专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202310815440.1在审
  • 张书浩;汪恒 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-17 - H01L21/8238
  • 本公开提供的半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域;于NMOS区域和PMOS区域中形成依次堆叠的栅氧化层、高K介质层和第一功函数调节结构;去除PMOS区域中的第一功函数调节结构;采用氧气或氧等离子体对PMOS区域中的高K介质层进行处理,以减少PMOS区域中的高K介质层中的氧空位;于PMOS区域中的高K介质层上形成第二功函数调节结构;于NMOS区域和PMOS区域形成栅极层和盖层;于NMOS区域形成第一栅极堆叠结构,并同时于PMOS区域形成第二栅极堆叠结构;在第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构的侧壁形成隔离层。本公开能够同时降低NMOS晶体管和PMOS晶体管的阈值电压。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]一种胶原蛋白肽烟酰胺饮品组合物及其制备方法和饮用方法-CN202310793492.3在审
  • 汪恒;汪贻元 - 深圳市海伦生物科技有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-10-03 - A23L2/38
  • 本发明提供一种胶原蛋白肽烟酰胺饮品组合物及其制备方法和饮用方法,该饮品组合物包括以下原料:烟酰胺、胶原蛋白肽、生姜油、沙棘油、多种益生元、甜味剂;多种益生元包括低聚异麦芽糖、低聚半乳糖、低聚果糖、水苏糖、聚葡萄糖;甜味剂包括罗汉果甜苷或甜菊糖苷。本发明将烟酰胺被生姜油、沙棘油乳化的胶原蛋白肽包裹混合,再与胶原蛋白肽包裹,最后和多种益生元科学复配、组合,空腹饮用时,在体液中多种酶、内脂素和内源性核蛋白核苷酸等配合下,以及来自胶原蛋白肽的外源性核蛋白核苷酸,双来源核蛋白核苷酸处于过饱和状态,启动生成NMN或NAD+直达作用部位,协同靶向健康效应放大,迅速、自然调节且不会过量,优于市售烟酰胺饮品或直接饮食NMN。
  • 一种胶原蛋白肽烟酰胺饮品组合及其制备方法饮用
  • [发明专利]曝光机台和曝光方法-CN202310864542.2在审
  • 汪恒 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-13 - 2023-09-29 - G03F7/20
  • 本公开提供了一种曝光机台和曝光方法,该曝光机台包括:温度控制台,用于将晶圆的温度控制在预设温度;机械手,用于将晶圆从温度控制台转移至晶圆工作台;晶圆工作台,用于在对晶圆执行对准和曝光时承载晶圆;晶圆工作台包括多个温度调节单元;温度调节单元用于感测并调节晶圆的局部区域的温度;晶圆的局部区域至少包括晶圆与机械手接触的区域。
  • 曝光机台方法
  • [发明专利]半导体测试结构及半导体参数测试方法-CN202310462222.4有效
  • 姜中鹏;汪恒 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-04-26 - 2023-09-29 - H01L21/66
  • 本公开是关于半导体技术领域,涉及一种半导体测试结构及半导体参数测试方法,该测试结构包括有源层、栅极结构、多各引线组以及导电连接层,其中:有源层包括有源组,有源组包括多个沿第一方向间隔分布的有源区;栅极结构在有源组上的正投影贯穿多个有源区;各引线组分别位于各有源区上,并与有源区接触连接,且各引线组均位于栅极结构的同一侧;导电连接层位于引线组远离有源层的一侧,且包括多个沿第一方向间隔分布的第一导电连接部,第一导电连接部连接于相邻的两个引线组之间,以将各有源区串联。本公开的半导体测试结构可提高引线组的电学参数的测试结果的准确率。
  • 半导体测试结构参数方法
  • [发明专利]一种基于大数据的硬盘故障预测系统及方法-CN202211012989.9有效
  • 李卓兵;李庆博;汪恒 - 江苏臻云技术有限公司
  • 2022-08-23 - 2023-09-26 - G06F11/34
  • 本发明公开了一种基于大数据的硬盘故障预测系统及方法,包括:硬盘数据采集模块、数据库、训练数据管理模块、硬盘筛选模块和硬盘故障预测模块,通过硬盘数据采集模块采集历史训练数据和硬盘的扇区计数变化数据,通过数据库存储采集到的所有数据,通过训练数据管理模块选择最佳间隔时间对训练数据进行采集,筛除部分训练数据,通过硬盘筛选模块建立硬盘故障概率预测模型,对硬盘故障概率进行预测,筛选出需要预测故障时间的硬盘,通过硬盘故障预测模块预测筛选出的硬盘的故障时间,对硬盘的维护时间进行规划,减少无效数据的输入加快了故障预测速度并减少了资源占用,帮助相关人员及时对即将发生故障的硬盘进行设备维护,减少了数据损失。
