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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202310260264.X在审
发明人： 渡壁创;津吹将志;佐佐木俊成;田丸尊也 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。本发明的解决方式在于，半导体器件的制造方法，其中，在基板上形成氧化物半导体层，在前述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层，在前述栅极绝缘层上形成以铝为主成分的氧化金属层，在前述栅极绝缘层上形成有前述氧化金属层的状态下进行热处理，在前述热处理之后，将前述氧化金属层除去，在前述栅极绝缘层上形成栅电极。前述栅电极可以以与通过前述氧化金属层被除去而露出的前述栅极绝缘层相接的方式形成。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202310259938.4在审
发明人： 渡壁创;津吹将志;佐佐木俊成;田丸尊也 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的课题在于实现高迁移率且可靠性高的半导体器件。本发明的解决方式在于，半导体器件的制造方法中，在基板上形成以铝为主成分的第1氧化金属层，在前述第1氧化金属层上形成氧化物半导体层，在前述氧化物半导体层上形成栅极绝缘层，在前述栅极绝缘层上形成以铝为主成分的第2氧化金属层，在前述栅极绝缘层上形成有前述第2氧化金属层的状态下进行热处理，在前述热处理之后，将前述第2氧化金属层除去，在前述栅极绝缘层上形成栅电极。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制作方法-CN202180094159.2在审
发明人：花田明纮;渡壁创;小野寺凉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：显示装置的半导体器件包括：绝缘表面上的第一导电层；第一导电层上的第一绝缘层；第一绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的第二导电层；和氧化物半导体层上的第三导电层，氧化物半导体层包括：第一区域；与第二导电层相接的第二区域；与第三导电层相接的第三区域；与第二导电层相接的、第一区域与第二区域之间的第一杂质区域；和与第三导电层相接的、第一区域与第三区域之间的第二杂质区域，第一杂质区域和第二杂质区域各自的电导率大于第二区域和第三区域各自的电导率。
半导体器件制作方法

[发明专利]显示装置-CN202310111983.5在审
发明人：津吹将志;境武志;三浦健太郎;渡壁创;田丸尊也;田畠弘志;梅田豊 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，其目的在于减少显示装置中的显示不均。显示装置包括：发光元件；在发光元件与驱动电源线之间串联连接的第1晶体管以及第2晶体管；与第1晶体管的栅极电极电连接的第3晶体管；以及在第1晶体管的漏极与发光元件之间并联连接的第4晶体管，第1晶体管的沟道宽度W1与沟道长度L1之比(W1/L1比)以及第2晶体管的沟道宽度W2与沟道长度L2之比(W2/L2比)比第3晶体管的沟道宽度W3与沟道长度L3之比(W3/L3比)以及第4晶体管的沟道宽度W4与沟道长度L4之比(W4/L4比)大。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN202180057008.X在审
发明人： 渡壁创;三浦健太郎;津吹将志 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：显示装置包括基板(101)、发光元件(230)、第1晶体管(210A)和第2晶体管(250)，第1晶体管包括设置在基板上的第1栅电极(204_1)、设置在第1栅电极上的第1绝缘膜(206)、设置在第1绝缘膜上并具有与第1栅电极重叠的区域的第1氧化物半导体层(208_1)、设置在第1氧化物半导体层上的第2绝缘膜(212)和设置在第2绝缘膜上的第1导电层(218)，第2晶体管包括设置在基板上的第1绝缘膜、设置在第1绝缘膜上的第2氧化物半导体层(208_2)、设置在第1氧化物半导体层及第2氧化物半导体层上并具有比第1绝缘膜的膜厚小的膜厚的第2绝缘膜、和设置在第2绝缘膜上并具有与第2氧化物半导体层重叠的区域的第2栅电极(214)。
显示装置

