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- [发明专利]显示装置-CN201880086103.0有效
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花田明纮;伊藤友幸
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株式会社日本显示器
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2018-12-04
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2023-04-04
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G09F9/30
- 本发明的课题为，在使用了聚酰亚胺基板的显示装置中，抑制由基板带电引起的TFT的特性变动。本发明的概要为一种显示装置，在由树脂形成的基板(100)的一面，存在由氧化物半导体(107)形成的第一TFT与由第一多晶硅(102)形成的第二TFT，其特征在于，所述第一TFT与所述第二TFT形成于俯视观察时不同的部位，所述第二TFT与所述第一TFT相比，形成为在剖视观察时更靠近所述基板(100)，所述氧化物半导体(107)具有沟道长度与沟道宽度，在所述氧化物半导体(107)与所述基板(100)之间存在第二多晶硅(50)，该第二多晶硅(50)由与所述第一多晶硅(102)相同的材料形成，并形成在与形成有所述第一多晶硅(100)的层相同的层之上。
- 显示装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210811994.X在审
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金子寿辉;花田明纮
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株式会社日本显示器
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2022-07-11
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2023-01-17
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H01L29/786
- 本发明涉及半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备：绝缘基板、配置于上述绝缘基板上的栅极、覆盖上述栅极的第一绝缘层、在上述栅极的正上方且配置于上述第一绝缘层上的氧化物半导体、与上述氧化物半导体相接的源极、以及与上述氧化物半导体相接的漏极，上述源极及上述漏极各自具备：与上述氧化物半导体相接的氧化物导电层、层叠于上述氧化物导电层上的第一金属层、由与上述第一金属层不同的材料形成且层叠于上述第一金属层上的第二金属层、以及由与上述第一金属层同一材料形成且层叠于上述第二金属层上的第三金属层。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210085605.X在审
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渡壁创;三浦健太郎;花田明纮
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株式会社日本显示器
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2022-01-25
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2022-07-26
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H01L27/12
- 根据一个实施方式，半导体装置具备：多晶硅半导体；配置于多晶硅半导体之上的中间绝缘层；配置于中间绝缘层之上的氧化物半导体；配置于中间绝缘层之上及氧化物半导体之上的第二绝缘层；配置于第二绝缘层之上并位于氧化物半导体正上方的栅极电极；第一导电层，经由贯通中间绝缘层及第二绝缘层的第一接触孔与多晶硅半导体接触，经由贯通第二绝缘层的第二接触孔与氧化物半导体接触；以及第二导电层，在第一接触孔和第二接触孔之间与第一导电层层叠，第一导电层具有从第二接触孔向栅极电极延伸的延伸部，第二导电层不层叠于延伸部，第一导电层的膜厚小于第二导电层的膜厚。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202111367815.X在审
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花田明纮;海东拓生
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株式会社日本显示器
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2021-11-18
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2022-06-03
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H01L27/12
- 本发明提供一种半导体装置，抑制薄膜晶体管的占用面积并提高半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和与所述氧化物半导体层接触，并且以横穿所述氧化物半导体层的方式配置在所述源极电极与所述漏极电极之间的n(n为自然数)个金属层，在俯视时，所述氧化物半导体层在所述源极电极与所述漏极电极之间具有(n+1)个沟道区域。
- 半导体装置
- [发明专利]显示装置-CN202111242644.8在审
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金子寿辉;花田明纮
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株式会社日本显示器
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2021-10-25
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2022-05-13
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H01L27/12
- 一种显示装置，具备：第一栅电极，配置于周边区域，且包含于栅极驱动器；第二栅电极，配置于显示区域，且与由栅极驱动器驱动的栅极线一体；第一氧化物半导体，配置于第一栅电极的上方；第二氧化物半导体，配置于第二栅电极的上方；第一源电极，在第二绝缘膜的第一开口处与第一氧化物半导体接触；第一漏电极，在第二绝缘膜的第二开口处与第一氧化物半导体接触；第二源电极，在第二绝缘膜的第三开口处与第二氧化物半导体接触；以及第二漏电极，在第二绝缘膜的第四开口处与第二氧化物半导体接触，第一开口与第二开口之间的第二绝缘膜和第一源电极的层叠体的长度大于第三开口与第四开口之间的第二绝缘膜和第二源电极的层叠体的长度。
- 显示装置
- [发明专利]半导体装置-CN202080065097.8在审
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花田明纮;海东拓生;渡壁创
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株式会社日本显示器
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2020-09-16
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2022-05-10
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H01L29/786
- 本发明的课题为在使用了氧化物半导体TFT的半导体装置中防止由金属电极夺取氧化物半导体膜的氧而导致的TFT的特性变动。为了解决该课题，本发明采取如下结构。半导体装置的特征在于，具有TFT，该TFT在栅极电极(104)之上形成有栅极绝缘膜(105)，在上述栅极绝缘膜(105)之上形成有氧化物半导体膜(106)，上述氧化物半导体膜(106)具有沟道区域(1061)、漏极区域(1063)、源极区域(1064)，俯视下，在上述栅极电极的上表面，在与上述氧化物半导体膜(106)的上述沟道区域(1061)相对的部分，形成有金属氮化膜(10)，上述栅极电极(104)的上表面的一部分不存在上述金属氮化膜(10)。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202080056742.X在审
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花田明纮;海东拓生;津吹将志
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株式会社日本显示器
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2020-07-30
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2022-03-29
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H01L29/786
- 本发明的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管(TFT)中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明的代表手段如下所述。半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域1042、漏极区域1043，和处于上述沟道区域与上述源极区域及上述漏极区域之间的LDD(Lightly Doped Drain)区域1041，上述LDD区域1041的电阻率比上述沟道区域的电阻率小、比上述源极区域或上述漏极区域的电阻率大，源电极108与上述源极区域1042重叠地形成，漏电极109与上述漏极区域1043重叠地形成，上述氧化物半导体的上述LDD区域1041的厚度大于上述沟道区域104的厚度。
- 半导体器件
- [实用新型]半导体器件-CN202021144125.9有效
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神内纪秀;渡壁创;小野寺凉;花田明纮
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株式会社日本显示器
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2020-06-19
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2021-02-19
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G02F1/1362
- 本实用新型提供一种半导体器件，在其基片之上，多条扫描线(11)相互平行地在第一方向上延伸，多条信号线(12)相互平行地在作为与上述第一方向交叉的方向的第二方向上延伸，在由上述扫描线(11)和上述信号线(12)包围的区域配置有第一电极(115)，上述第一电极(115)是通过将由第一氧化物半导体(103)构成的第一TFT和由第二氧化物半导体(103)构成的第二TFT串联连接而成的结构来控制的，上述第一氧化物半导体(103)和上述第二氧化物半导体(103)隔开间隔地配置。根据本实用新型，在使用基于氧化物半导体的TFT的半导体器件中，能够防止因杂质等的影响而使TFT发生导通不良。
- 半导体器件
- [实用新型]半导体装置-CN202020529398.9有效
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小野寺凉;花田明纮;田中仁
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株式会社日本显示器
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2020-04-10
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2021-02-02
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H01L27/12
- 本实用新型涉及半导体装置。课题为在使用由多晶硅形成的TFT和由氧化物半导体形成的TFT的半导体装置中，能够减少层数并降低制造成本。解决手段为半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅(102)形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体(108)形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，半导体装置的特征在于，构成所述第一TFT的第一栅电极(104)由与所述氧化物半导体的源极及漏极相同的材料形成。
- 半导体装置
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