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[发明专利]一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备-CN201910611206.0有效
发明人：张佳磊;薛宏伟;任丽翠 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备，方法包括：获取待测外延片的外延层的掺杂浓度；根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率；获取外延层中外层的偏压深度和所述外延层中内层的偏压深度；根据外层的偏压深度和标准电阻率，计算测量外层电阻率时所加的外层电压；根据内层的偏压深度和标准电阻率，计算测量内层电阻率时所加的内层电压；利用外层电压测试外层的实际电阻率，利用内层电压测试内层的实际电阻率。本发明能分别准确测量外延层中内层的电阻率和外层的电阻率，保证了芯片的质量。
一种外延电阻率测试方法系统终端设备

[发明专利]硅外延片及其制备方法-CN201710187931.0有效
发明人：高国智;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;吴会旺;张绪刚 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅外延片及其制备方法，涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层；在所述低阻外延层的上表面每5μm‑10μm生长一层线性渐变外延层，生长时计算所述渐变外延层的线性阻值对应的掺杂流量进行掺杂；在最外层的线性渐变外延层的上表面生长高阻外延层。本发明所述外延片的内层外延层包括两层以上的线性渐变外延层，线性渐变外延层采用多层生长，层间有微量掺杂优先进入反应腔室改变外延生长环境，同时使用流量同时渐变（Ramp）的方法，不仅能提高器件的软度因子，还能保持器件原有的电学特性，完全实现过渡区线性分布参数可控，且重复性、一致性强。
外延及其制备方法

[发明专利]PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法-CN201910695641.6有效
发明人：高卫;李召永;王建江;王毅;赵丽霞;吴会旺;陈秉克 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种PVT法制备碳化硅用坩埚，属于晶体生长技术领域，包括底板；顶盖；以及至少两个筒体，同轴设置且由下至上依次排布，相邻两个筒体可拆卸连接，至少两个筒体组装成坩埚筒，且至少两个筒体的电阻率不完全相同；其中，位于最下方的筒体与底板可拆卸连接，位于最上方的筒体与顶盖可拆卸连接；各筒体分别为石墨筒体；底板、坩埚筒和顶盖围成反应腔；任一筒体被替换为电阻率不同于该筒体的另一筒体时，反应腔内与该筒体对应区域的温度发生相应改变。本发明还提供了一种调节坩埚温度场的方法。本发明提供的PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法，实现了温度场的快速简易定向调节。
pvt 法制碳化硅坩埚调节温度场方法

[发明专利]改善外延片滑片的装置及方法-CN202010260219.0在审
发明人：魏桂忠;陈秉克;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;任丽翠;任永升;霍晓阳 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了改善外延片滑片的装置及方法，属于外延片制造技术领域，改善外延片滑片的装置包括基座，基座上端面设有载片槽；基座的上方设置有机械手盘，机械手盘上设置有用于负压吸附外延片的吸气通路，机械手盘上还设置有用于向机械手盘内充入气体的充气通路；外延片在充气通路充入的气体压力作用下落入所述载片槽内。改善外延片滑片的方法采用了上述装置。本发明提供的改善外延片滑片的装置和方法增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，避免了外延片在载片槽内的滑动，提高了外延片厚度和电阻率的均匀性。
改善外延片滑片装置方法

[实用新型]用于碳化硅外延生长的石墨基座-CN201921447188.9有效
发明人：杨龙;赵丽霞;吴会旺;李伟峰;陈秉克 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体以及嵌块，基座本体顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，片槽的侧壁上开设有连通片槽与基座本体外部空间的凹槽；片槽的侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的弧形部相接，嵌块嵌设于凹槽内；嵌块与基座本体可拆卸连接；嵌块的内侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的参考面部相接，清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将嵌块和基座本体分开清理。本实用新型提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座，作业人员清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座的过程中不易对该用于碳化硅外延生长的石墨基座造成损伤，延长了使用寿命。
用于碳化硅外延生长石墨基座

