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[发明专利]一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法-CN202310804382.2在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;龙安泽;吴志亮;黄宏嘉;陈善亮;杨祚宝;王霖;花俊;汪群华 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅单晶的方法，所述方法：将表面具有多孔结构的碳化硅单晶浸泡于溶有所需掺杂的物质的乙醇溶液或水溶液或乙醇水混合溶液中，浸泡完成后，再经烧结处理即得到掺杂碳化硅单晶。采用该方法获得的掺杂碳化硅单晶，其掺杂均匀。
一种溶液浸泡烧结获得掺杂碳化硅方法

[发明专利]一种用有机胶制备耐腐蚀石墨制品的方法-CN202310704095.4在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;龙安泽;吴志亮;黄宏嘉;陈善亮;杨祚宝;王霖;花俊;汪群华 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种用有机胶制备耐腐石墨制品的方法，所述方法：在石墨制品表面均匀涂覆有机胶，待有机胶固化后，得到产物A；产物A先置于一定温度环境下，保温一段时间后降温取出，有机胶初步碳化，再进行烧结，有机胶完全碳化。采用该方法制备的石墨制品，其用在PVT法或液相法生长过程中，能够抑制腐蚀，提高使用寿命。
一种有机制备腐蚀石墨制品方法

[发明专利]一种单晶金刚石的生产装置-CN202310334591.5在审
发明人：张新峰 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶金刚石的生产装置，本发明涉及金刚石生产技术领域，包括箱式工作台，所述箱式工作台的后侧上部设置有限位座，限位座的外部滑动套设有导向套，导向套的前侧设置有切换式加工组件，所述箱式工作台的上部滑动穿插有围板，且箱式工作台的内部设置有围板驱动件，所述切换式加工组件包括设置于导向套前侧的限位梁，限位梁的前侧下部两个拐角处均设置有凸起块，两个凸起块之间铰接有旋转块，旋转块的下部安装有旋转电机，旋转电机的输出轴连接有砂轮块，砂轮块的外壁设置有切割轮。该单晶金刚石的生产装置，在对单晶金刚石进行加工时，在同一个机械设备上，能够在打磨、钻孔以及裁切的三种工序中来回切换。
一种金刚石生产装置

[实用新型]一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置-CN202223019575.7有效
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;冒浩然;朱振宇;高欣;杜陈;黄杰;汪淑芬;应艳阳;龙安泽 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，它包括坩锅组件、感应线圈、保温套、上辅助加热件、下辅助加热件、上保温盘、下保温盘，感应线圈安装在保温套外侧，保温套内部从下往上依次安装有下保温盘、下辅助加热件、坩锅组件、上辅助加热件以及上保温盘，上辅助加热件和下辅助加热件都设计为石墨加热环。优点是设计巧妙，结构合理紧凑，在坩锅组件的上下位置增加上辅助加热件和下辅助加热件，上辅助加热件和下辅助加热件是采用等静压石墨材料制造的石墨加热环，在感应线圈的作用下能够与坩锅组件同时产生高温，加长了产生热量轴向长度，这样可控恒温区域加长；确保碳化硅长晶质量好且生长速率快。
一种提高碳化硅生长梯度稳定性石墨装置

[发明专利]金刚石盘的监控方法及系统-CN202211632324.8有效
发明人：张新峰;德米特罗维奇德米特里;龙安泽;高欣;石然;黄杰;冒振东;杜陈 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了金刚石盘的监控方法及系统，所述监控方法包括以下步骤：监控端监控金刚石盘的表征状态以及运行状态，并生成图像数据以及模拟信号发送至处理端；处理端接收监控端发送的图像数据以及模拟信号后，分别对图像数据以及数字信号进行处理，数字信号处理为监控数据并存储。本发明通过在金刚石盘使用前以及使用后采集金刚石盘的表面图像信息，当金刚石盘表面缺陷时，可及时提醒人工更换或维护，在金刚石盘处理研磨垫的过程中实时监控金刚石盘的运行状态，并根据监控信息实时调节金刚石盘以最优运行状态处理研磨垫，监测精度高，且自动调节最优运行状态，不仅无需停机调节，而且对研磨垫的处理效果更好。
金刚石监控方法系统

[发明专利]一种半导体的热处理设备及其使用方法-CN202211622343.2在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;龙安泽;高欣;石然;黄杰;冒振东;杜陈 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的热处理设备，包括外管体，所述外管体的顶部安装有两组错位布置的圆杆，所述外管体的底壁安装有环形内管，所述外管体的外壁安装有支撑环，两组所述圆杆的外表面套接有镂空底板，所述镂空底板的顶部安装有调节板，所述调节板的顶部设置有嵌合槽，所述嵌合槽的内壁安装有两组并排布置的卡合块，两组所述卡合块的顶部均安装有直立杆，所述直立杆的外表面设置有多组上下布置的环形槽，两组所述直立杆的外表面均套接有套筒。本发明中，可控制进入环形内管中热气体的含量，同时其能够适用于多种不同尺寸的半导体晶圆，且通过采用夹持晶圆圆周表面来降低晶圆被遮挡的区域，以便其最大程度与热气体相接触。
一种半导体热处理设备及其使用方法

