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[发明专利]基片加热装置、基片加热方法和基片加热部的制造方法-CN202210120470.6在审
发明人： 波多野达夫;渡边直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种温度控制性良好且不易产生由热冲击引起的损伤的基片加热装置、基片加热方法和基片加热部的制造方法。在进行基片处理的处理容器内对基片进行加热的基片加热装置包括：基片加热部，其具有载置基片的载置面，利用加热器对载置于载置面的基片进行加热；护套部，其被设置成隔着冷却空间覆盖基片加热部的底部；和对冷却空间供给冷却气体的冷却气体供给部。
加热装置方法制造

[发明专利]基板搬送装置、基板搬送方法以及基板处理系统-CN202210001965.7在审
发明人： 波多野达夫;渡边直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供一种基板搬送装置、基板搬送方法以及基板处理系统。基板搬送装置具有：搬送单元，其具有用于保持基板的基板保持部、内部具有多个磁体来用于使基板保持部移动的基部、以及将基板保持部与基部连结的连杆构件；以及平面马达，其具有主体部、排列在主体部内的多个电磁线圈、以及向电磁线圈供电来使基部磁悬浮并且对所述基部进行直线驱动的直线驱动部。基部具有第一构件、以及以能够旋转的方式设置于第一构件内的第二构件，在第一构件和第二构件的内部设置有磁体，连杆构件以能够旋转的方式与第二构件连结，直线驱动部用于使第二构件相对于第一构件旋转，来使基板保持部经由连杆构件伸缩。
基板搬送装置方法以及处理系统

[发明专利]基板搬送装置、基板搬送方法以及基板处理系统-CN202210002402.X在审
发明人： 波多野达夫;渡边直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开涉及一种基板搬送装置、基板搬送方法以及基板处理系统，能够使用平面马达来以高位置精度向处理室内的搬送位置搬送基板。用于搬送基板的基板搬送装置具有：搬送单元，其具有用于保持基板的基板保持部以及内部具有磁体来用于使基板保持部移动的基部；平面马达，其具有主体部、排列在主体部内的多个电磁线圈、以及向电磁线圈供电来使所述基部磁悬浮并且对所述基部进行直线驱动的直线驱动部；基板检测传感器，其在保持于基板保持部的基板通过时检测基板；以及搬送控制部，其基于基板检测传感器的检测数据来运算保持于基板保持部的基板的实际位置，并计算所述实际位置相对于所设定的逻辑位置的校正值，基于该校正值来修正基板的搬送位置。
基板搬送装置方法以及处理系统

[发明专利]基板输送装置和基板处理系统-CN202080080931.0在审
发明人： 波多野达夫;宫下哲也;渡边直树;铃木直行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：提供一种输送基板的基板输送装置。本公开的一技术方案的基板输送装置包括：平面马达，其设于输送室，并具有排列着的线圈；输送单元，其在所述平面马达上移动；以及控制部，其控制所述线圈的通电，所述输送单元包括：两个基座，其具有排列着的磁体，并在所述平面马达上移动；基板支承构件，其用于支承基板；以及连杆机构，其将所述基板支承构件和两个所述基座连结。
输送装置处理系统

[发明专利]基板输送装置和基板处理系统-CN202080080938.2在审
发明人： 波多野达夫;宫下哲也;渡边直树;铃木直行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H02K41/03 文献下载
摘要：提供一种输送基板的基板输送装置。基板输送装置包括：第1平面马达，其设于第1室，并具有排列着的线圈；第2平面马达，其设于与所述第1室连接的第2室，并具有排列着的线圈；一对输送单元，其在所述第1平面马达和/或所述第2平面马达上移动，并能够输送基板；以及控制部，其控制所述第1平面马达和所述第2平面马达的线圈的通电。
输送装置处理系统

[发明专利]真空搬送装置、基板处理系统和基板处理方法-CN202110832495.4在审
发明人： 波多野达夫;渡边直树;宫下哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开涉及一种真空搬送装置、基板处理系统和基板处理方法。真空搬送装置具备：平面马达，其具有主体部、排列于主体部内的多个电磁线圈、以及向电磁线圈供电并控制供电的电流的电流控制部；搬送单元，其具有基板保持部和基部，所述基板保持部保持基板，所述基部构成为在基部的内部排列有多个磁体，所述基部利用通过向电磁线圈供电生成的磁场来从主体部表面磁悬浮，并且在磁悬浮的状态下移动来使基板保持部移动；以及温度调整机构，其对主体部的至少一部分进行温度调整，其中，由电流控制部控制对电磁线圈供电的电流来使基部停止磁悬浮，以使基部与主体部的被温度调整后的部分接触，由此对搬送单元进行温度调整。
真空装置处理系统方法