[实用新型]一种碳化硅籽晶粘贴加压机构-CN201920946844.3有效
发明人：刘英斌;肖凌;吴会旺;李胜华;赵丽霞;陈秉克 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅籽晶粘贴加压机构，属于晶片加工技术领域，包括设有支架的底座，用于对碳化硅籽晶加压的加压部，用于驱动所述加压部动作的驱动部和用于控制所述驱动部向所述加压板施加压力的控制部。本实用新型提供的一种碳化硅籽晶粘贴加压机构，控制部能控制驱动部施加于加压部的压力值，并可在控制部上设定对工件加压随时间变化的加压参数，使压力大小随时间变化，可连续准确的调整压力值，实现了工件脱气在不同温度下的压力变化，压力可连续调节，籽晶的粘贴效果好。
一种碳化硅籽晶粘贴加压机构

[实用新型]一种装片定位装置-CN201921183874.X有效
发明人：魏桂忠;陈秉克;薛宏伟;刘福海;任丽翠 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G05D3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装片定位装置，包括：基座；片槽，设置在所述基座上；定位槽，设置在所述基座上，所述定位槽与所述片槽对应设置；信号采集装置，设置在所述基座上方，用于确定所述定位槽的位置，所述定位槽的位置用于确定待装片的片槽的位置。通过在基座上设置与片槽相对应的定位槽，并通过信号采集装置采集定位槽的位置，通过定位槽的位置确定片槽的位置，能更精确的确定片槽位置，避免装片时装偏。
一种定位装置

[发明专利]碳化硅缓冲层电阻率的测试方法-CN201911101363.3在审
发明人：赵丽霞;杨龙;吴会旺 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明适用于碳化硅外延生长技术领域，提供了一种碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，该方法包括：在碳化硅衬底上的预设位置测量碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；在与预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的电阻，获得第二厚度以及方块电阻，碳化硅片为在碳化硅衬底上生长缓冲层获得的样品；根据碳化硅衬底的厚度、碳化硅片的厚度以及方块电阻，计算获得缓冲层的电阻率，从而可以快速、准确地获得缓冲层的电阻率，本实施例采用的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法具有无损、简单、快速和准确性高的优点。
碳化硅缓冲层碳化硅片电阻率衬底方块电阻预设位置测量碳化硅外延测试生长电阻无损

[发明专利]基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法-CN201710591157.X有效
发明人：张佳磊;薛宏伟;张志勤;王铁刚 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；将处理后的所述外延片在纯水中进行第一清洗；将经过所述第一清洗的所述外延片在氢氟酸溶液中漂洗；将漂洗后的所述外延片在纯水中进行第二清洗；将经过所述第二清洗的所述外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间；再将所述外延片在纯水中进行第三清洗；再通过氮气将所述外延片吹干；最后使用汞探针电容电压法测量装置测量所述外延片。本发明能够使测量结果准确。
基于超级衬底外延电阻率测量方法

[发明专利]8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及应用-CN201710093514.X有效
发明人：张志勤;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;任丽翠;米姣 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及在低压MOS器件中的应用，属于半导体外延材料的制备技术领域，外延片厚度在20um以内，电阻率在0‑2Ω.cm之间；外延片厚度分布为中心向边缘逐渐变厚，电阻率分布为中心向边缘逐渐走高；最低点为中心，最高点在距边缘10mm处和距边缘6mm处，在上述两处外延片的厚度和电阻率均大于半径1/2处，在6mm处外延片厚度和电阻率的测试值的最小值均高于中心值以及半径1/2处的均值，外延片的电阻率均匀性在2%‑3%之间，外延片的厚度均匀性在1%‑2%之间，通过本发明提供的均匀性控方法获得的外延片，漏源击穿电压离散性明显小于常规外延片的离散性，用于低压MOS器件加工，可以明显改善击穿电压片内的离散性。
英寸薄层外延均匀控制方法应用

[实用新型]一种外延炉托盘基座-CN201821905867.1有效
发明人：周晓龙 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种外延炉托盘基座，属于半导体化学气相沉积设备领域，包括基础圆环、设置在基础圆环上用于固定6英寸晶片衬底的外定位圆环以及可拆卸连接在外定位圆环上的用于固定4英寸晶片衬底的内定位圆环，基础圆环的上端面的内侧设有凸出于基础圆环的上端面的定位环，外定位圆环通过定位环配装在基础圆环的上端面，外定位圆环的厚度大于定位环的高度，内定位圆环配装在外定位圆环的内侧且位于定位环的上端。本实用新型提供的一种外延炉托盘基座，4英寸和6英寸两种尺寸晶片能够通用，即便存在污染物、破损或超过使用寿命时，可以单独清理或更换。
定位圆环圆环定位环托盘基座外延炉上端本实用新型衬底晶片配装气相沉积设备半导体化学可拆卸连接尺寸晶片使用寿命上端面破损污染物通用