[发明专利]一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置-CN202211419809.9在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;冒浩然;朱振宇;高欣;杜陈;黄杰;汪淑芬;应艳阳;龙安泽 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，它包括坩锅组件、感应线圈、保温套、上辅助加热件、下辅助加热件、上保温盘、下保温盘，感应线圈安装在保温套外侧，保温套内部从下往上依次安装有下保温盘、下辅助加热件、坩锅组件、上辅助加热件以及上保温盘，上辅助加热件和下辅助加热件都设计为石墨加热环。优点是设计巧妙，结构合理紧凑，在坩锅组件的上下位置增加上辅助加热件和下辅助加热件，上辅助加热件和下辅助加热件是采用等静压石墨材料制造的石墨加热环，在感应线圈的作用下能够与坩锅组件同时产生高温，加长了产生热量轴向长度，这样可控恒温区域加长；确保碳化硅长晶质量好且生长速率快。
一种提高碳化硅生长梯度稳定性石墨装置

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT-CN202210188984.5在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT-CN202210188969.0在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结沟槽逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT-CN202210156675.X在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层到顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上的N漂移区、位于N漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅材料制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
一种碳化硅硅异质结低功耗沟槽 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT-CN202210156677.9在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
一种碳化硅硅异质结低功耗 igbt

[实用新型]一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚-CN202122600151.9有效
发明人：张新峰;龙安泽;周彩云;杜陈 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，所述石墨坩埚包括石墨坩埚主体；所述石墨坩埚还包括若干石墨封闭环，所有石墨封闭环均放置于石墨坩埚主体内，或与石墨坩埚主体固定连接，共同作为SiC单晶生长装置中的加热元件，所述石墨坩埚主体内所有石墨封闭环以外空间即其他空间；硅源置于石墨坩埚的其他空间内，由加热元件加热，石墨坩埚主体与封闭环中的碳进入硅溶液中，形成SiC溶液。可以提高加热效率，改善SiC溶液温度分布，同时在多方位提供碳源，使得SiC溶液组分分布的也更加均匀。避免由于温度和组分分布不均对SiC单晶的生长造成的不利影响。
一种用于 sic 生长装置中的石墨坩埚

[发明专利]一种半导体铝合金零部件清洗装置-CN202210025634.7有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及零部件清洗技术领域，具体涉及一种半导体铝合金零部件清洗装置，包括壳体一与壳体二，所述壳体一与壳体二侧面相互接触，且壳体一与壳体二弧形侧面底部通过铰链转动连接，所述壳体一与壳体二内侧面两侧均固定连接有橡胶片，且同一侧的两个橡胶片相互接触，所述橡胶片内侧面固定连接有橡胶条，且同一侧的两个橡胶条相互接触。本发明中，通过橡胶片内侧面固定连接有橡胶条，可以将壳体一与壳体二合围在零件的一部分上，并使橡胶片与橡胶条挡在壳体一与壳体二一侧，这时在清洗零件时，可以避免水流到设备其他零件上，这样可以不需要将零件拆下进行清理，清理较为简单，有利于节约时间，保证半导体的生产可以顺利进行。
一种半导体铝合金零部件清洗装置

[发明专利]一种用于半导体的切割装置-CN202210025656.3有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体切割技术领域，具体涉及一种用于半导体的切割装置，包括底板，所述底板的顶面固连有循环机构，所述循环机构包括两个工架，所述工架的底面与底板之间固连有支撑架，两个所述工架的四个顶角之间均固连有限位板一。本发明中，通过承载板和两个激光发射组件的设置，使激光发射组件的移动方向与承载板移动方向垂直，通过承载板与激光发射组件相互垂直移动的配合，使得激光发射组件能对物料进行复杂形状的切割，通过承载板的底面和顶面均能吸附固定物料，实现一次对两块物料进行加工，增加效率，通过移动机构一和移动机构二的设置，移动机构一与移动机构二在循环机构上循环移动，从而减少激光发射组件的等待时间，进一步增加效率。
一种用于半导体切割装置

[发明专利]一种半导体用点胶机-CN202210025450.0有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人： 江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种半导体用点胶机，包括机体，所述机体的顶面安装有输送器，所述机体的顶部固定连接有支架，所述支架一侧安装有点胶器，所述点胶器的底面固定连接有支撑套管，所述支撑套管的内部滑动连接有点胶柱，所述点胶柱的内部设置有多个点胶管，多个所述点胶管的底面连通有点胶嘴。本发明中，通过气压推注胶水通过点胶管移动到点胶嘴，点胶嘴移出支撑套管实现点胶，点胶结束后在复位机构的带动下使点胶柱带着点胶管及点胶嘴回到初始位置，此时传动机构带着动开合机构闭合实现将点胶嘴保护在支撑套管里面，保护了点胶嘴，也有利于减少点胶嘴直接与器件表面接触，减少胶水拉丝现象出现。
一种半导体用点胶机

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