造方法中，在基板上形成以铝为主成分的第1氧化金属层，在前述第1氧化金属层上形成氧化物半导体层，在前述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层，在前述栅极绝缘层上形成以铝为主成分的第2氧化金属层，在前述栅极绝缘层上形成有前述第2氧化金属层的状态下进行热处理，在前述热处理之后，将前述第2氧化金属层除去，在前述栅极绝缘层上形成栅电极。
半导体器件制造方法

[发明专利]显示装置-CN202310111983.5在审
发明人： 津吹将志;境武志;三浦健太郎;渡壁创;田丸尊也;田畠弘志;梅田豊 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，其目的在于减少显示装置中的显示不均。显示装置包括：发光元件；在发光元件与驱动电源线之间串联连接的第1晶体管以及第2晶体管；与第1晶体管的栅极电极电连接的第3晶体管；以及在第1晶体管的漏极与发光元件之间并联连接的第4晶体管，第1晶体管的沟道宽度W1与沟道长度L1之比(W1/L1比)以及第2晶体管的沟道宽度W2与沟道长度L2之比(W2/L2比)比第3晶体管的沟道宽度W3与沟道长度L3之比(W3/L3比)以及第4晶体管的沟道宽度W4与沟道长度L4之比(W4/L4比)大。
显示装置

[发明专利]显示设备-CN202310739461.X在审
发明人：山崎舜平;小山润;三宅博之;津吹将志;野田耕生 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
显示设备

[发明专利]显示设备-CN202310341421.X在审
发明人：山崎舜平;小山润;三宅博之;津吹将志;野田耕生 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
显示设备

[发明专利]显示装置-CN202180057008.X在审
发明人：渡壁创;三浦健太郎;津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：显示装置包括基板(101)、发光元件(230)、第1晶体管(210A)和第2晶体管(250)，第1晶体管包括设置在基板上的第1栅电极(204_1)、设置在第1栅电极上的第1绝缘膜(206)、设置在第1绝缘膜上并具有与第1栅电极重叠的区域的第1氧化物半导体层(208_1)、设置在第1氧化物半导体层上的第2绝缘膜(212)和设置在第2绝缘膜上的第1导电层(218)，第2晶体管包括设置在基板上的第1绝缘膜、设置在第1绝缘膜上的第2氧化物半导体层(208_2)、设置在第1氧化物半导体层及第2氧化物半导体层上并具有比第1绝缘膜的膜厚小的膜厚的第2绝缘膜、和设置在第2绝缘膜上并具有与第2氧化物半导体层重叠的区域的第2栅电极(214)。
显示装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210519012.X在审
发明人： 津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包含以下步骤：在基板上形成第一栅极电极；在第一栅极电极上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成包含与第一栅极电极重叠的区域的第一氧化物半导体层；在第一氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极；在源极电极和漏极电极上形成氧化物绝缘层；在含有氧的气氛中对氧化物半导体靶进行溅射而在氧化物绝缘层上形成第二氧化物半导体层，并且对氧化物绝缘层添加氧；通过进行加热处理，使氧扩散到第一氧化物半导体层；在进行了加热处理之后，去除第二氧化物半导体层。由此，能够提高半导体装置的晶体管的可靠性。
半导体装置制造方法

[发明专利]显示设备-CN201911225794.0有效
发明人：山崎舜平;小山润;三宅博之;津吹将志;野田耕生 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
显示设备

[发明专利]光传感器装置-CN202080085492.2在审
发明人： 津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：光传感器装置包括：基板；以及设置于基板上的像素区域处的作为受光元件发挥功能的第1晶体管，和写入/读取用的第2晶体管。第1晶体管由使用多晶硅的晶体管形成，第2晶体管由使用氧化物半导体的晶体管形成。在第2晶体管的氧化物半导体的背面侧设置遮光层。由此，能够长时间地对光传感器装置照射光，因此能够使第1晶体管的受光量增加，并且能够抑制第2晶体管的特性变动。
传感器装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910007558.5有效
发明人： 津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包含以下步骤：在基板上形成第一栅极电极；在第一栅极电极上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成包含与第一栅极电极重叠的区域的第一氧化物半导体层；在第一氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极；在源极电极和漏极电极上形成氧化物绝缘层；在含有氧的气氛中对氧化物半导体靶进行溅射而在氧化物绝缘层上形成第二氧化物半导体层，并且对氧化物绝缘层添加氧；通过进行加热处理，使氧扩散到第一氧化物半导体层；在进行了加热处理之后，去除第二氧化物半导体层。由此，能够提高半导体装置的晶体管的可靠性。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN202111645114.8在审
发明人：山崎舜平;冈崎健一;津吹将志;马场晴之;重信幸惠;肥冢绘美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极之上的第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜之上的第二绝缘膜、第二绝缘膜之上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极之上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]半导体器件-CN202080056742.X在审
发明人：花田明纮;海东拓生;津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管(TFT)中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明的代表手段如下所述。半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域1042、漏极区域1043，和处于上述沟道区域与上述源极区域及上述漏极区域之间的LDD(Lightly Doped Drain)区域1041，上述LDD区域1041的电阻率比上述沟道区域的电阻率小、比上述源极区域或上述漏极区域的电阻率大，源电极108与上述源极区域1042重叠地形成，漏电极109与上述漏极区域1043重叠地形成，上述氧化物半导体的上述LDD区域1041的厚度大于上述沟道区域104的厚度。
半导体器件

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN201780023312.6有效
发明人：山崎舜平;冈崎健一;津吹将志;马场晴之;重信幸惠;肥冢绘美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-02-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]逻辑电路和半导体器件-CN202110982134.8在审
发明人：山崎舜平;小山润;津吹将志;野田耕生 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-24 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。
逻辑电路半导体器件

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN202080019549.9在审
发明人： 津吹将志;境武志;户田达也 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：显示装置包含晶体管和所述晶体管上的显示元件，所述晶体管包含：绝缘表面上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上且与所述栅电极重叠的氧化物半导体层；源电极‑漏电极，其包含在所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层上的含有氮的第1导电层和所述第1导电层上的第2导电层；以及所述氧化物半导体层和所述源电极‑漏电极上的含有氧的绝缘层。
显示装置制造方法

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