[发明专利]半导体装置-CN202210085605.X在审
发明人： 渡壁创;三浦健太郎;花田明纮 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体装置具备：多晶硅半导体；配置于多晶硅半导体之上的中间绝缘层；配置于中间绝缘层之上的氧化物半导体；配置于中间绝缘层之上及氧化物半导体之上的第二绝缘层；配置于第二绝缘层之上并位于氧化物半导体正上方的栅极电极；第一导电层，经由贯通中间绝缘层及第二绝缘层的第一接触孔与多晶硅半导体接触，经由贯通第二绝缘层的第二接触孔与氧化物半导体接触；以及第二导电层，在第一接触孔和第二接触孔之间与第一导电层层叠，第一导电层具有从第二接触孔向栅极电极延伸的延伸部，第二导电层不层叠于延伸部，第一导电层的膜厚小于第二导电层的膜厚。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202111367388.5在审
发明人：花田明纮;渡壁创;海东拓生;小野寺凉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其提高包含使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和第1金属层，其与所述氧化物半导体层接触，并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080065097.8在审
发明人：花田明纮;海东拓生;渡壁创 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的课题为在使用了氧化物半导体TFT的半导体装置中防止由金属电极夺取氧化物半导体膜的氧而导致的TFT的特性变动。为了解决该课题，本发明采取如下结构。半导体装置的特征在于，具有TFT，该TFT在栅极电极(104)之上形成有栅极绝缘膜(105)，在上述栅极绝缘膜(105)之上形成有氧化物半导体膜(106)，上述氧化物半导体膜(106)具有沟道区域(1061)、漏极区域(1063)、源极区域(1064)，俯视下，在上述栅极电极的上表面，在与上述氧化物半导体膜(106)的上述沟道区域(1061)相对的部分，形成有金属氮化膜(10)，上述栅极电极(104)的上表面的一部分不存在上述金属氮化膜(10)。
半导体装置

[实用新型]半导体器件-CN202021144125.9有效
发明人：神内纪秀;渡壁创;小野寺凉;花田明纮 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，在其基片之上，多条扫描线(11)相互平行地在第一方向上延伸，多条信号线(12)相互平行地在作为与上述第一方向交叉的方向的第二方向上延伸，在由上述扫描线(11)和上述信号线(12)包围的区域配置有第一电极(115)，上述第一电极(115)是通过将由第一氧化物半导体(103)构成的第一TFT和由第二氧化物半导体(103)构成的第二TFT串联连接而成的结构来控制的，上述第一氧化物半导体(103)和上述第二氧化物半导体(103)隔开间隔地配置。根据本实用新型，在使用基于氧化物半导体的TFT的半导体器件中，能够防止因杂质等的影响而使TFT发生导通不良。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201710324502.3有效
发明人：佐佐木俊成;渡壁创;花田明纮;盐川真里奈 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有：氧化物半导体层；氧化物半导体层的上方的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于第1绝缘层上，包含铝层，经由第1开口部电连接于氧化物半导体层；阻挡层，将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及阻挡层上的有机绝缘层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710022300.3有效
发明人：花田明纮;渡壁创;渡部一史 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；位于所述绝缘基板的上方的硅制的第一半导体层；位于比所述第一半导体层靠上方的位置的金属氧化物制的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的硅氮化物制的第一绝缘膜；以及位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间、且与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低的阻挡层。
半导体装置

[发明专利]显示装置及半导体器件-CN202010081137.X在审
发明人：神内纪秀;渡壁创;花田明纮;小野寺凉;铃村功 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。
显示装置半导体器件

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202010082372.9在审
发明人：铃村功;神内纪秀;渡壁创;花田明纮;小野寺凉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。
半导体器件制造方法

[实用新型]显示装置-CN201721172053.7有效
发明人：铃村功;渡壁创;花田明纮;渡边裕一 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置，显示装置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102)，在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105)，在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。
显示装置

[发明专利]薄膜晶体管-CN201611252352.1在审
发明人： 渡壁创;有吉知幸;花田明纮 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：根据本实施方式，薄膜晶体管具备第1绝缘膜、设置在上述第1绝缘膜之上的氧化物半导体层、设置在上述氧化物半导体层之上的第2绝缘膜，上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的至少一方具有与上述氧化物半导体层接触的第1区域、和比上述第1区域更远离上述氧化物半导体层的第2区域，上述第2区域具有比上述第1区域高的氩浓度。
薄膜晶体管

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