  • 一种基于数据硬盘故障预测系统方法
  • [发明专利]输入方法、装置、手持读取器和电子设备-CN202310731391.3在审
  • 王晓斐;唐锐;汪恒;吴浩;孙智 - 安徽淘云科技股份有限公司
  • 2023-06-16 - 2023-09-15 - G06F3/0485
  • 本发明提供一种输入方法、装置、手持读取器和电子设备,其中方法包括:展示输入界面,所述输入界面包括可滚动的读音列表,以及覆盖所述读音列表中的至少一个读音字符的指示栏;接收针对所述读音列表的滚动操作,响应于所述滚动操作,滚动所述读音列表,并基于滚动完成后的读音列表确定被覆盖在所述指示栏中的目标读音字符;展示所述目标读音字符下的候选文字;接收针对所述候选文字的输入操作,基于所述输入操作从所述候选文字中确定待输入的目标文字,实现了在较小显示屏幕上通过手动选择拼音的方式完成对待查询文字的轻量级输入,使得通过手持读取器进行查询字词的使用途径更加丰富,进而提升了用户的使用体验。
  • 输入方法装置手持读取器电子设备
  • [发明专利]一种稳定性较高的光触媒异味处理装置-CN202210493763.9有效
  • 汪恒 - 安徽新连动环保科技有限公司
  • 2022-05-07 - 2023-09-12 - B01D53/86
  • 本发明公开了一种稳定性较高的光触媒异味处理装置,包括净化箱,所述净化箱的内部开设有空腔,所述净化箱的正面和背面均开设有与所述空腔连通的输气通道,两个所述输气通道的外端端口上均设置有防尘网,且其中一个所述输气通道内设置有负压风扇,所述空腔的内部设置有若干个流体承载板,所述流体承载板的内部设置有若干个光照灯,所述流体承载板的两侧均开设有流动槽,所述流动槽内设置有若干个阻流条,所述净化箱的顶端内部开设有上液腔,所述上液腔内设置有若干个加热搅拌机构,且所述上液腔的一侧设置有温度传感器。本发明无需涂覆在基材的表面和光触媒无需混合粘合剂,同时充分发挥了光触媒的催化效果,具有适用性强的优点。
  • 一种稳定性触媒异味处理装置
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310815319.9在审
  • 张书浩;汪恒;杨杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-09-08 - H01L29/78
  • 本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。其中,半导体结构,包括:基底结构,基底结构包括源极、漏极和沟道区;栅极结构,位于基底结构上;源极和漏极分别位于栅极结构的两侧,沟道区位于栅极结构的下方;基底结构还包括第一应力层,第一应力层至少位于源极与沟道区之间或至少位于漏极与沟道区之间;其中,至少部分第一应力层位于栅极结构下方;第一应力层的上部和第一应力层的下部对沟道区的应力方向相反。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]界面态测试方法及装置-CN202310620891.X在审
  • 杨杰;汪恒;胡昌龙 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-08-25 - G01R31/26
  • 本公开实施例提供一种平界面态测试方法及装置,针对晶体管界面态测量的应用场景,该界面态测试方法包括:在按照电容电压测试的方式对待测试晶体管进行测试后,获取所述待测试晶体管衬底输出的直流电流;计算在积累区的所述直流电流与时间的积分,得到注入电荷量;提取在所述积累区的所述直流电流中与测试电压呈线性关系的氧化层漏电流,并计算所述氧化层漏电流与时间的积分,得到氧化层漏电量;基于所述注入电荷量和所述氧化层漏电量,确定所述待测试晶体管的界面态电量。实现了将界面态测试耦合至电容电压测试,测试方式简单、易于实施,且节省了测试资源,降低了测试成本。
  • 界面测试方法装置
  • [发明专利]MOS晶体管栅氧化层电容的测试方法和测试系统-CN202310499338.5在审
  • 杨杰;汪恒 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-05-04 - 2023-08-15 - G01R31/26
  • 本申请实施例涉及一种MOS晶体管栅氧化层电容的测试方法和测试系统。该方法包括:提供标准MOS晶体管,并得到标准MOS晶体管对应的标准栅氧化层电容Cox01,以及第一温度下,标准MOS晶体管对应的第一栅极小信号电容Cgg01;提供待测MOS晶体管,并使待测MOS晶体管处于强反型状态;获取第一温度下,待测MOS晶体管的第二栅极小信号电容Cgg02;根据标准栅氧化层电容Cox01、第一栅极小信号电容Cgg01和第二栅极小信号电容Cgg02,得到待测MOS晶体管的待测栅氧化层电容Cox02。可以得到待测MOS晶体管的待测栅氧化层的真实厚度。
  • mos晶体管氧化电容测试方法系统

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