[发明专利]真空输送装置和基板处理系统-CN202110767249.5在审
发明人： 波多野达夫;渡边直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供能够以简单的构造抑制从高温的基板向真空密封部、机构部的热的影响的真空输送装置和基板处理系统。在真空中输送高温的基板的真空输送装置包括：主体部，其包括真空密封部和在内部具有机构部的臂部；基板保持部，其与所述主体部连接，用于保持基板；热输送构件，其设于所述主体部的表面，由沿面方向的热导率比构成所述主体部的材料的沿面方向的热导率高的材料构成，用于输送从所述基板传递至所述基板保持部的热；以及散热部，其对在所述热输送构件中输送来的热进行散热。
真空输送装置处理系统

[发明专利]加热装置、加热方法以及基板处理装置-CN202010566187.7在审
发明人：池田太郎;渡边直树;波多野达夫;山本伸彦;镰田英纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H05B6/64 文献下载
摘要：本发明提供一种加热装置、加热方法以及基板处理装置。对加热对象物进行加热的加热装置具备：加热构件，其包括电磁波吸收体，并且对加热对象物进行支承；电磁波照射部，其向加热构件的与支承加热对象物的面相反一侧的照射面照射电磁波；以及控制部。电磁波照射部具有：电磁波输出部，其输出电磁波；以及天线单元，其构成相控阵天线，天线单元具有多个天线模块，所述多个天线模块具有放射电磁波的天线以及调整从天线放射出的电磁波的相位的移相器，控制部控制多个天线模块的移相器，以使从多个天线放射出的电磁波的相位通过干涉而聚集于加热构件的任意的部分，并且控制部控制多个天线模块的移相器，以使电磁波的聚集部分在加热构件的照射面处扫描。
加热装置方法以及处理

[发明专利]磁控溅射装置和磁控溅射方法-CN201210376114.7有效
发明人：水野茂;户岛宏至;五味淳;宫下哲也;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。
磁控溅射装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180027424.1无效
发明人：石坂忠大;佐久间隆;波多野达夫;横山敦;五味淳;安室千晃;福岛利彦;户岛宏至;川又诚也;水泽宁;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。
方法装置

[发明专利]Cu配线的形成方法-CN201080018603.4无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;横山敦;石坂忠大;安室千晃;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。
cu 形成方法

[发明专利]CVD-Ru膜的形成方法和半导体装置的制造方法-CN201080011219.1无效
发明人：加藤多佳良;水泽宁;波多野达夫;五味淳;安室千晃;横山敦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：通过使用含有有机金属化合物的成膜原料并通过CVD在基板上形成Ru膜的工序和对形成有上述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序，形成CVD-Ru膜。
cvd ru 形成方法半导体装置制造

[发明专利]载置台结构、成膜装置和原料回收方法-CN201080010695.1无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;多贺敏;安室千晃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内，使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构，其特征在于，具备：载置台主体，载置被处理体并且在内部设置有加热器；和基台，以包围上述载置台主体的侧面和底面的状态支撑上述载置台主体，并且在内部设置有流通致冷剂的致冷剂通路，维持在低于原料气体的分解温度且在原料气体的凝固温度或液化温度以上的温度范围。
载置台结构装置原料回收方法

[发明专利]金属回收方法、金属回收装置、排气系统及使用其的成膜装置-CN200980130242.X无效
发明人：原正道;五味淳;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B01D53/64 文献下载
摘要：一种金属回收装置(66)，其从用由有机金属化合物原料形成的原料气体而在被处理体的表面上形成薄膜的处理容器(10)所排出的排气气体中回收金属成分，将排气气体进行除害。金属回收装置具有：捕集单元(80)，其具有捕集部件，所述捕集部件构成为，加热所述排气气体，使排气气体中含有的未反应的原料气体热分解，将原料气体中含有的金属成分附着；除害单元(82)，其具有氧化通过捕集单元的排气气体中含有的有害气体成分而进行除害的催化剂(100)。
金属回收方法装置排气系统使用

[发明专利]原料回收方法及用于原料回收的收集机构-CN200980130137.6无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;安室千晃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种原料回收方法，该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料，在处理容器中，使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体，在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜，其特征在于，该原料回收方法具有：凝固工序，通过使上述排出气体与上述制冷剂接触而进行冷却，使未反应的原料气体凝固，并再次析出上述原料；回收工序，其从上述制冷剂中分离并回收在上述凝固工序中再次析出的上述原料。
原料回收方法用于收集机构

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