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- [发明专利]紫外光电探测器及其制备方法-CN202310356611.9在审
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李京波;汪禹;王小周;韩理想;刘传凯;钱昊;刘航瓒
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浙江芯科半导体有限公司
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2023-04-04
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2023-07-21
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H01L31/113
- 本申请公开了紫外光电探测器及其制备方法，其中，紫外光电探测器包括：衬底；缓冲层，位于衬底表面；高阻GaN层，位于缓冲层表面；p‑GaN埋层，位于高阻GaN层表面；n‑‑GaN沟道层，位于p‑GaN埋层表面；AlN插入层，位于n‑‑GaN沟道层表面；Al0.25Ga0.75N隔离层，位于AlN插入层表面；n‑Al0.25Ga0.75N层，位于Al0.25Ga0.75N隔离层表面；p‑GaN帽层，位于n‑Al0.25Ga0.75N层表面，p‑GaN帽层、n‑Al0.25Ga0.75N层和Al0.25Ga0.75N隔离层形成有第一凹口；栅介质层，位于n‑‑GaN沟道层的上表面、p‑GaN帽层的上表面以及第一凹口的表面，栅介质层、p‑GaN帽层以及n‑Al0.25Ga0.75N层形成有两个第二凹口；栅电极，位于第一凹口上；漏电极，位于其中一个第二凹口上；源电极，位于另一个第二凹口上。本申请能够降低暗态电流，增加器件的光开关比，且具有优秀的快速光响应性能。
- 紫外光电探测器及其制备方法
- [发明专利]一种高载流子浓度的PGaN外延片、制备方法及应用-CN202310186924.4在审
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李京波;钱昊;汪禹;王小周
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浙江芯科半导体有限公司
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2023-02-22
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2023-05-30
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H01L33/12
- 本申请公开了一种高载流子浓度的PGaN外延片、制备方法及应用，外延片包括衬底以及依次设置在衬底上的UGaN隔离层、PGaN外延层、PGaN欧姆接触层，PGaN外延层内掺有Mg原子以及O原子。方法包括在MOCVD反应室设置衬底；通入Al源、Ga源以及N源，形成低温的AlGaN缓冲层；在AlGaN缓冲层上形成UGaN隔离层；通入Ga源、N源以及Mg源，形成PGaN外延层，Ga源包括含氧TMGa与普通TMGa；增加Mg源的流量，形成PGaN欧姆接触层。通入含氧的Ga源、N源以及Mg源，使O原子和H原子结合，进而有效破坏Mg‑H络合物；使O原子与Mg原子、Ga原子、N原子结合形成可以在GaN中稳定存在的Mg‑Ga‑O‑N缺陷复合物，以减小GaN的直接带隙宽度，进而降低Mg的激活能，提高载流子浓度，降低电阻率。
- 一种载流子浓度pgan外延制备方法应用
- [发明专利]一种新型P-GaN埋层增强型HEMT器件及其制造方法-CN202310180155.7在审
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李京波;汪禹;刘传凯;王小周;韩理想
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浙江芯科半导体有限公司
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2023-02-20
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2023-05-09
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H01L29/06
- 本申请公开了一种新型GaN埋层增强型HEMT器件及制造方法，器件包括依次堆叠的衬底、第一U‑GaN高阻层、P‑GaN埋层、第二U‑GaN高阻层、U‑AlGaN层、N‑AlGaN层、栅介质层以及电极，AlGaN层上刻蚀形成第一凹槽。方法包括依次形成衬底、第一U‑GaN高阻层、P‑GaN埋层、第二U‑GaN高阻层、U‑AlGaN层以及N‑AlGaN层，在AlGaN层上刻蚀形成第一凹槽，再形成栅介质层以及电极。通过对AlGaN层进行减薄处理，使得AlGaN与GaN界面处的极化较弱，从而使凹槽下方的二维电子气密度降低，以及生产制造时不需要二次外延的U‑GaN/P‑GaN/U‑GaN/AlGaN的外延结构，使得本发明的增强型HEMT器件在栅压为0V时，源漏电流为4.03E‑10A，栅压增加到20V时，源漏电流增加到1.05E‑4A，在0V时能够实现很好的关断效果，开关比也能够达到106量级，能够实现较好的开启效果。
- 一种新型gan增强hemt器件及其制造方法
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