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[发明专利]载置台构造-CN200980129915.X无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。
载置台构造

[发明专利]成膜方法及成膜装置、计算机可读存储介质-CN200980110270.5有效
发明人：原正道;水泽宁;多贺敏;五味淳;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。
方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置-CN201010244028.1无效
发明人：池田太郎;水泽宁;波多野达夫;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。
金属膜薄膜沉积方法装置

[发明专利]成膜方法和处理系统-CN200880022486.1有效
发明人：池田太郎;若林哲;成嶋健索;波多野达夫;水泽宁;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。
方法处理系统

[发明专利]使用羰基原料的金属膜的成膜方法、多层配线构造的形成方法、半导体装置的制造方法、成膜装置-CN200880010346.2无效
发明人：原正道;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供使用羰基原料的金属膜的成膜方法、多层配线构造的形成方法、半导体装置的制造方法、成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：第一工序，将金属元素的羰基原料以气相分子的形态与抑制上述气相分子的分解的气相成分一起供给至被处理基板表面，其中，将上述气相成分的分压设定为抑制上述羰基气相原料分子的分解的第一分压；和第二工序，使上述气相成分的分压在上述被处理基板表面变化为产生上述羰基原料的分解的第二分压，使上述金属元素沉积在上述被处理基板表面。
使用羰基原料金属膜方法多层构造形成半导体装置制造

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200880000148.8有效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;横山敦;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。
方法装置

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质-CN200780027573.1无效
发明人：小岛康彦;池田太郎;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层(衬底膜)(13)所覆盖的基板(晶片W)载置在处理容器内。在开始供给水蒸气的同时或者之后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)构成的原料气体，在通过水蒸气而形成有氧化物层(13a)的隔离金属层(13)的表面形成铜膜。接着，对该晶片(W)实施热处理，使氧化物层(13a)转化成构成隔离金属层(13)的金属和铜的合金层(13b)。
半导体装置制造方法计算机程序以及存储介质

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200780025177.5无效
发明人：小岛康彦;池田太郎;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：将基板载置在密封状态的处理容器内的基板载置工序；向上述处理容器内供给水蒸气，并向上述处理容器内供给由铜的有机化合物组成的原料气体，在上述基板上形成铜的紧贴层的第一成膜工序；将上述处理容器内的水蒸气和原料气体排出的排出工序；以及向上述处理容器内仅再次供给上述原料气体，在上述紧贴层之上进一步形成铜膜的第二成膜工序。
方法装置

[发明专利]成膜方法、成膜装置和存储介质-CN200780014788.X无效
发明人：佐久间隆;横山敦;池田太郎;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。
方法装置存储介质

[发明专利]成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质-CN200780012765.5无效
发明人：佐久间隆;池田太郎;横山敦;松田司;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。
方法等离子体装置存储介质

[发明专利]种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质-CN200780004018.7无效
发明人：佐久间隆;池田太郎;横山敦;松田司;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。
方法等离子体装置存储介质

[发明专利]金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置-CN200680023575.9在审
发明人：池田太郎;水泽宁;波多野达夫;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明是金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。
金属膜薄膜沉积方法装置

[发明专利]等离子体溅射成膜方法及成膜装置-CN200580035895.1有效
发明人：池田太郎;铃木健二;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。
等离子体溅射方法装置

[发明专利]等离子体溅射成膜方法和成膜装置-CN200580035907.0无效
发明人：铃木健二;池田太郎;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。
等离子体溅射方法装置

[发明专利]利用间歇前驱气流工艺形成金属层的方法-CN200480028497.2有效
发明人：山崎英亮;松田司;五味淳;波多野达夫;立花光博;松泽兴明;河野有美子;格特·J·莱乌辛克;芬顿·R·麦克非利;桑德拉·G·马尔霍特拉;安德鲁·H·西蒙;约翰·J·尤尔坎斯 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属－羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。
利用间歇前驱气流工艺形成金属方法