“水泽宁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁控溅射装置和磁控溅射方法-CN201210376114.7有效
发明人：水野茂;户岛宏至;五味淳;宫下哲也;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。
磁控溅射装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180027424.1无效
发明人：石坂忠大;佐久间隆;波多野达夫;横山敦;五味淳;安室千晃;福岛利彦;户岛宏至;川又诚也;水泽宁;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。
方法装置

[发明专利]Cu配线的形成方法-CN201080018603.4无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;横山敦;石坂忠大;安室千晃;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。
cu 形成方法

[发明专利]CVD-Ru膜的形成方法和半导体装置的制造方法-CN201080011219.1无效
发明人：加藤多佳良;水泽宁;波多野达夫;五味淳;安室千晃;横山敦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：通过使用含有有机金属化合物的成膜原料并通过CVD在基板上形成Ru膜的工序和对形成有上述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序，形成CVD-Ru膜。
cvd ru 形成方法半导体装置制造

[发明专利]载置台结构、成膜装置和原料回收方法-CN201080010695.1无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;多贺敏;安室千晃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内，使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构，其特征在于，具备：载置台主体，载置被处理体并且在内部设置有加热器；和基台，以包围上述载置台主体的侧面和底面的状态支撑上述载置台主体，并且在内部设置有流通致冷剂的致冷剂通路，维持在低于原料气体的分解温度且在原料气体的凝固温度或液化温度以上的温度范围。
载置台结构装置原料回收方法

[发明专利]原料回收方法及用于原料回收的收集机构-CN200980130137.6无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;安室千晃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种原料回收方法，该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料，在处理容器中，使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体，在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜，其特征在于，该原料回收方法具有：凝固工序，通过使上述排出气体与上述制冷剂接触而进行冷却，使未反应的原料气体凝固，并再次析出上述原料；回收工序，其从上述制冷剂中分离并回收在上述凝固工序中再次析出的上述原料。
原料回收方法用于收集机构

[发明专利]载置台构造-CN200980129915.X无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;山本薰;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。
载置台构造

[发明专利]成膜方法及处理系统-CN200980124821.3有效
发明人：松本贤治;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，是在可抽真空的处理容器内对在表面具有凹部的被处理体的表面实施成膜处理的成膜方法，其特征在于，包括：使用含过渡金属原料气体通过热处理形成含过渡金属膜的含过渡金属膜形成工序；和形成包含元素周期表的VIII族的元素的金属膜的金属膜形成工序。
方法处理系统

[发明专利]成膜方法及成膜装置、计算机可读存储介质-CN200980110270.5有效
发明人：原正道;水泽宁;多贺敏;五味淳;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。
方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置-CN201010244028.1无效
发明人：池田太郎;水泽宁;波多野达夫;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。
金属膜薄膜沉积方法装置

[发明专利]成膜方法和处理系统-CN200880022486.1有效
发明人：池田太郎;若林哲;成嶋健索;波多野达夫;水泽宁;横山敦;佐久间隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。
方法处理系统

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200880000148.8有效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;原正道;横山敦;多贺敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。
方法装置

[发明专利]成膜方法、成膜装置和存储介质-CN200780014788.X无效
发明人：佐久间隆;横山敦;池田太郎;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。
方法装置存储介质

[发明专利]成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质-CN200780012765.5无效
发明人：佐久间隆;池田太郎;横山敦;松田司;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。
方法等离子体装置存储介质

[发明专利]种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质-CN200780004018.7无效
发明人：佐久间隆;池田太郎;横山敦;松田司;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。
方法等离子体装置存储介质

1
2
下一页»
尾页
共 21 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top