[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘贴方法-CN201910542933.6在审
发明人：肖凌;吴会旺;赵丽霞;陈秉克 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅籽晶的粘贴方法，包括：将高温胶薄膜铺在石墨平板上；将碳化硅籽晶置于高温胶薄膜上，对碳化硅籽晶施加2～4kgf/cm²的压力使其与高温胶薄膜贴合；在真空条件下，碳化硅籽晶及高温胶薄膜升温至250～350℃，保温2.5～3.5h，然后将对碳化硅籽晶施加的压力升至10～50kgf/cm²，继续升温至700～800℃，保温2.5～3.5h，然后在惰性气体气氛下，继续升温至1000～1200℃；降温，完成籽晶粘贴。本方法操作简便，可对籽晶背面提供足够的保护，还能减少胶体收缩产生的气孔，解决粘接工艺中涂胶不匀或胶水中气泡排不干净的问题，减少籽晶背面升华造成的六方孔洞。
碳化硅籽晶高温胶粘贴薄膜籽晶背面保温孔洞施加惰性气体气氛薄膜贴合石墨平板真空条件胶水压力升涂胶粘接籽晶收缩升华

[发明专利]用于碳化硅单晶生长的坩埚盖、坩埚及单晶生长的方法-CN201910542390.8在审
发明人：赵丽霞;吴会旺;李胜华;刘英斌;陈秉克 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及用于碳化硅单晶生长的坩埚盖、坩埚及单晶生长的方法，坩埚盖，包括盖体，所述盖体顶部设有空腔，所述空腔内设有调节体，所述调节体顶部设有提拉机构，所述提拉机构带动所述调节体运动。坩埚盖上设有空腔及调节体，在单晶生长阶段可以改变空腔的体积，进而来调节籽晶的径向及轴向温度梯度，从而实现调整晶体形貌，最终实现生长过程中对晶体应力的调节，抑制晶体早期相变，维持晶体稳定生长。使用本发明生长碳化硅晶体，能够实现不同阶段对保温的单独精确调节，减少了目前通用的单纯调整顶部保温毯带来的不稳定性，从而可以实现生长过程中温度梯度可控，进而实现对晶体外形的精确调节。
调节体坩埚盖单晶生长生长碳化硅单晶生长过程提拉机构空腔坩埚轴向温度梯度碳化硅晶体不稳定性盖体顶部晶体外形晶体形貌温度梯度保温毯通用的盖体可控籽晶保温

[发明专利]一种碳化硅晶体高温退火处理方法-CN201811621969.5在审
发明人：赵丽霞 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体高温退火处理方法，属于碳化硅晶体生长结束后处理领域，包括以下步骤：在碳化硅晶体表面制作保护膜；将带有保护膜的碳化硅晶体放入石墨坩埚，高温退火。本发明实施例中的保护膜可以防止晶体在高温下出现蒸发升华，以及在表面产生冷凝的结晶粒，更有效了保护了晶体的完整性，降低了因在晶体表面结晶而产生的局部应力。
碳化硅晶体高温退火保护膜后处理晶体表面局部应力石墨坩埚结晶粒晶体的冷凝放入蒸发升华生长制作

[实用新型]一种多功能圆规-CN201820148925.4有效
发明人：刘英斌;赵丽霞;吴会旺;李龙远;李胜华 -专利权人： 河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： B25H7/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多功能圆规，属于碳化硅晶体生长辅助材料加工工具技术领域，包括工作台、用于对工作台上的辅材材料表面划线的划针本体、与所述划针本体相连的定心回转机构以及用于调整所述划针本体位置的定位支架，所述定心回转机构与所述定位支架活动连接，所述定位支架固定在所述工作台台面上。本实用新型提供的多功能圆规，划针本体和定心回转机构配合可在辅材材料上直接画圆并进行裁剪，不会对辅材材料造成损坏，结构简单、操作方便、工作效率高。
划针多功能圆规定位支架回转机构定心辅材本实用新型工作台工作效率高碳化硅晶体辅助材料活动连接加工工具画圆裁剪划线生长配合